高通RF360炮火全开 CMOS PA崛起

    互补式金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)可望大举进驻智慧型手机。手机晶片大厂高通(Qualcomm)日前宣布，其RF360射频(RF)前端系列产品已悉数问世，并获得全球超过十五家原始设备制造商(OEM)用于七十五款行动装置设计。一旦顺利量产商用，将有助扩大CMOS PA在智慧型手机市场的渗透率。

    高通RF360前端解决方案正式获中兴旗舰级手机Grand S II LTE采用，意味其CMOS PA技术已可满足长程演进计划(LTE)市场的高频操作性能需求，未来CMOS PA将于支援LTE及LTE-A载波聚合(CA)技术的行动装置市场中大行其道，颠覆射频前端产业版图。

    高通台湾区行销总监李承洲表示，高通去年虽已发布RF360前端方案，但仅先推出封包功率追踪晶片(Envelope Power Tracker)--QFE1100及可配置天线匹配谐振器(Configurable Antenna Matching Tuner)--QFE1510，至今年初整合天线切换器(Antenna Switch)的CMOS PA问世后，全系列产品才全数到位。

    中兴最新的旗舰机Grand S II LTE，系最先导入完整RF360方案的智慧型手机。此外，目前还有超过十五家OEM、多达七十五款的行动装置已采用RF360进行导入设计，预计今年下半年或明年相关终端产品即可陆续出笼；显见CMOS PA效能已可满足LTE市场的高频操作要求，未来在智慧型手机市场中的能见度将可显著攀升。

    据了解，由于全球通讯市场频段需求分歧，高通将CMOS PA分为QFE2320及QFE2340两种版本；前者支援六个中低频频段，后者则支援四个高频频段，因此行动装置制造商可依照产品发布地区频段变化，选择任一颗导入或同时将两颗整合至RF360前端方案中。

    另一方面，QFE2320整合PA与天线切换器的设计可简化绕线(Routing)、降低前端设计中的RF元件数，并缩小印刷电路板(PCB)占位面积；至于QFE2340则采用全球首次商用化的晶圆级奈米规格封装(Wafer Level Nano Scale Package, WL NSP)，整合发送器/接收器(Transmitter/Receiver)模式切换器。