推荐阅读最新更新时间:2024-10-12 08:41
东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
8月26日消息,据外媒electronicsweekly报道,东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工,应对未来NAND Flash扩产需求;该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。 东芝公司表示:“公司将扩大五号半导体制造工厂(Fab 5)工厂制造空间,以应对未来NAND Flash扩产需求,并为下一代工艺技术和日后投产3D NAND Flash预先做好准备;此次扩建将在明年夏天完成。” 据悉,东芝于日本三重县四日市已拥有三座晶圆厂,大规模量产NAND Flash,其中包括五号半导体制造工厂第一阶段厂房。 NAND市场领导者三星在本月早些时候宣布推出第一款基于3D垂直NAND(
[半导体设计/制造]
集邦:首季NAND Flash产业营收季长8.3%
根据集邦咨询内存储存研究(DRAMeXchange)调查,2020年第1季NAND Flash位出货量较前一季大致持平,加上平均销售单价上涨,带动整体产业营收季成长8.3%,达136亿美元。 延续去年第4季开始的数据中心强劲采购力道,第1季Enterprise SSD仍是供不应求。此外,自年初起,各供货商当时的库存水位多已恢复至正常,也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情,根据集邦咨询当时的调查,服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑和智能手机,数据中心需求也因此受到的影响有限。 不过笔记本、台式机以及手机品牌厂生产进度和物料则受到零部件供应链与物流链断链影响,在3月后开始陆续恢复生产。 展望第2季,远程服
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污染事件美光媒体各执一词,美光郑重声明澄清
集微网消息,针对近日市场上传出美光旗下桃园厂的相关传闻,美光于昨天发布声明郑重澄清,美光桃园厂并无发生氮气外泄事件,也并无撤离厂区人员,仅有些微厂务状况,且已经迅速恢复运作,美光相关业务并无受到任何实质影响。 美光桃园厂为美光全球DRAM生产据点之一。 美光表示,作为全球内存大厂,美光的生产据点遍布全球,已能及时应对各种厂务需求,并确保将单一据点之突发状况对营运的影响力减至最低,以维持整体良好运作。 不过,台媒报道,根据协助的设备商透露,美光的N2厂遭到污染事件,比想象还严重,到昨天为止还是全数停工状态。 据了解,美国桃园厂N2十二吋厂这次发生氮气污染,主因是供应制程所需的氮化纯化厂,未做到纯化氮气,导致水气渗入,再输送到制程的生
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美光重申桃园厂已恢复生产 对业务无实质影响
集微网消息,美光桃园厂传因氮气纯化厂意外停工,因需更换设备,市场担心短期恐无法复工;美光昨天再度发出声明重申,桃园厂 7 月 1 日发生些微厂务状况,已经恢复生产。 美光强调,该事件对美光的业务与履行客户的承诺并无实质影响,也并未造成环境及员工安全相关问题;美光将持续监控情况,并视需要向客户及供货商作回报。 美光桃园厂先前传出因氮气外泄停工,导致该厂区近半数、约 6 万片晶圆报废,厂房停工中,引发业界高度关注。 台湾美光发出书面声明强调,桃园厂并无发生氮气外泄事件,也无撤离厂区人员,仅有些微厂务状况,但已迅速恢复运作,相关业务并无受到任何实质影响。 关于台湾美光的意外污染事件,昨天根据台湾《科技新报》报道,台湾美光受污染的产线最快
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三星未来两年或追投西安3D NAND厂43亿美元
集微网消息 据海外媒体报道,传三星电子于2017~2018年,将大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元),以迎接存储器市场史上最大需求热潮。 Chosun Biz日前引述业界消息指出,三星与大陆政府正针对西安厂第二期投资进行商议,2017年三星可望与西安市签署第二期投资及相关合作备忘录。三星于2012年开始在西安厂的第一期投资与现在的第二期投资,皆用于打造3D NAND Flash生产所需设备及人力费用。 三星目前只使用西安厂腹地约34万坪中的20%,且现有设备的产量已达理论最大值。设备业者认为,三星西安厂启动3年后的现在,以投入晶圆为基准计算,其3D NAND Flash晶
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Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器
Marvell最近推出了一款全新的低成本小尺寸SSD控制器88NV1160,该芯片可用于设计以M.2和BGA封装的小尺寸SSD。88NV1160支持当今和未来各种类型的NAND闪存,LDPC纠错功能,NVMe协议和当今SSD控制器的其他各种特性,无需外部DRAM缓存,因此可减少未来SSD的BOM成本。 Marvell 88NV1160是一个4通道控制器,支持PCIe 3.0 x2接口、NVMe 1.3协议(除了AHCI之外),以及多种类型的NAND闪存,包括15nm TLC、3D TLC以及带ONFI 3.0接口、速率达400MT/s的3D QLC。88NV1160控制器由双核ARM Cortex-R5 CPU驱动,同时配备带硬
[电源管理]
Kilopass凭借其革命性的VLT技术改变DRAM产业格局
中国北京 2016年10月11日 半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术,进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证,目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术,并正与DRAM制造商进行许可协商。 Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名,我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新, Kilopass首席执行官Charlie Cheng说道。 我们的VLT技
[嵌入式]
DRAM过剩 海力士加速关闭200毫米晶圆厂
海力士半导体公司(Hynix)近日宣布了该公司加速引退其200毫米晶圆厂的计划,表示将将于本月底关闭位于韩国Icheon的M7工厂。海力士此前宣布过关闭两个200毫米工厂,一个位于韩国Cheongju,另一个位于Ore的Eugene。 海力士表示,该公司位于中国的无锡的最后一个200毫米工厂,将调低原计划为每月13万片晶圆的产量,并重点放在特殊产品。该无锡工厂的减产将导致了海力士200毫米晶圆总产量到2009年初减至该公司所有产能的10%,而2007年年底的该数据为50%。 海力士的整体产能将随着工厂关闭减少30%,其DRAM和NAND闪存产能分别减少了20%和40%。海力士表示,该公司的大多数DRAM和NAND生
[焦点新闻]