汽车数字仪表群设计的挑战

发布者:机械梦想家最新更新时间:2012-04-12 来源: 21ic 关键字:数字仪表  存储器  AEC-Q100标 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

本文首先将重点阐述汽车设计/可靠性方面的一些限制,然后会评测数字仪表群架构,以及存储子系统的取舍对于未来项目的性能、可靠性和成本有何影响。

数字式仪表群设计的挑战

数字式仪表群必须支持高性能实时处理需求(就像现有的消费级显示平台),同时显著提升设计的长期可靠性。汽车市场的OEM厂商(原始设备制造商)、一级供应商和客户绝不会将显示故障视为消费级电话或个人电脑经常发生的小问题。新的数字式仪表群需要打造一种简单易用、排除干扰的信息环境,从而促进安全驾驶,这类产品必须确保出色的性能水平以及长期的可靠运行,同时承受苛刻而恶劣的工作环境(例如,-40~+105℃的极端温度范围)。汽车行业在环境、安全和质量方面的这些严苛要求导致开发周期极为漫长,有时开发一项车辆显示技术需要耗时3年,甚至更久。

汽车设计的规划、设计和验证流程极为系统,以便找出并消除运行或可靠性方面的问题。此过程中,汽车设计师选择的电子元件供应商通常都采用TS16949等品质要求严格的设计方法开发产品,并且符合汽车电子委员会(AEC)苛刻的AEC-Q100标准。

一旦供应商推出量产系统,零配件供应商就必须持续监测其内部和外部的可靠性能,必要时采取纠正措施,确保缺陷零部件的百万分率(dppm)降到零。OEM厂商和一级供应商同样希望自己的供应基地能够提供长期的产品支持和可用性;一旦部署汽车嵌入式系统,再想停止就会产生高昂的成本,有时根本不可能为了支持寿命周期短暂的零部件而重新验证一款设计。某些情况下,重新验证的成本可能高达数十万美元。

数字式仪表群采用的图形内容与日俱增,导致信息显示系统更加精密复杂,这就不仅需要提高其性能水平,同时必须仍能可靠地完成基本目标,即通知驾驶人员基本的车辆和安全信息。例如,数字式仪表群必须能在车辆发动之后以接近即时的方式提供车辆状态信息,通常不到一秒就能在TFT屏幕上显示重要的变速箱挡位信息(即P、R、D、1、2、3)。这就要求仪表群能够瞬间启动,而要实现这一点,设计师就需要仔细研究关键系统和零部件层面的性能表现。即使只是在车辆发动前提供胎压不足警告这样看似简单的信息,都能够预先主动减少潜在的安全问题。

仪表群从模拟系统向数字系统的过渡令人兴奋,但如上所述,这种过渡同样会提升复杂程度,设计师不得不发觉创新解决方案,满足苛刻的系统需求,例如实时显示性能、长期高度可靠及大幅削减成本等。

我们将研究如何以利用可靠而又极具成本效益的方式提供这些基本信息。

图1是一张高级数字式仪表群示意图。车辆的中央系统级芯片(SOC)通过其通信网络以及内部或外部存储器获取输入数据,并输出至TFT显示屏。数字式仪表群采用的系统架构同很多消费级高性能显示平台类似。

图1 高级数字式仪表群示意图

汽车和消费级显示平台都需要大容量存储器来支持各自庞大的数字内容;如今的汽车设计之中,3D图形内容、32位色彩、高分辨率和大显示屏的出现导致存储密度必须达到2Gb。

为创建内容丰富的显示系统,该内容通常包括大字符集、多种字体、图形影像以及多语言扩展支持。数字式仪表群帧缓冲会依照行业标准技术生成并显示。SOC显示控制器会在系统显示屏上渲染某一帧,同时SOC/图形引擎会访问内部或外部存储器,获取、处理、保存帧缓冲中的下一组数据,以供后续显示之用。当今的SOC需要以高带宽访问驻留在外部存储器中的可靠代码和数据,从而确保快速系统启动和高速实时处理。[page]

数字式仪表群架构和存储器子系统的取舍

存储器架构和设计实施会影响嵌入式系统的性能等级和可靠性。我们会评测若干种存储器架构,以便阐述采用当前技术可以实现的某些性能/成本取舍。首先,图2简单概括了标准代码映射存储器架构,高性能嵌入式显示系统通常都采用这一架构。

图2 标准代码映射存储器架构

系统控制器或通用处理单元(GPU)的集成度很高,囊括了图形引擎、显示控制器,不仅提供限定容量的RAM和闪存存储器选择,同时依然提供外部存储器接口,从而满足数字仪表群对于高性能和高密度存储器的需求。外部存储器分为两种标准产品:DRAM和闪存。嵌入式系统的启动主要分为3个步骤:首先是代码/数据从闪存映射到DRAM,然后处理器、DRAM和其他关键部件进行初始化,最后是执行应用程序。一旦开始执行代码,即会显示有用的信息。这种架构拥有若干关键特性。SOC/DRAM的高速访问能力可以提升实时处理功能的性能表现。系统初始启动时间主要取决于映射和初始化的时间,而映射时间则取决于SOC/Flash访问带宽以及从闪存传输至DRAM的数据密度。

