3D闪存大战在即，美光砸40亿建厂-电子工程世界

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传统的平面闪存在16/15nm工艺之后面临瓶颈，厂商开始转向3D闪存，这其中三星动作最快，去年就已经开始量产第二代V-NAND闪存了，850 Pro及850 Evo硬盘也上市了。东芝/闪迪系也在跟进，在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产，Intel/美光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存，现在也准备量产了。日前美光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂，明年底开始量产第二代3D NAND闪存。

美光在新加坡现有Fab 10N晶圆厂，每月产能约为14万片等效晶圆，这次投资新建的是Fab 10X晶圆厂，主要生产第二代3D NAND闪存，建成后每月产能还是大约14万片等效晶圆，不过之后就是3D NAND闪存了，因此总产能更大，在未来的几年里可支撑每年bit容量增长40-50%。
　　

此次投资总额约为40亿美元，整个项目要到2017财年也就是2016年Q4季度才能完成，其中2015财年先期投资为5亿美元。

美光的Fab 10X工厂主要是生产第二代的3D NAND闪存，根据Intel之前所说，二代3D NAND闪存最高可以堆叠32层NAND，die核心容量则高达256Gb，这样就能达到1TB容量，如果是TLC闪存，die容量则可以达到384Gb，2mm厚度下就能实现1TB的容量，也就是一张SD卡的大小就有TB+的容量。

在美光的路线图上，平面的16nm工艺之后他们就会100%专注于3D NAND闪存，2015年底首先会在消费级市场推出3D NAND闪存的固态硬盘，不过这个应该是第一代3D NAND的，堆叠层数为16层，比三星的V-NAND略低。

关键字：美光闪存 3D NAND Intel TCL 引用地址：3D闪存大战在即，美光砸40亿建厂

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