飞思卡尔发布四款适新型低噪声放大器

发布者:清晨微风最新更新时间:2011-01-28 来源: 微波射频网 关键字:飞思卡尔  无线通讯  低噪声放大器  MBC 手机看文章 扫描二维码
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飞思卡尔半导体(Freescale)推出四款新型低噪声放大器(LNA),专攻无线通讯市场。新款 LNA具备低成本及小面积封装等特色,适合于100 MHz至2.5GHz之间的应用,如远端无钥输入(RKE)系统、智慧型测量、无线局域网络(WLAN)应用、全球定位系统(GPS)、双向无线电,以及工业、科学及医疗(ISM)设备、缓冲放大器、混合器、增益区块和电压控制震荡器(VCO)等。

LNA的小型无铅封装创新设计机会-这些新产品以飞思卡尔的LNA产品线为基础,使用无铅封装,为需要扁平化、小面积及易于焊接的设计带来新的选择,适合做为印刷电路板位置条件紧张时的解决方案。

 

•MBC13917专为100 MHz至2.5GHz之间的应用而设计,这些设计往往需要高增益值(27分贝)及高度的输出入端隔离(46 dB)。这种叠接式的放大器组态利用了整合的偏移网络,以减少系统复杂度和成本。

•MC13850以400 MHz到2.4GHz的应用为目标,拥有两个可选择的3rd阶拦截点模式,可在不需要高拦截点时达成低电流汲取的设定。环绕模式则可在讯号强大的状况下保存输入拦截点。

•MC13851系针对1000 MHz至2.4GHz的应用而设计,它具备整合式的环绕开关,可保留在不同讯号强度环境中运作之接收器的3rd阶拦截点效能。在活动模式下,此一改良SiGe产品的噪声图及电流汲取值均较低。

•MC13852是针对400 MHz至1000 MHz的应用最佳化,并具备一组整合式环绕开关,可提升动态范围,并为高环绕模式工作循环提供整体电流汲取值极低的设计方式。飞思卡尔的改良式SiGe技术,可确保活动模式下较低的低噪声图及电流汲取值。

伴随着这些SiGe产品活动模式下的低电流汲取及噪声图,让设计师得以降低整体系统电流预算,并达到敏感度的效能需求。为加速研发新设计,因此在评估用套件快速启用指南里,有着针对多种应用频率的应用设计,以及完整的特性与设计资讯。每种应用频率所专属的评估用套件亦已完成,并伴随s2p档案、以及增益图与噪声图。所有四种元件均已有样品上市,预计将于2011年第一季量产。

关于飞思卡尔半导体
飞思卡尔半导体是全球领先的半导体公司,为汽车、消费、工业、网络市场设计并制造嵌入式半导体产品。这家私营企业总部位于德州奥斯汀,在全球拥有设计、研发、制造和销售机构。

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