如前所述,高端数字式仪表群必须在车辆发动之后能以接近即时的形式提供当前的车辆状态。档位信息(即P、R、D、1、2、3)通常需在一秒之内显示在TFT屏幕上。这就要求闪存支持高速访问、超高存储密度和长期数据完整,以满足基本设计和质量需求,同时要求确定采购责任,确保产品长期供货稳定。

目前,闪存供应商可提供多种非易失存储器(NVM)技术,其中应用最广的两种技术就是NOR和NAND闪存。两者在各方面具有不同的性能特点,例如:访问能力、可靠程度、产品生命周期和成本。汽车SOC通常支持多种接口配置,以访问外部并行和串行NOR闪存,而NAND闪存接口正逐渐得到越来越广泛的支持。

请注意,SOC NAND接口的某个动态变量决定了所需的ECC支持级别,尤其是考虑到NAND正快速过渡到光刻技术。NOR方面,页模式和同步NOR闪存将继续满足汽车行业的严苛要求。例如,雪佛兰Volt的E-Flex仪表群等新型高端数字式仪表群设计采用飞思卡尔(Freescale)的MPC5121e型SOC和Spansion的S29GL512N闪存。Spansion GL页读取访问技术支持高速读取访问,其数据吞吐速率高达80MB/s,完全可以满足Volt E-Flex仪表群的需求,确保其在汽车启动之后的一秒钟之内显示变速箱挡位(即P、R、D、1、2、3)。

汽车芯片组和闪存供应商的不断创新催生出极具成本效益的全新混合数字式仪表群架构(如图3所示)。系统控制器(Freescale Spectrum)和闪存(Spansion Multi I/O SPI)可以优化TFT显示架构,提供更具成本效益的入门级仪表群解决方案。系统控制器通过嵌入式闪存执行代码,同时利用高带宽多I/O SPI协议加载来自外部闪存的图形数据。图形数据在内部帧缓冲区进行处理并保存,然后直接显示到TFT屏幕上。这种大胆创新的混合架构无需外部DRAM存储器,不仅能够满足系统的性能和可靠性需求,同时可以优化成本。

图3 混合存储器架构

请注意,这种应用程序架构需要数以亿计的读取周期,因而会影响NAND这类技术的可用性。目前,NAND设备用于具有中、高读取周期的应用时,会出现更多的位干扰错误。

新型多I/O SPI通信协议可用于系统控制器和外部SPI闪存之间的数据传输。多I/O SPI基于流行的串行外围接口(SPI),其访问性能经配置可支持1?4个数据连接。这项功能可将SPI的访问能力从之前的不到10Mb/s提升至40Mb/s左右。Freescale和Spansion等汽车芯片组和闪存供应商能够提供各种标准产品,保证设计师充分利用多I/O SPI经过改进的访问带宽,从而实现更好地控制成本,同时打造出性能出色的数字式仪表群。某些情况下,可使用两个四路I/O SPI,支持高达80 MB/s的连续吞吐速率。

Spansion的多I/O SPI FL闪存系列依然支持低引脚数串行接口,而且支持更高的读取带宽,堪比目前的多引脚数闪存设备。Spansion SPI FL系列同样可以满足中高存储密度和长期数据完整的要求,能够在高达105℃的工作环境中保持正常运行,同时符合AEC-Q100标准。

