抢食亚洲代工商机　晶圆厂模拟/先进制程攻势齐发

　　晶圆厂正积极拓展亚洲市场布局。看好亚洲对行动和物联网(IoT)装置芯片的强劲需求，可望带动先进奈米制程及模拟混合讯号制程商机，主要晶圆厂正纷纷投资扩产。其中，格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更携手三星(Samsung)，推进14奈米鳍式晶体管(FinFET)商用脚步，并加速推动新加坡8吋厂转型计划，期增加12吋晶圆产能，以提高模拟混合讯号等特殊制程的成本竞争力。

　　格罗方德新加坡厂区资深副总裁暨总经理洪启财认为，中国大陆IC设计业者在国家政策扶植下快速崛起，未来格罗方德将持续在该市场投注技术资源，争取更多新秀芯片商青睐。

　　格罗方德新加坡厂区资深副总裁暨总经理洪启财表示，行动和物联网装置开发商致力追求高整合、低功耗和小尺寸设计，不仅刺激晶圆代工产业奋力迈进28奈米以下先进制程节点，亦带动嵌入式闪存(Flash Memory)、电源管理芯片(PMIC)、射频天线(RF Antenna)、显示器驱动和车用芯片等所需的40～180奈米模拟混合讯号特殊制程需求高涨，因而激励晶圆厂加紧扩充产能。

　　以台积电为例，近年即不断拉升资本支出，强攻28/20奈米高介电系数金属闸极(HKMG)、16奈米FinFET与3D IC等先进逻辑制程，以满足处理器厂开发更高整合度系统单芯片(SoC)的需求。同时，台积电董事长张忠谋也提到，物联网火速发展，可望掀动下一波半导体业的巨幅成长，而相关设备所需的传感器、PMIC和射频芯片等皆须运用模拟混合讯号特殊制程，因此该公司亦积极部署新一代高压(HV)、微机电系统(MEMS)和各种RF材料制程产线，以抢占市场先机。

　　无独有偶，格罗方德亦分头扩张先进逻辑、模拟混合讯号特殊制程产线。洪启财透露，该公司位于德国的Fab 1厂，目前已达到每月五到八万片28奈米晶圆出货;而近期与三星展开合作后，旗下美国纽约Fab 8厂，更可望在今年底到明年初开出每月6万片的20和14奈米产能，给予一线处理器大厂强力支持。

　　至于模拟混合讯号制程方面，格罗方德则利用2013年购入茂德的12吋厂设备，促进其新加坡Fab 6从8吋转型成12吋厂，以提升技术和成本竞争力。洪启财强调，在行动和物联网产品出货急速成长的带动下，晶圆厂近期在PMIC、RF芯片和驱动器的订单可说是应接不暇，几乎各家的8吋厂皆处于满载状态;着眼于此，格罗方德遂率先启动8吋厂转型计划，期利用切割效率较佳，且具长期投资效益的12吋晶圆，快速冲高40～90奈米特殊制程产能。

　　据悉，格罗方德Fab 6厂可望于今年底完成全线转换，并将挹注每月2万片12吋晶圆产能，促进其8吋和12吋晶圆出货占比，从六成/四成翻转为四成/六成，以强化各种模拟混合讯号IC的接单能力。现阶段，该公司在亚洲IC设计市场也取得不错成绩，分别与MagnaChip和东芝(Toshiba)合作开发55奈米高压制程，以及40和65奈米低耗电FFSA(Fit Fast Structured Array)方案。

　　洪启财分析，未来晶圆厂追求「Leading Edge」技术应分为两个层面，一是针对SoC设计，加快奈米制程演进脚步，以大幅缩减芯片线宽;另外则是因应电源或RF等模拟解决方案，以最合适的制程节点开发特殊材料和生产技术。不仅如此，随着IC设计商降低制造成本的需求日益殷切，晶圆厂全面转向12吋晶圆生产将是大势所趋;预期该公司新的12吋厂在年底加入生产行列后，将大幅增进在亚洲IC设计市场的影响力。