不怕断电死机！来看看万能存储器神奇在哪里？

大家是否经常会遇到这种情况：电脑突然死机，但重要数据都还没有储存?出门在外关键时刻想用手机却发现早已没电?据报道，近日，北京航空航天大学已经成功制备了国内首个80纳米“万能储存器”的核心器件——国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件(STT-MRAM)。等这项技术应用后，以上这些麻烦事或许都可以迎刃而解了。那么，这款“万能储存器”究竟是何方神圣?他有什么神奇之处呢?下面就随钱日升小编一起来了解一下相关内容吧。

储存器及储存系统是指什么?

要理解“万能存储器”的功能和特点，我们得先了解一些存储器的常识。我们都知道，存储器是电子系统的重要组成部分。千龙网介绍，目前绝大多数电子系统采用寄存、主存加硬盘的存储体系结构。与之相对应的、实现这种存储体系的技术是静态随机存储器(SRAM)、动态随机存储器(DRAM)、闪存(Flash)或硬盘(HDD)。

具体来说，在一台电脑中，静态随机存储器对应的是CPU内的存储器，速度很快，但容量小;动态随机存储器对应的是电脑主板上的内存条;闪存或者硬盘对应的则是电脑里的固态硬盘或者机械硬盘，其特点与静态随机存储器刚好相反，它速度慢，但容量大。三者比较而言，前两者属于易失性存储器，一旦断电数据就会丢失，而后者即使断电数据也不丢失。传统的存储方式中，数据需要分级存储，同样在使用时也要分级调取。

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“万能储存器”(STT-MRAM)：

自旋转移矩-磁随机存储器(STT-MRAM)是一种接近“万能存储器”的新型存储器解决方案，极具应用潜力。它既具有接近静态存储器的纳秒级读写速度，又具有闪存级别的容量，和类似Flash的数据断电不丢失存储特性。STT-MRAM由于其数据以磁状态存储，具有天然的抗辐照、高可靠性以及几乎无限次的读写次数，已被一些国家列为最具应用前景的下一代存储器之一。

北京航空航天大学与中科院微电子所的联合研发团队经过科研攻关，在STT-MRAM关键工艺技术研究上也实现了重要突破，在国内率先成功制备出直径为80纳米的“万能存储器”核心器件，该器件性能良好，相关关键参数达到国际领先水平，未来将有望应用于大型数据中心，降低功耗，还可用于各类移动设备，提高待机时间。

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