最近一个多月的时间内,尤其是双11之后,内存价格开始普遍下滑,而且幅度相当夸张,最高甚至接近30%。好消息是,闪存也终于要迎来降价了。日前,集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季度需求端面临传统淡季冲击,包括平板电脑、笔记本电脑、中国大陆品牌为主的智能手机需求量较2017年第四季下跌将超过15%,服务器需求相对持平。
与此同时,NAND闪存供应商仍在不断提升3D NAND闪存的产能已经良品率,位元(Bit)产出增长较今年第四季度高5%。结合需求下降,预计NAND闪存市场将在2018第一季度进入供过于求的状态。
DRAMeXchange指出,2018年第一季度,固态硬盘、闪存颗粒以及晶片价格将出现翻转走跌。
时间回到2017年上半年,第一季度,各大闪存厂都在进行2D NAND闪存向3D NAND闪存演进,导致超能下跌,加上国产手机品牌华为、OPPO、vivo等备货需求强劲,进一步加剧了NAND闪存的缺货状况,包括EMMCM、UFS闪存、消费级SSD以及企业级SSD价格都有至少10%以上的涨幅。
到了第二季度,国产手机品牌表现不及预期,NAND闪存价格涨幅因此较第一季度趋缓。
进入2017年下半年,在第三季度苹果iPhone X上市以及服务器市场需求的带动下,整体供应缺口进一步扩大,但NAND闪存经过一轮又一轮的上涨之后,已经达到了OEM厂商所能接受的上限,所以价格调涨空间受限。
第四季度,服务器市场需求有所放缓,仅剩下苹果新机需求较为郊外旺盛,加上3D NAND闪存一直在扩产,市场趋向供需平衡状态,闪存价格持平或小涨。
2018年第一季度,NAND闪存重新进入供过于求市况,终端产品有望进行降价,手机厂商采用UFS闪存、笔记本厂商采用PCIe接口SSD的意愿将得到加强。
关键字:内存 NAND闪存
引用地址:
内存价格开始下滑:最高接近30%
推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 02:08
OK6410A 开发板 (八) 48 linux-5.11 OK6410A linux内存管理总览
linux内存管理 总览 进程 与 内存管理 linux 内存 从 内存类型角度分为 A. 虚拟内存 B. 物理内存 linux 内存 从 管理角度分为 A. 用户内存 B. 内核内存 从而 正交 形成了 4种 1. 内核物理内存 由 struct page 管理, 不同的 内存模型 有不同的管理方式 // CONFIG_FLATMEM CONFIG_DISCONTIGMEM CONFIG_SPARSEMEM_VMEMMAP CONFIG_SPARSEMEM 2. 内核虚拟内存 由 四种方式() 管理 // 直接(线性)映射 vmalloc动态映射 持久映射kmap 固定映射f
[单片机]
长江存储还将研发国产DRAM内存:直奔20/18nm工艺
紫光旗下的长江存储科技已经研发出了国产32层堆栈的3D NAND闪存,预计2018-2019年间量产,2020年技术上有望赶超国际先进水平。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 紫光旗下的长江存储科技已经研发出了国产32层堆栈的3D NAND闪存,预计2018-2019年间量产,2020年技术上有望赶超国际先进水平。解决了NAND芯片之后,长江存储下一步就要积极进军DRAM内存领域了,1月份开始担任长江存储执行副董的高启全日前对外表示长江存储已经组建了500多人的研发队伍,正在研发自己的DRAM制造技术,报道还称国产DRAM很有可能直接进入20/18nm先进工艺时代。 长江存储还将研发国产DRAM内存:直奔20/
[半导体设计/制造]
简单的办法来实现STM32分块式内存管理
一、内存管理简介 内存管理,是指软件运行时对计算机内存资源的分配和使用的技术。其最主要的目的是如何高效,快速的分配,并且在适当的时候释放和回收内存资源。内存管理的实现方法有很多种,他们其实最终都是要实现 2 个函数:malloc 和 free;malloc 函数用于内存申请,free 函数用于内存释放。本章,我们介绍一种比较简单的办法来实现:分块式内存管下面我们介绍一下该方法的实现原理,如图 42.1.1 所示: 内存管理表的项值代表的意义为:当该项值为 0 的时候,代表对应的内存块未被占用,当该项值非零的时候,代表该项对应的内存块已经被占用,其数值则代表被连续占用的内存块数。比如某项值为 10,那么说明包括本项对应的内
[单片机]
单片机存储器总结以及内存数据存储
存储器分类如下: 单片机变量存储如下:
[单片机]
全球内存芯片产值将突破千亿美元,居然是“泡菜国”称霸市场?
