太快啦！IBM和三星联合打造出5nm芯片

据外媒报道，IBM及其合作伙伴格罗方德(GlobalFoundries)和三星合作打造出了具有突破性的5纳米芯片。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。

这是一个了不起的技术成就，尽管在短期内它还无法投入商用。它可以在一个手指甲大小的芯片上安装300亿个晶体管。研究人员称，这个成就将会让规模达3300亿美元的芯片行业继续按照摩尔定律的规律进行发展。摩尔定律是1965年英特尔创始人戈登-摩尔(Gordon Moore)提出的一种理论，它预测芯片上的晶体管数量每隔几年就会增长一倍。

太快啦！IBM和三星联合打造出5nm芯片

在日本东京举行的2017年超大规模集成电路技术研讨会上，IBM详细介绍了它的这个研究成果。两年前，IBM研究人员推出了7纳米的节点测试芯片，上面安装有200亿个晶体管。1纳米等于1米的十亿分之一。5纳米只有几个原子厚。

目前，最先进的芯片使用带有10纳米宽电路的FinFET制程。英特尔等公司已能够用FinFET制程打造安装有100亿或150亿个晶体管的芯片。

IBM研究部门的半导体技术研究副总裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)称，5纳米芯片的速度要比10纳米芯片快大约40%，效能提高75%。

“这是7纳米技术之外的重大创新成果。”哈雷说，“这是设计上的创新，它让你整合了更多的晶体管。”

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IBM称，性能的提高将可以加速认知计算能力、物联网和其他云端数据密集型应用程序的发展。能耗的节省也意味着智能手机和其他移动设备中的电池充一次电使用的时间将比现在的设备长一两倍。

IBM在纽约州立大学理工学院纳米科学与工程学院领导了一个名为Research Alliance的研究项目。该项目的科学家们取得了突破性的进展，他们的晶体管采用叠加的硅纳米薄片，而不是标准的FinFET架构——7纳米芯片的设计标准。

IBM还表示，性能大大提高的5纳米芯片能将能够满足人工智能、虚拟现实和移动设备的未来需要。

纳米薄片代表了一种新的发展方向。但是哈雷称，IBM研究部门已对此研究了10多年。哈雷相信，有了这种技术，芯片行业将可以每两三年取得一个大的进步。

“我们将会继续创新，确保按照摩尔定律的规律来不断取得新的进步。”哈雷说，“这一切证明，只要适当的投资，我们就可以继续推进半导体技术发展。5纳米芯片就是这样打造出来的。”

三年前，IBM宣称它将会在未来五年内投资30亿美元用于芯片研发。5纳米芯片就是它的研究成果之一。现在，IBM研究部门拥有12个实验室，逾3000个研究人员。

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