普冉王楠:三大产品系列存储器让公司在利基市场扎根

发布者:JFET最新更新时间:2018-06-11 来源: EEWORLD关键字:普冉  存储器  NOR存储器 手机看文章 扫描二维码
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近日,在2018松山湖﹒中国IC创新高峰论坛中,来自普冉半导体(Puya)总经理王楠介绍了公司最新推出的业界最低功耗、全电压范围、面向物联网应用的QSPI Flash存储器P25Q32U。


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          普冉半导体(Puya)总经理王楠


王楠表示,公司定位是利基市场存储器,目前主要覆盖三方面产品,包括超低功耗SPI Flash,串行EEPROM以及面向金融高安全Flash。

王楠认为,随着IoT市场的发展,智能硬件智能家居市场以及手机的3D结构光市场需求大幅攀升,对于内部Flash提出了更高要求,包括更低功耗、宽电压范围、灵活的操作模式、高可靠性以及更低成本等五大要求。

普冉最新的P25Q32U超低功耗全电压Flash正是基于满足以上要求所设计的。该产品是产业界第一颗采用Charge Trapping技术的55nm 32Mb Flash,Diesize仅为3.1mm2,工作电压为1.6V-3.6V,休眠功耗为100nA@120MHz,完全符合IoT市场的低功耗,高灵活性等需求。

最重要的改进就是工艺,从传统浮栅结构变为Charge Trapping结构,更加简单、擦除电压更低,同时提高了本征良率。


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          普冉微电子的Charge Trapping与传统ETOX工艺区别,栅极结构更简单,擦除相对容易


而在产品架构设计上,整个Flash围绕着Ono和Charge Trapping技术,采用自适应电压管理系统,以及线性技术化高压控制,可以把之前分立系统转换成线性,从而实现输出为零的ripple。

王楠表示,P25Q系列产品组合从1Mb到32Mb,目前累计出货量达3亿颗,被广泛用于NB-IoT、蓝牙、电网、可穿戴及手机等领域。

“P25Q系列和嵌入式Nor在产品规格上完全兼容,同时又有更低的功耗,其目标就是在低功耗应用中取代传统的Nor存储。”王楠说道。

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