DDR,DDR2,DDR3,FSB总线,HT总线的频率图

发布者:EternalSmile最新更新时间:2015-08-21 来源: eefocus关键字:DDR  DDR2  DDR3  FSB总线  HT总线  频率图 手机看文章 扫描二维码
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CPU频率*CPU位数(如64bit)/8=CPU带宽
内存,CPU,和(主板支持的)总线的传输带宽关系很重要。
再看看显卡与CPU天梯图











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电源设计小贴士 41:DDR内存电源
CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后,电源电压也随之降低,从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度,允许系统时钟频率升高至千兆赫兹级别。在这些高时钟频率下,阻抗控制、正确的总线终止和最小交叉耦合,带来高保真度的时钟信号。传统上,逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时,而双倍数据速率 (DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过速度翻了一倍,且系统功耗增加极少。   高数据速率要求时钟分配网络设计要倍加小心,以此来最小化振铃和反射效应,否则可能会导致对逻辑器件非有意计时。 图 1 显示了两种备选总线终止方案。第一种方案(A
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电源设计小贴士 41:<font color='red'>DDR</font>内存电源
DDR内存接口的设计与实现
1.引言 在当今的电子系统设计中内存被使用的越来越多,用来存放数据和程序。并且对内存的要求越来越高,要求内存读写速度尽可能的快,容量尽可能的大。面对这种趋势,设计实现大容量高速读写的内存显得尤为重要。 本文结合笔者承担的T比特路由器项目,对其中的大容量高速DDR内存接口的设计实现进行了详细阐述。本文第2节对与DDR内存相关的知识做了简单的介绍,从总体上对DDR内存有个认识;第3节阐述了DDR内存接口模块的整体设计;第4节对整个设计中的关键设计地址产生逻辑进行了详细阐述;最后总结全文。 2.DDR内存相关知识介绍 DDR SDRAM是双数据率同步动态随机存储器的缩写。它能够在一个时钟周期内传送两次数据,也就是说数据速率是时钟频
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DDR3为存储器应用带来新的技术优势
主流存储器从FPM和EDO到SDR和DDR,再到DDR2 ,这种发展带来了先进的架构、更高的密度、更快的速度、更低的电源电压、更高的带宽和更低的功耗。 这些显著的技术进步提升了DRAM技术—尤其是将运算市场部分提高到更高的性能水平。 DRAM技术上取得的进步伴随着多内核处理器的出现、新的操作系统,以及跨多种不同运算平台和应用的越来越多的不同要求,包括服务器、工作站、海量存储系统、超级计算机、台式电脑和笔记本电脑和外设。存储器技术的每次转变,对存储器的考虑都变得越来越复杂,但是如果清楚了解了主流的存储器如何发展的,以及其中出现的一些折中,设计师就可以选择能很好地满足他们的平台、操作系统和应用的高性能存储器。 速度问题 在DD
[应用]
基于Hyperlynx的DDR2嵌入式系统设计与仿真
    现代电子设计和芯片制造技术正在飞速发展,电路的复杂度、元器件布局以及布线密度、开关速度、时钟和总线频率等各项指标参数都呈快速上升趋势。当上升时间超过传输延时的1/6时,反射、串扰、振荡以及传输线效应等涉及到的时序、信号完整性(SI)、EMI等一系列问题决定着产品设计的成败。特别是DDR2系统,可支持高达9.6 GB/s的带宽(FB-DIMMs),时钟频率高达0.9 GHz ,高速DDR2系统的信号完整性和时序问题,己经成为设计能否成功的关键因素之一。因此,在印制电路板(PCB)设计完成之前,运用仿真工具对PCB进行板级的信号完整性仿真和时序分析,进行分析和设计的优化,可以发现调试过程中可能产生的问题,从而可节约成本、缩短产
[嵌入式]
Rambus 发布第二代 RCD 时钟芯片,为 DDR5-5600 服务器内存打造
10 月 15 日消息,美国内存 IP 厂商 Rambus 今日宣布推出第二代 RCD 时钟芯片(registering clock drivers),为下一代 DDR5-5600 服务器内存条打造。该产品可以用于 DDR5 RDIMM 和 LRDIMM 内存,可结合数据缓冲器 data buffers 使用,相比无缓冲的 DIMM 内存带宽、容量更高,性能更强,实现 5600 MT/s 的数据传输速率。此外,RDIMM 和 LRDIMM 内存,可以减少 CPU 的负载,提高信号的完整性。 Rambus 这种 RCD 时钟芯片放置于内存条的正中央,可以同时满足双通道的需求。图中可以看出,每两个 DRAM 颗粒搭配一个 DB 缓
[半导体设计/制造]
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美光宣布DDR5明年量产
        当前显卡显存已经发展到GDDR5X和HBM2,而DDR4系统主存仍在普及过程中,我们不难看到DDR3的内存仍旧有着活跃的身影。不过,去年四月内存标准指定机构JEDEC表示新规范已开始着手,DDR5内存标准将在明年完成。         虽然到目前为止DDR5的标准规范仍在制定过程中,但Cadence于今年5月已宣布业内首个DDR5内存的IP接口芯片,包括控制器和PHY物理层,采用台积电7nm工艺制造,运行频率达4400MHz,相比目前商用最快的DDR4-3200快将近37.5%。正如DDR4内存频率从2133MHz一路走到3200MHz,4400MHz对于DDR5来说可能只是个起步,预计最终可达到6400MHz
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Exynos4412裸机之DDR-SDRAM中重定位
上一此实验我们讲解了如何对代码进行重定位,但是将代码重定位到只有256K的IRAM中作用不大。正确的做法是将代码重定位到容量更大的主存中,即DRAM中。 Exynos4412中有两个独立的DRAM控制器,分别叫DMC0和DMC1。DMC0和DMC1分别支持最大1.5GB的DRAM,它们都支持DDR2/DDR3和LPDDR2等,512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, 4 Gb and 8 Gbit的内存设备,支持16/32bit的位宽。DRAM0 对应的地址是0x4000_0000~0xAFFF_FFF共1.5GB,DRAM1 对应的地址是0xA000_000~0x0000_0000共1.5GB。 DRAM控制器地址映射 Ti
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最大限度地减小汽车 DDR 电源中的待机电流
当您打开一部笔记本电脑或者智能手机时,会料到其启动需要等待一点时间,但是当您启动车辆时,就不太会有那么大的耐心了。对于汽车,消费者的期望是能够立刻使用计算机电子设备 (包括导航和信息娱乐系统),汽车制造商则运用可缩短启动时间的设计策略来努力满足消费者的这一愿望。其中的一种策略是始终把动态存储器 (RAM) 保持在运行模式,即使在点火关断状态下也不例外。 汽车中使用的 DDR3 存储器采用一个 1.5V 电源轨运作,具有 2A 以上的峰值负载电流 (为尽量减少热耗散,最好利用一个高效率 DC/DC 转换器)。在这些应用中,当汽车不处于运行状态时,轻负载效率对于维持电池寿命同样是重要的。在待机时,DDR 存储器可从 1.5V 电源轨消
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