Kilopass推出VLT技术颠覆全球DRAM市场-电子工程世界

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近年来，无论是国内还是国外的政府都对半导体产业进行大力投资，使得推动了半导体公司的加速发展。由于全球智能手机持续热销，半导体存储器DRAM（动态随机存取存储器）产业更是受到了高度关注。作为今天ICT领域内最重要的半导体器件之一，全球DRAM市场规模和激烈竞争使所有的DRAM制造商必须在全球范围内具有竞争力和创新能力。而近日Kilopass公司在中国发布其颠覆性的VLT DRAM技术与IP解决方案。该技术将彻底改变DRAM产业格局，进而颠覆全球DRAM市场。

Kilopass首席执行官Charlie Cheng在此次会议上说道：“Kilopass以一次性可编程（OTP）存储器技术的领导者而闻名，我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新，我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

据悉，晶闸管是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器；与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明，之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场，但都未能成功。

Kilopass的VLT通过垂直方式实现晶闸管架构，从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件，构造出制造工艺简单的交叉点内存，这将带来一项与DDR标准兼容，并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。

此外，因为VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍将性能提高15%。最为关键的是，VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突，这一点具有很重要的战略意义。

据了解，Kilopass科技有限公司是半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）知识产权（IP）产品领先提供商。是一家非常成功的公司，其商业模式和在前一段时间软银拿数百亿美金收购的ARM一样，都是采用为芯片设计和制造公司提供作为设计单元组件的“知识产权”又称IP产品。Kilopass得到了当今许多知名品牌的信赖，其技术已被超过170家企业客户所采用，至今已累计售出100亿块包含Kilopass技术的芯片，涉及400多种芯片设计，应用范围涵盖了工业、汽车、消费电子产品、移动设备、模拟和混合信号以及物联网（IoT）等。而本次 Kilopass推出其革命性的垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor, VLT）技术。VLT存储单元在2015年就已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。希望Kilopass的VLT DRAM技术在不远的将来为我们的手机、电脑和服务器带来更多的创新。

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