东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块-电子工程世界

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新产品符合JEDEC e·MMC™ 5.0版标准

东京—东芝公司（TOKYO：6502）近日宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块（e·MMC），该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。同时该模块符合最新的e·MMC™[1]标准，旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄像机等广泛的数字消费品。批量生产将从11月底开始。

市场对能够支持高分辨率视频和提供更大存储空间的大容量NAND闪存芯片的需求不断增长。这种需求在包含控制器功能的嵌入式存储器领域尤为明显，这种嵌入式存储器可以使开发要求降至最低，并使系统整合设计更加便利。东芝正通过强化其大容量存储器产品系列来满足这一需求。

东芝公司的新型32GB e·MMC在11.5 x 13 x 1.0mm的小封装中整合了4个64Gbit（相当于8GB）NAND芯片（采用东芝的19纳米第二代尖端工艺技术制造）和一个专用控制器。它符合JEDEC于9月发布的JEDECC e·MMC™ 5.0版标准，并且通过采用新的HS400高速接口标准实现了高读写性能。

东芝将在容量为4GB至128GB的e·MMC中使用这些NAND芯片。所有e·MMC都将整合一个控制器来管理NAND应用的基本控制功能。

新产品系列

产品名称	容量	封装	量产
THGBMBG8D4KBAIR	32GB	FBGA153 11.5 x 13 x 1.0mm	2013年11月底
THGBMBG7D2KBAIL	16GB	FBGA153 11.5 x 13 x 0.8mm	2013年11月底

在16GB和32GB产品之后，东芝将依次推出4GB、8GB、64GB和128GB产品。

主要功能

符合JEDEC e·MMC™ 5.0版标准的接口可以处理基本功能，包括坏块管理、ECC和驱动软件。它可简化系统开发，最小化制造商的开发成本，并加快新产品和升级产品的上市速度。

128GB e·MMC产品能够以128Kbps比特率记录长达2,222小时的音乐、16.6小时的全高清视频和38.4小时的标清视频[2]。

新产品采用使用19纳米第二代尖端工艺技术制造的NAND闪存芯片。

新产品采用11.5 x 13mm的小型FBGA封装，并且拥有符合JEDEC e·MMC™ 5.0版标准的信号（引脚）布局。

主要规格

产品名称	THGBMBG8D4KBAIR	THGBMBG7D2KBAIL
接口	JEDEC e·MMC™5.0版标准的HS-MMC接口
容量	32GB	16GB
电源电压	2.7～3.6V（VCC，存储器核心） 1.7V～1.95V/2.7V～3.6V（VCCQ，接口）
总线宽度	x1 / x4 / x8
写入速度	90MB/s （顺序/HS400模式）	50MB/s （顺序/HS400模式）
读取速度	270MB/s （顺序/HS400模式）	270MB/s （顺序/HS400模式）
温度范围	-25degrees至+85℃
封装	153Ball FBGA 11.5 x 13 x 1.0mm	153Ball FBGA 11.5 x 13 x 0.8mm

11.5 x 13 x 1.0mm 153Ball FBGA
11.5 x 13 x 0.8mm
[1]：e·MMC™是采用JEDEC e·MMC™标准规格制造的嵌入式存储器产品的商标和产品类别。
[2]：HD和SD分别按照17Mbps和7Mbps的平均比特率计算。

关键字：东芝闪存引用地址：东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块

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