东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD-电子工程世界

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东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸 SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年10月开始面向个人电脑量产。该公司从09年 7月开始量产32nm级NAND闪存。

此次的开发品被称为采用配备NAND闪存及控制器LSI的印刷底板形式的“模块型”。分别提供了支持“Half Slim”及支持“mSATA”的产品各2款。Half Slim和mSATA是由Serial ATA International Organization（SATA-IO）和Joint Electron Device Engineering Council（JEDEC）制定标准的小型便携终端规格。选配产品备有2.5英寸硬盘及相同形状的包装盒。

电源电压方面，支持Half Slim的产品为5V，支持mSATA的产品为3.3V。耗电量方面，所有产品在写入时平均为1.8W，读取时平均为1.3W，待机时平均为65mW。数据传输速度方面，所有产品在写入时均为最大70MB/秒，读取时均为最大180MB/秒。

外形尺寸方面，支持Half Slim的产品为54mm×39mm×4mm，支持mSATA的产品为30mm×50.95mm×4.75mm。重量均为9g。平均失效前时间（MTTF）为100万小时。

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