SRAM单元密度提高20%多，有望于 2023 下半年某个时刻完工

英特尔宣布了两项重大的投资计划，旨在打造更加可持续的数据中心技术。据悉，这家总部位于圣克拉拉的芯片巨头，将耗费超过 7 亿美元，以建造一座 20 万平方英尺的研发设施。更确切地说，该实验室将着力于解决热回收与再利用、浸没式冷却、以及提升用水效率等问题。

其次，该实验室将测试并验证至强(Xeon)与傲腾(Optane)旗下的英特尔数据中心产品线、以及 Agilex FGPA 和 Xe 架构产品。客户与合作伙伴将能够参观这座实验室、并产看英特尔产品在数据中心环境中的实际运行状况，以评估其是否适合自己的运营需求。按照计划，这座研究实验室将于今年晚些时候在俄勒冈州希尔斯伯勒(Hillsboro， Oregon。)的琼斯农场(Jones Farm)园区开建。如果一切顺利，英特尔有望于 2023 下半年的某个时刻完工。

据报道，采用Intel 4工艺制造的芯片在使用相同耗电的情况下，能够提供比英特尔现有芯片高出21.5%的时钟速度，或者，可以牺牲速度上的一部分提升，换取更高的能源效率。据英特尔估计，Intel 4芯片可以提供与当前处理器相同的时钟速度，同时功耗降低40%。

芯片上的晶体管可以执行多项任务。一些晶体管被组织成逻辑单元，用于对数据执行计算操作的电路，其他一些晶体管则被组织成SRAM单元，用作芯片的板载存储器，保存正在处理的数据。

Intel 4提供的逻辑单元密度是上一代芯片制造工艺的2倍，这样就能把更多计算电路集成到处理器中，从而提高性能，反过来SRAM单元密度也提高了20%多。

新的生产方式

Intel 4之所以能够提高速度，一部分原因是英特尔首次在工艺中使用极紫外光刻(EUV)技术——这种技术使用光束将晶体管图案雕刻成硅晶片。

EUV设备每台成本约为2亿美元，通过加热一小块锡来产生等离子体，从而产生光，这个过程每秒可重复数万次。芯片制造商利用EUV设备产生的光束，可以将更复杂的晶体管图案蚀刻到晶圆上，而且可靠性更高。

据英特尔称，在Intel 4工艺中使用EUV技术不仅有助于提高芯片性能，还可以减少制造错误。据英特尔表示，Intel 4减少了制造过程某些部分所涉及的步骤数量，从而让生产工作流程更为高效。

英特尔还改变了制造处理器所用的材料，以优化芯片的效率。此前，英特尔使用钴材料制造负责连接芯片不同部分的导线。而在Intel 4工艺中，这被一种称为增强型铜的材料取代，该材料是钴与铜的结合体，可提供更高的性能。

除此之外，英特尔还更新了芯片的晶体管设计。据报道，由于新互连技术的某些特性，英特尔设法在不降低性能的情况下从去除了晶体管设计中的一些组成部分。

需要容纳的组件减少了，这样就可以在芯片上放置更多的晶体管，从而提高性能，这一设计上的更新也是Intel 4能够提升速度背后的因素之一。

Meteor Lake

除了新的半导体制造技术之外，英特尔还预览了计划使用Intel 4工艺制造的首批芯片，内部代号为Meteor Lake系列。

据英特尔称，Meteor Lake处理器包括6个针对性能进行优化的CPU核心，以及8个针对能源效率进行优化的核心，此外还有一个集成的GPU，一个AI模块。首批Meteor Lake处理器预计将于2023年面市。

此外，英特尔计划将Intel 4工艺升级为更先进的制造技术——Intel 3，该技术将引入增强型的晶体管设计，并将更广泛地使用EUV技术。据估计，Intel 3的性能将比Intel 4高出18%。