EEWORLD 电子资讯 犀利解读 技术干货 每日更新 众所周知,现在科技行业的发展一定与芯片离不开关系,因为在科技行业中需要用到芯片的地方实在是太多太多,基本上只要是电子产品都需要芯片的支持才能正常运转,但是在芯片中也分为低端芯片与高端芯片。 目前我国虽然是一个芯片大国,但并不是一个芯片强国,因为我国能够自主研发并生产出来的芯片基本上都是低端芯片,在中高端芯片领域的成就与真正的芯片强国来比差距还非常之大,毕竟我国在处于起步阶段,而那些芯片强国早已有几十年的研发历史。 诸如像英伟达、AMD、高通、德州仪器这些芯片厂商能够有今天的成就也是与其多年在芯
[半导体设计/制造]
内存芯片厂商提出新设计欲破摩尔定律
很多厂商都设计出了未来的闪存技术,但谁能够首先推出产品呢? Spansion表示,其MirrorBit和Ornand闪存芯片的基础是电荷捕获技术,这一技术为闪存产业继续缩小芯片尺寸、提高闪存芯片性能提供了一条途径。 Spansion CEO伯特兰向CNET News.com表示,Spansion已经生产出了采用电荷捕获技术的闪存芯片。Spansion已经启动了一项营销活动,希望向其它制造商许可一些技术。 伯特兰说,三星、东芝、Hynix公开表示对电荷捕获技术有很大的兴趣。我们拥有这一技术的一些基础性专利,这不是一种很容易就开发出来的技术,我们开发它已经有数年时间了。 电荷捕获技术能够被应用到NOR和NAND闪存芯片中。尽管
[焦点新闻]
jz2440裸机开发与分析:串口编程4之struct内存占用介绍
由于在x86(32位机器)平台下,GCC编译器默认按4字节对齐, 如:结构体4字节对齐,即结构体成员变量所在的内存地址是4的整数倍。 可以通过使用gcc中的__attribute__选项来设置指定的对齐大小。 1): attribute ((packed)),让所作用的结构体取消在编译过程中的优化对齐, 按照实际占用字节数进行对齐。 2): __attribute((aligned (n))),让所作用的结构体成员对齐在n字节边界上。 如果结构体中有成员变量的字节长度大于n, 则按照最大成员变量的字节长度来对齐。 代码如下: struct person{ char *name; int age; char s
[单片机]
SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产
4 月 9 日消息,据韩媒 Businesskorea 报道,SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存的量产。 进入 20~10nm 制程后,一般以 1 + 字母的形式称呼内存世代,1c nm 即对应美光的 1-gamma nm 表述,为第六个 10+ nm 制程世代。三星方面称呼上一世代 1b nm 为“12nm 级”。 三星近期在行业会议 Memcon 2024 上表示,其计划在今年年底前实现 1c nm 制程的量产; 而近日据行业消息人士透露,SK 海力士内部已制定在三季度量产 1c nm DRAM 内存的路线图。 SK 海力士计划提前做好准备,在 1c nm 内存通过行业验证后立即向微软、亚马逊
[半导体设计/制造]