关键字:数字仪表  存储器  AEC-Q100标 引用地址:汽车数字仪表群设计的挑战

上一篇:汽车多功能控制开关的设计应用
下一篇:选用FPGA和完整的IP解决方案优化电气架构设计

推荐阅读最新更新时间:2024-05-02 22:00

c行业周期即将逆转,存储器芯片景气或触顶
  摩根士丹利(Morgan Stanley,大摩)26日以明年存储器芯片获利恐难显著成长为由,将三星电子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投资评等自“加码”降至“中性权重”,目标价下修3.4%至280万韩元。大摩指出,随着NAND型快 闪存 储器报价在2017年第四季开始反转,下行风险随之升高;在此同时,2018年第一季以后的DRAM供需能见度也已降低。自2016年一季度以来半导体行业所享受的强劲市场需求和史无前例的定价权难以为继,NAND 闪存 超级周期料将发生逆转。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   三星电子10月表示,2018年DRAM、NAND型快 闪存 储器供需预估将持续呈现
[网络通信]
累加器A与片外数据存储器RAM传送指令(4条)举例——mcs51单
累加器A与片外数据存储器RAM传送 指令 (4条) 这4条指令的作用是累加器A与片外RAM间的数据传送。使用寄存器寻址方式: MOVX @DPTR,A ;(A)→((DPTR)) 累加器中的内容送到数据指针指向片外RAM地址中 MOVX A, @DPTR ;((DPTR))→(A) 数据指针指向片外RAM地址中的内容送到累加器A中 MOVX A, @Ri ;((Ri))→(A) 寄存器Ri指向片外RAM地址中的内容送到累加器A中 MOVX @Ri,A ;(A)→((Ri)) 累加器中的内容送到寄存器Ri指向片外RAM地址中 说明: 1、在89C51中,与外部存储器RAM打交道的只可以是累加器A,所有需要送入外部RA
[单片机]
基于W78E516B单片机的大容量静态存储器接口设计
0 引言 随着信息技术的发展,在工业应用领域中需要采集存储的信息越来越多,相应地使用了各种数据采集装置,以获得被研究对象的相关信息。有时为了节约时间和计算机资源,一般并不是在当地立即处理这些信息数据,而是将数据传向后台由后台计算机进行处理、分析。它们之间的数据传输媒介有有线传输、无线传输和硬盘等几种型式。当采集现场条件不允许时,比如地形复杂且离后台距离较远,有线、无线传输均不适用。此外,有时周围环境会出现高湿度、高粉尘的恶劣情况,在这种条件下硬盘驱动器就难以可靠工作。为了满足实际生产中在特定条件下数据采集系统的要求,通过长时间的研究,设计出一种基于单片机超大容量存储器。该存储器容量可达4 Mb,基本可以满足复杂环 境下信息采集
[单片机]
基于W78E516B单片机的大容量静态<font color='red'>存储器</font>接口设计
Msp430Flash型单片机内部Flash存储器介绍
MSP430的Flash存储器是可位、字节、字寻址和编程的存储器。该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作。控制器包括三个寄存器,一个时序发生器及一个提供编程、擦除电压的电压发生器。 Msp430的Flash存储器的特点有: 1) 产生内部编程电压 2) 可位、字节、字编程,可以单个操作,也可以连续多个操作 3) 超低功耗操作 4) 支持段擦除和多段模块擦除 2 Flash存储器的分割 Msp430 Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入,也可以进行连续多个字、字节的写入操作,但是最小的擦除单位是段。 Flash 存储器被分割成两部分:主存储器和信息存储器,
[单片机]
ARM 入门
  1 ARM 的启动      一般的嵌入式系统在主程序执行之前都需要执行一些初始化的过程以创造嵌入式程序运行的环境,尤其是一些高级的嵌入式系统,由于核心芯片使用内存映射、内存保护等机制以及编程使用高级语言 C,C++ 甚至 JAVA 语言,都需要先创建一个适合程序运行的硬件环境,然后初始化或者配置或者剪裁 run-time library, 这些工作都必须在主程序运行前完成,所以一个 startup 程序或者程序组对于一个嵌入式系统来说是非常重要的。要编写 startup 程序,需要对编译器、链接器和汇编器的细节有一定的了解,同时对 ARM 芯片硬件本身的地址分配以及 memory mapping 机制也需要有一些了解。
[应用]
AVR的I/O存储器操作
所有的I/O寄存器可以通过IN(I/O口输入)和OUT(输出到I/O口)指令访问,这些指令是在32个通用寄存器与I/O寄存器空间之间传输交换数据,指令周期为1个时钟周期。此外,I/O寄存器地址范围在$00-$1F之间的寄存器(前32个)还可通过指令实现bit位操作和bit位判断跳转。SBI(I/O寄存器中指定位置1)和CBI(I/O寄存器中指定位清零)指令可直接对I/O寄存器中的每一位进行位操作。使用SBIS(I/O寄存器中指定位为1跳行)和SBIC(I/O寄存器中指定位为0跳行)指令能够对这些I/O寄存器中的每一位的值进行检验判断,实现跳过一条指令执行下一条指令的跳转。 在I/O寄存器专用指令IN、OUT、SBI、CBI、S
[单片机]
MRAM接班主流存储器指日可待
    记忆体产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取记忆体(SRAM)的快速、快闪记忆体的高密度以及如同唯读记忆体(ROM)般低成本等各种优势的非挥发性记忆体。如今,透过磁阻随机存取记忆体(MRAM),可望解决开发这种“万能”记忆体(可取代各种记忆体)的问题 遗憾的是,实际让非挥发性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承诺)的最佳化步骤,似乎总是还得再等三年之久。如今,荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology;TU/e)的研究人员宣称发现一种可让MRAM克服速度快、密度与成本问题的全新制造方法,称为“自旋霍尔效应与交换偏置反转零磁场磁化”(field-fre
[手机便携]
消息称华为正开发国产HBM2存储器
为规避限制,消息称华为正在开发国产HBM存储器。 消息中指出,华为正加快在中国建立高带宽内存(HBM)的国内生产能力。 此举可以解决阻碍该公司在人工智能和高性能计算(HPC)领域取得进步的限制因素。 据悉,华为及其供应商正推进HBM2内存技术,这对华为Ascend系列处理器的人工智能应用至关重要。 按照消息人士的说法,通过投资国内HBM生产,华为旨在确保这些重要组件的稳定供应链,减少对外部供应商的依赖。 目前HBM行业发展激烈,三星、SK海力士等都加大了投入,特别是SK海力士直接宣布投资10亿美元建造先进封装设施。 SK海力士副总裁曾表示,“半导体行业的前50年主要是在前端”,也就是芯片本身的设计和制造,“但接下来的50年将是关于
[半导体设计/制造]
热门资源推荐
热门放大器推荐
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved