存储器涨价，并不是谁的错

存储器行业正处于强劲增长的阶段。Yole在其《2017年存储器封装市场与技术》报告中预计，2016~2022年整个存储器市场的复合年增长率约为9%，到2022将达到1350亿美元，DRAM和NAND市场份额合计约占95%。此外，供需失衡正推动存储器半导体芯片价格上涨，导致存储器IDM厂商获得创纪录的利润!

存储器的需求来自各行各业，特别是移动和计算(主要是服务器)市场。平均而言，每部智能手机的DRAM内存容量将增长三倍以上，预计到2022年将到6GB左右，而每部智能手机的NAND存储器容量将增加5倍以上，预计到2022年将达到150GB以上。对于服务器来说，预计到2022年DRAM存储器容量将达到0.5TB以上，企业级市场SSD的NAND存储器容量将高达5TB以上。这些市场的增长驱动力来自深度学习、数据中心、网络、AR/VR和自动驾驶。

智能手机和服务器的DRAM和NAND容量需求

通常使用低密度(low-MB)存储器的汽车市场将会出现以自动驾驶和车载信息娱乐为主导的DRAM内存的采用。此外，NOR闪存市场正在复苏，预计将以惊人的16%复合年增长率成长，预计到2022年将达到44亿美元，主要原因是其在如AMOLED显示器、触摸显示驱动器IC和工业物联网等新领域的应用。

在供应端方面，因为供应商的整合和技术挑战造成先进节点的推行较难，并且从2D转移到3D NAND的过程中需要大量投资，所以导致DRAM和NAND存储器供应的短缺。DRAM厂商希望维持较高的产品售价和盈利能力，以合理化他们在先进节点迁移方面的巨额资本支出，因此倾向不会增加产能。

存储器芯片使用多种封装技术，从引线框架到硅通孔(TSV)

存储器芯片的封装有多种选择，包括从引脚数少、外形小的SOP封装到引脚数多的硅通孔(TSV)等各种封装技术，而这些技术的选择取决于密度、性能和成本等产品要求。Yole分析确定了五个核心存储器芯片封装平台：引线框架、引线键合BGA、倒装芯片BGA、晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)、硅通孔(TSV)。每种技术都包括许多不同的变化形式，并拥有不同的术语。我们预计2016~2022年整个存储器芯片封装市场的复合年增长率为4.6%，2022年将超过250亿美元。

存储器芯片的封装类型

2016年，引线键合BGA占据存储器芯片封装市场的80%以上份额。同样是在2016年，倒装芯片BGA开始进入DRAM存储器芯片封装市场，预计未来五年将以20%的复合年增长率成长，将占据整个存储器芯片封装市场的10%左右市场份额。随着高带宽需求的推动，DRAM PC/服务器领域的应用日益增多，推动了倒装芯片市场的增长。三星电子(Samsung)已经将其90%以上的DRAM芯片封装转换为倒装芯片，SK海力士也开始转型，其它厂商未来也都将逐步采用倒装芯片。事实上，我们相信所有用于PC/服务器的DDR5存储器最终都将使用倒装芯片。

由于高带宽和存储器芯片对各种应用中的高性能计算的低延迟需求，硅通孔(TSV)正被用于高带宽存储器芯片中。2016年硅通孔(TSV)市场在存储器芯片封装市场中的份额不到1%，但是未来五年的复合年增长率超过30%，预计到2022年，硅通孔(TSV)市场份额将达到8%。同时，晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)将被NOR闪存和利基市场的存储器(EEPROMs / EPROM / ROM)采用，预计其复合年增长率超过10%，不过到2022年，晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)市场份额还不到1%。

对于移动应用，存储器芯片封装将主要维持在引线键合BGA平台上，但是，将很快开始向高端智能手机的多芯片封装(ePoP)迈进。NAND闪存芯片的主要要求是低成本的高存储密度。NAND采用引线键合堆叠形式，以便在单个封装中提供高密度。

NAND闪存芯片封装将保持采用引线键合BGA形式，不会迁移到倒装芯片。但是，东芝将开始在NAND闪存芯片中使用硅通孔(TSV)来提高高端应用的数据传输速率。在东芝之后，我们相信三星电子和SK海力士将会推出硅通孔(TSV)封装的NAND芯片。

存储器芯片封装的价值很高，主要被IDM“把控”

2016年存储器芯片封装市场规模约为200亿美元。虽然许多外包半导体封装测试厂商(OSAT)涉足存储器芯片封装业务，但是80%以上的封装仍在存储器芯片IDM厂商内部完成。全球领先的IDM厂商在封装方面拥有相当丰富的知识，积累了多年的项目经验，并拥有强大的内部制造能力。

2016~2022年存储器芯片封装市场

OSAT厂商受到IDM厂商影响，在存储器芯片封装业务的机会有限。然而，许多中国厂商正在投入超过500亿美元的资金进入存储器领域。与全球领先的IDM厂商不同，中国新兴的厂商缺少存储器芯片封装的经验，他们将会把封装业务外包给OSAT厂商。