英特尔新品也将带动整体硬件产业链配合升级，并逐步由服务器领域向PC OEM领域蔓延，服务器迎来系统性整体升级机遇，相关厂商有望在DDR4向DDR5的切换中受益。

实际上，放眼整个内存接口芯片市场，目前全球仅有三家供应商可提供DDR5接口芯片第一子代量产产品，分别是瑞萨电子、Rambus及澜起科技。

其中，RAMBUS与澜起科技均在日前透露DDR5产品相关情况。

RAMBUS公司Q1营收创下历史新高，公司对Q2展望颇为乐观，预计可实现产品收入4900万-5500万美元，同比增长58.06%-77.42%， 环比增长2.1%-14.58%。

同时，RAMBUS在电话会议上也透露，目前供不应求的情况依旧，DDR5 RCD产品正在量产之中，认证范围也在不断扩张。随着AMD与英特尔相关新品推出，DDR5需求将进一步增长。

财信证券上述报告指出，Rambus作为内存接口芯片主要参与厂商，其指引具备较强的参考意义。从中可以看出，即使英特尔与AMD新平台需待Q3才能发布，但前置性的生产与需求依旧推高内存接口芯片渗透率。

同样得益于DDR5相关产品出货，澜起科技去年Q4及今年Q4营收均实现同比高增。公司日前接受机构调研时表示，在支持DDR5的服务器CPU上量以前，预计DDR5行业渗透提升较为缓慢，而更大的渗透率爬坡预计在支持DDR5的服务器CPU规模上量之后。

目前，澜起科技DDR5第一子代内存接口芯片及内存模组配套芯片已实现量产，第二子代完成工程样片流片。公司透露，从市场反馈发现，DDR5内存接口芯片子代间的迭代速度在初期可能高于DDR4，预计第一子代今年将逐渐上量，同时第二子代将有一定样品需求。

值得注意的是，在DDR5内存接口芯片本身之外，与之配套的SPD EEPROM等产品需求增量也受到多家机构分析师看好。

A股公司中，聚辰股份与澜起科技的SPD EEPROM已于去年四季度实现量产。前者的一季报表现也印证了这一产品的需求量向好——公司Q1营收同比增幅超过50%，一大主要原因便是在DDR5内存条商用的驱动下，应用于DDR5内存模组的SPD EEPROM产品实现大批量出货。

另外，朗科科技近日也在互动平台透露，公司DDR5内存产品正处于小规模试产阶段。

芯片巨头英特尔本周提交的监管文件显示，英特尔股东在上周投票反对高管的薪酬计划，拒绝认可公司新任CEO基辛格(Pat Gelsinger)去年高达1.78亿美元的天价年薪。总计有占34%投票权的英特尔股东参与了投票。其中反对票高达62%(约占17.8亿股股票)，几乎是支持票(9.2亿股股票)的两倍。

股东的不满情绪还对准了董事会成员。此次股东大会投票结果还显示，英特尔董事艾莉莎·亨利(Alyssa Henry)只得到了50.4%的支持票，只能算勉强批准续任董事职位。股东对她的不满主要在于不够专注，她本职工作是Block执行副总裁，但还同时出任了英特尔、大数据公司Confluent以及游戏公司Unity等公司的董事会成员。

不过，高管的薪酬标准是由英特尔薪酬委员会确定，由董事会批准的。股东大会投票只能起到建议的作用，并没有强制性。去年股东大会的时候，英特尔股东也对高管薪酬投了反对票。因此，基辛格去年和今年的薪酬并不会受到影响。

虽然股东投票并没有强制执行力，但也会给英特尔施加来自资本市场的舆论压力。尽管股东不能直接迫使英特尔给高管降薪，但是失望的他们会用钱包投票，直接影响到英特尔的股价。对于股东的投票结果，英特尔回应说，“公司薪酬委员会认真考虑股东投票的结果，高度专注于汇集与回应股东就公司高管薪酬的反馈。”

