三星电子主管：内存困难 闪存成长好

    三星电子半导体事业、装置解决方案事业部社长权五铉29日表示，半导体产业能见度低，明年成长幅度不会太高，DRAM业更是“非常困难”，仅储存型闪存（NAND Flash）等智能手机或移动应用领域产品具有高成长性。

    权五铉也透露三星未来发展方向，将消费性产品朝向智能化、低耗能发展，会继续与国际大厂在零组件等方面合作。过往三星对于并购并不积极，但考虑长期发展需要，未来三星不排除启动任何形式的并购。

    权五铉认为，欧美等成熟市场经济状况欠佳，增添半导体业景气不确定性，也让产业能见度降低，预期明年半导体成长速度将趋缓，成长性“不会太高”。

    在权五铉之前，联电执行长孙世伟、Gartner等，也对半导体后市抱持保守看法。

    权五铉认为，DRAM产业处境更是非常困难，主因个人计算机（PC）市场成长趋缓，DRAM价格何时落底，目前无法预测。相比之下，NAND Flash等在智能手机、移动应用领域则相对具有高成长性。

    他指出，三星已开始采用20纳米制程生产DRAM，技术领先同业一至二个世代，短期内先降低PC用DRAM投片量至三成左右，其余七成转做移动、服务器等基础型内存生产。

    他强调，在景气成长放缓的大环境下，技术决定一切，企业运营也有两极化差异。三星降低PC用DRAM投片，不代表放弃PC DRAM市场，未来还是会继续研发新技术，保持领先地位。

    由于产业能见度低，三星目前对于明年资本支出仍未定案，预估要到10、11月拜访完客户，了解实际需求后，才会有初步规划。

    他透露，三星明年的投资将锁定竞争优势的移动装置和运算市场为主。