三星电子今天宣布,已经开始批量生产64层256Gb V-NAND闪存芯片,该闪存芯片将用于服务器,PC和移动设备。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。
三星在今年一月份开始为主要IT客户生产基于64层256Gb V-NAND芯片的业界首款SSD,64层V-NAND芯片也被认为是第四代V-NAND芯片,数据传输速度达1Gbps,具有业界最短的500微秒(?)的烧录器烧录单个芯片的时间(tPROG),比典型的10纳米(nm)级的平面NAND闪存快约四倍,比三星最快的48层3位256Gb V-NAND闪存的速度快了约1.5倍。
三星表示,与之前的48层256Gb V-NAND相比,新的64层256Gb 3-bit V-NAND提供了超过30%的生产率增益。此外,64层V-NAND的电路具有2.5V输入电压,与使用48层V-NAND的3.3伏相比,能量效率提高了约30%。此外,新的V-NAND电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。
三星还表示,基于其64层V-NAND的成功,三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列,以生产具有1Tb以上容量的V-NAND芯片。
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三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片
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三星Galaxy Note5现官网 配光学防抖
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三星Galaxy Note5现身官网 配光学防抖相机
该文档解释了配备了光学防抖摄镜头的前置相机会上下浮动的问题,而不出意外的话,三星只会在Note5这样的高端机型上才会配备前置光学防抖相机。
三星Galaxy Note5现身官网 配光学防抖相机
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去年全球智能机出货量5.452亿部 三星居首
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[手机便携]
三星全球第一的芯片工厂开张,主要生产3D NAND闪存
使用他们的标准芯片组,因此并没有充分降低成本和功耗。然而,随着Marvell的802.1BR兼容端口扩展器IC(称为PIPE——被动式智能端口扩展器)的推出,网络交换真正的模块化方法取得了飞跃,实现了与所有业界领先OEM厂商控制桥接交换机的互操作。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 现代生活方式对于云计算和存储基础设施越来越依赖。无论是在家里、工作中,还是我们随身携带的智能手机和其他移动计算设备,对云计算和存储的需求都无处不在。特别是大数据和物联网的快速发展,对这类基础设施的需求以惊人的速度在增长。随着应用和用户数量的增加,其年增长率大概是每年30倍,某些情况下甚至高达100倍。如此的高增长率使得摩尔定律和新芯片开发
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三星11nm FinFET欲登场,台积电的大麻烦?
公司表示, 11nm LPP或者11LPP是从上一代14nm工艺进一步发展而来,它能提供15%的性能提升,减少10%面积,但功耗却保持不变。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。 三星 补充道:使用该制程的产品将在2018年上半年才开始。 这位韩国科技巨头在去年年底就为自己的芯片和客户提供了先进的10nm工艺,目前也在为最新的Galaxy Note 8的处理器使用第二代10nm工艺。 三星 表示,10nm工艺是针对旗舰手机的处理器,而11nm则将被用于中高端手机。将为客户提供“更广泛的选择”。 三星 正在与台积电进行10nm工艺竞争,并将成为第一个部署7nm制程的公司。 得益于
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