然而，英特尔多数股东嫌弃薪酬太高的这位CEO，却是他们去年翘首期盼的“救世主”。

去年1月，英特尔董事会突然宣布换帅。原VMWare CEO基辛格取代仅仅上任两年的司睿博(Bob Swan)，并在2月15日正式出任英特尔第八任CEO。此次换帅是市场预期之内的，因为2020年英特尔股价累计下滑了17%，与其他科技巨头股价飙升形成了鲜明对比。这样的股价表现引发了投资者的不满，以丹·勒布(Dan Loeb)为首的活跃投资者此前一直在施压英特尔换帅。

股价表现是英特尔竞争实力的体现。过去几年时间，英特尔面临着上世纪八十年代以来最尴尬的局面。制程工艺卡在10纳米无法突破，老对手AMD却以7纳米优势在服务器领域不断蚕食份额;而当台积电已经在为苹果制造5纳米芯片的时候，英特尔还在纠结于7纳米。此外，英特尔的手机基带芯片无法实现5G商用，迫使苹果与高通达成采购协议，失去唯一客户的英特尔无奈出售业务;苹果推出M系列笔记本芯片，性能体验的优势得到市场认同，短短两年时间就实现了“去英特尔化”。

新加坡《联合早报》网站近日报道称，英特尔公司近期表示，旗下工厂将开始为高通制造芯片，并制定了扩大公司代工业务的路线图，以便在2025年前赶上台积电、三星电子等竞争对手。

英特尔介绍，亚马逊公司将成为其芯片代工业务的另一个新客户。几十年来，英特尔在制造最小、最快的计算芯片技术方面一直处于领先地位。

不过，目前英特尔已将这种领先优势输给了台积电和三星电子，这两家公司的制造服务已经帮助英特尔竞争对手超微半导体(AMD)生产出性能优于前者的芯片。

英特尔公司表示，预计到2025年将夺回领先地位，并介绍了将在未来4年推出的5套芯片制造技术。

英特尔还称，将改变其芯片制造技术的命名方式，使用“英特尔7”这样的名字，与台积电和三星推销竞争性技术的方式保持一致。

英特尔首批主要客户将是高通和亚马逊。主导手机芯片的高通公司将使用英特尔的20A芯片制造工艺，该工艺会使用新的晶体管技术来帮助降低芯片功耗。1月27日上午消息，一些基准测试数据显示，英特尔的Alder Lake Core i9处理器与其前作相比具有显着的性能提升，但这款旗舰英特尔芯片的能效比仍跟苹果M1 Max有差距。

本周举行的 IEEE 年度 VLSI 研讨会是业界披露和探讨新芯片制造技术的重大活动之一。今年最受期待的演讲之一莫过于英特尔介绍的 Intel 4 工艺的物理和性能特征，该工艺计划将用于 2023 年的产品中。

Intel 4 工艺对于英特尔来说是一个重要的里程碑，因为它是英特尔第一个集成 EUV 的工艺，也是第一个跨越陷入困境的 10nm 节点的工艺。对于英特尔而言，Intel 4 将助其重新夺回晶圆厂的霸主地位。英特尔本来计划在当地时间周二发表题为「Intel 4 CMOS 技术，采用面向高密度和高性能计算的高级 FinFET 晶体管」的演讲。但在展会开始之前，英特尔重新发布了有关 Intel 4 的相关数据，让我们第一次看到了该工艺的更多信息。

Intel 4 即为以前的英特尔 7nm 工艺，是其第一次在芯片上采用 EUV 光刻技术。EUV 的使用保证了英特尔可以绘制出更先进制造节点所需的更小特征，同时使其通过多模式 DUV 技术减少制造步骤。

Intel 4 的研发对英特尔来说是一个关键节点，最终摆脱了 10nm 工艺。英特尔虽然已经竭力制造出适合 10nm 工艺节点的产品，尤其是最近的 10nm 增强 SuperFin 变体(我们熟悉的 Intel 7)。但英特尔试图通过 10nm 在缩放和大量新制造技术等方面一次实现太多事情，却导致其出现了倒退。

因而，英特尔在第一个 EUV 节点上可能不会采取太过激进的策略，总体采用更加模块化的开发方法，逐步实现新技术，并在必要时进行调试。