2014年全球DRAM供给量年成长24.2%

发布者:数据梦行者最新更新时间:2014-10-20 来源: digitimes 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    2014年全球DRAM位元供给量虽呈现逐季成长态势,且在第4季达到高点,但在来自智慧型手机与平板电脑等行动装置对Mobile DRAM强劲成长带动下,全球DRAM市场位元需求量成长表现更优于DRAM位元供给量成长,这也将使得2014年全球DRAM市场供过于求状况逐季改善。

    DIGITIMES Research预估,2014年第4季DRAM市场价格压力可望暂获舒缓,但面临2015年全球景气成长动力有下修的疑虑,加上第1季淡季效应不利影响下,第4季下旬DRAM市场价格仍将可能面临下修压力。

    2014年全球主要DRAM厂仅有华邦电子自南亚科技购买胜普电子8寸晶圆厂,及遭祝融之灾的SK海力士无锡厂产能于2014年上半恢复外,包括三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、南亚科技皆无扩充DRAM产能的动作。

    不仅如此,包括三星、SK海力士、美光等全球前三大DRAM厂甚至将原本用于生产DRAM产能移转至NAND Flash与晶圆代工等业务,这也让全球用于生产DRAM的12寸晶圆产能自2011年见到高点后,出现连续3年下滑。

    三星早在2013年第2季将25奈米制程导入量产,并于2014年第3季将20奈米制程导入量产,虽然20奈米制程对三星产能增加贡献相当有限,但在25奈米制程占产能比重持续提升的推动下,将成为带动2014年全球DRAM位元供给量成长的最重要动能。

    DIGITIMES Research预估,在三星的带动下,2014年全球DRAM位元供给量较2013年成长24.2%,年位元成长率略优于2013年23.1%,但仍无法摆脱DRAM位元供给量成长趋缓的态势,DRAM位元供给量增加动能仅来自先进制程升级所增加产能,而非新建DRAM产线。

引用地址:2014年全球DRAM供给量年成长24.2%

上一篇:闪存供应商SanDisk三季度净利润同比降5%
下一篇:TI MSP-EXP430FR5969 LaunchPad评估套件登陆Mouser

小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved