三星否认将与英特尔共同开发10纳米制造技术-电子工程世界

据韩国媒体报导，针对日前日本经济新闻发布的全球性半导体3大龙头三星电子(Samsung Electronics)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)将共同研发次世代半导体制造技术等相关新闻内容，三星方面已郑重否认。

日本经济新闻10月29日报导三星、东芝和英特尔等将设立国际性研究组织，至2016年共同研究开发半导体线幅缩减至10奈米的制程技术。报导中指出，该企划是由东芝主导，并由参与的日本业者出资100亿日圆(约1.2亿美元)进行，其中日本经济产业省也将资助50亿日圆补助金。然而三星方面对该相关报导已慎重否认，并谨慎防范此举被扩大解释的可能性。

三星相关人员表示，相信半导体相关业者皆将积极研究开发次世代微细制程，然三星未曾公开表示将与日本方面共同开发相关设备及材料。报导内容看起来是日方的相关计划，但三星方面至2016年为止并无特定计划及相关发表内容。

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