虽然片上ESD结构被用作极好的次要保护,但是它们通常对长期暴露在自由环境下的接口保护不足。
“模拟域”部分将焦点放在IC、子系统和系统设计者面对的不断增长的电路设计挑战:接口ESD保护。沿着工业现有技术的轨迹,接口保护难度按两个趋势日益增加。首先,增加了处理速度和功能密度的需求,推动IC制造者进一步缩减MOS装置的最小尺寸。对给定的门绝缘体,设备原理上需要维持绝缘体厚度与横向尺寸成比例(参考文献1)。然而,较薄的绝缘体更容易受ESD的影响。
其次,端口速度持续增加,特别是便携式多媒体设备的兴起。例如,1996年发布的USB 1.0提供12Mbps的接口。四年后,USB 2.0达到480 Mbps。今年Intel开发者论坛出现,但仍未发布的USB 3.0,用平行光纤电缆替代铜连接器达到4.8Gbps的连接速度。IEEE 802.3(以太网)和IEEE 1394(火线)或多或少显示了趋势。
传统上,包括ESD分流结构,带标准互连焊盘单元的IC保护内部电路,避免ESD冲击设备引脚。如果其结构连接严格的抗ESD处理程序,对制造商而言,片上ESD保护板装配的IC安全是必要
的。虽然片上ESD结构被用做极好的次要保护,但是它们通常对长期暴露在自由环境下的接口保护不足。
这些结构不足的原因有两部分:它们太小到不能吸收接口常出现的瞬态大能量,远离接口入口点放置,防止邻近轨迹的耦合。一旦I/O线的片上ESD单元开始工作,瞬态电流沿走线增加,引起走线感应,产生相应瞬态电压,Ldi/dt。邻近I/O走线的互感导体满足超过其自身片上ESD单元容量的瞬态现象。这些邻近轨迹包括时钟、数据或其他非端口信号(参考文献2)。
装配TVS(瞬态电压干扰抑制器)到与入口点尽可能近,通过瞬态电流进入产品前分流ESD到地,来减少问题。这样做,用最小的附加费用,充分地增加了产品的鲁棒性。“如果手指接近节点,保护它”是一个好准则。尽管键帽是绝缘的,这个准则也应用到键区开关线。
高速接口需要带特殊低旁路电容的TVS。检查销售商的产品线,特别是高速接口设备。如果不能找到设备的特定接口,与销售商明确提供的标准接口比较信号频率和源线特性。考虑TVS制造商的要求,确保理解特定设备的ESD源模型。例如,JEDEC HBM(人体模型)通过1.5kΩ resistor,使用100pF电容放电。测试模型的可重复性结果历史上就是关注区域(参考文献3)。IEC-61000-4-2标准的测试方法提升了可重复性,其源模型——150Ω后的150pF——使设计要求更苛刻。
关键字:接口技术 ESD保护 瞬态大能量
引用地址:对接口进行ESD保护的实现方案
“模拟域”部分将焦点放在IC、子系统和系统设计者面对的不断增长的电路设计挑战:接口ESD保护。沿着工业现有技术的轨迹,接口保护难度按两个趋势日益增加。首先,增加了处理速度和功能密度的需求,推动IC制造者进一步缩减MOS装置的最小尺寸。对给定的门绝缘体,设备原理上需要维持绝缘体厚度与横向尺寸成比例(参考文献1)。然而,较薄的绝缘体更容易受ESD的影响。
其次,端口速度持续增加,特别是便携式多媒体设备的兴起。例如,1996年发布的USB 1.0提供12Mbps的接口。四年后,USB 2.0达到480 Mbps。今年Intel开发者论坛出现,但仍未发布的USB 3.0,用平行光纤电缆替代铜连接器达到4.8Gbps的连接速度。IEEE 802.3(以太网)和IEEE 1394(火线)或多或少显示了趋势。
传统上,包括ESD分流结构,带标准互连焊盘单元的IC保护内部电路,避免ESD冲击设备引脚。如果其结构连接严格的抗ESD处理程序,对制造商而言,片上ESD保护板装配的IC安全是必要
的。虽然片上ESD结构被用做极好的次要保护,但是它们通常对长期暴露在自由环境下的接口保护不足。
这些结构不足的原因有两部分:它们太小到不能吸收接口常出现的瞬态大能量,远离接口入口点放置,防止邻近轨迹的耦合。一旦I/O线的片上ESD单元开始工作,瞬态电流沿走线增加,引起走线感应,产生相应瞬态电压,Ldi/dt。邻近I/O走线的互感导体满足超过其自身片上ESD单元容量的瞬态现象。这些邻近轨迹包括时钟、数据或其他非端口信号(参考文献2)。
装配TVS(瞬态电压干扰抑制器)到与入口点尽可能近,通过瞬态电流进入产品前分流ESD到地,来减少问题。这样做,用最小的附加费用,充分地增加了产品的鲁棒性。“如果手指接近节点,保护它”是一个好准则。尽管键帽是绝缘的,这个准则也应用到键区开关线。
高速接口需要带特殊低旁路电容的TVS。检查销售商的产品线,特别是高速接口设备。如果不能找到设备的特定接口,与销售商明确提供的标准接口比较信号频率和源线特性。考虑TVS制造商的要求,确保理解特定设备的ESD源模型。例如,JEDEC HBM(人体模型)通过1.5kΩ resistor,使用100pF电容放电。测试模型的可重复性结果历史上就是关注区域(参考文献3)。IEC-61000-4-2标准的测试方法提升了可重复性,其源模型——150Ω后的150pF——使设计要求更苛刻。
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