Weebit Nano推出电阻式RAM

Weebit Nano 最近推出了 Weebit 电阻式 RAM (ReRAM)，这是一种可取代闪存的非易失性存储器 (NVM)。 与闪存或其他 NVM 相比，它具有更高的性能和更好的安全性，成本更低，功耗更低，适合SoC公司。

该公司将其 ReRAM IP 集成到 SkyWater 130 nm CMOS 工艺 (S130) 中。 这种耐辐射和电磁干扰的高速 NVM 面向物联网、汽车、模拟/混合信号、工业、数据记录、医疗、航空航天和国防以及其他应用中的 SoC。

ReRAM IP 是一个嵌入式模块，包含一组附属和电子设计自动化 (EDA) 视图，可通过高级 EDA 工具轻松集成。S130 的模块具有控制逻辑、输入/输出通信元件、纠错码、解码器和 256 kb ReRAM 阵列（可定制为 128 kb 至 2 Mb）。

由于采用模块化和可扩展的设计，它可以根据系统接口、字大小、存储密度等需求进行定制。此外，该模块还具有正在申请专利的特殊模拟和数字电路，运行智能算法来增强内存阵列的技术参数。 由于访问时间快，它也支持快速启动，并且支持诸多安全技术，包括嵌入在两个金属层之间。

用户可以将该模块作为子系统的一部分，例如 RISC-V 微控制器、静态随机存取存储器 (SRAM)、系统接口和外设。 此外，Weebit ReRAM 可根据各种流程进行扩展。 SkyWater S130具有APB系统接口，也可定制为AXI/AHB/QSPI/OBI。

130 nm 节点是“采用 1.8 和 3.3/5.0 V 器件的双栅极技术”。 它最多支持五个铝金属层，并支持与本机、NPN 和 PNP BJT、MIM、电感器、扩展漏极等混合信号。客户可以通过提供的阈值优化其性能和功耗。

总体而言，Weebit ReRAM IP 符合 3 次 SMT 回流焊周期、10k 至 100k 写入周期、85°C 下 10 年的数据保留（最高可达 125°C），从而实现稳健的使用寿命性能。