64层堆栈是3D NAND的「甜蜜点」?

发布者:WhisperingSoul最新更新时间:2017-06-22 关键字:NAND  堆栈 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

  64层堆栈的3D NAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎,预计将在未来18个月内成为市场主流...下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  Western Digital(WD)内存技术执行副总裁Siva Sivaram日前指出,64层堆栈的3DNAND正跨越较平面NAND更具成本效益的门坎。

  在最近接受《EE Times》的访问中,Siva Sivaram将64层3D NAND定义为一种「开创性技术」(seminal technology),可望应用于WD逾50种产品线。 他预计今年WD约有一半的产品线都将采用3D NAND,其中有75%都是64层3D NAND。 「64层是我们认为具有2D NAND成本竞争力的起点。 」

  WD日前发布据称是首款采用64层3D NAND技术打造的客户端固态硬盘(SSD)。 WD Blue 3D NAND SATA SSD针对的是DIY玩家、经销商和系统制造商,而SanDisk Ultra 3D SSD则针对想要提升PC效能的游戏与创意玩家。 Sivaram说,64层3D NAND最初主要应用在高阶消费装置,并逐渐扩展至下游的行动装置与嵌入式系统,最后才是企业应用。 Sivaram说:「企业需要更长的时间才会开始导入。 」

  

 64层堆栈是3D NAND的「甜蜜点」?

  WD认为64层3D NAND将从游戏与绘图密集型PC用SSD等高阶消费装置开始,逐渐扩展至广泛的产品应用。

  对于WD而言,64层3D NAND目前已经比其最佳的2D NAND更便宜了。 Sivaram表示:「虽然不是每一家厂商都在做能做到64层3D NAND,但都能迅速地导入大家的进度都很快。 」WD已经为其零售市场限量生产了48层3D NAND,但该技术尚称不上是成熟的节点,而32层也只是在内部实现,「这是一个必经的学习步骤,」他说。

  他说,15nm 2D NAND是一种「极其活跃」的微影技术。 「而当你采用3D NAND,线距会变得较宽松,它就不需要像15nm技术那样仰赖微影技术了。 」

  然而,以所需要的新工具以及制造技术的观点来看,3D NAND仍十分昂贵。 Sivaram表示,64层恰好位于获得更多位以平衡成本增加的交叉点。 「但即使是64层,每单元3位是基本要求,」他说,「只要恰当地以每单元3位打造,就会比其他架构更便宜。 」

  Sivaram表示,64层3D NAND将在未来18个月内成为市场主流。 他并指出,WD自去年此时即已开始提供样品了。 他并不愿讨论WD与东芝(Toshiba)之间不确定的未来关系是否会影响其3D NAND的生产,也未详细说明公司在64层3D NAND之后的开发蓝图。

  Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示,3D NAND的下一步可能就是字符串堆栈(string stacking)。 这是指将单独的3D NAND组件彼此层层堆栈在一起,而无论它是32、48或64层,共同打造96或128层的堆栈。 他说,「理论上,它可能需要64层的倍数,但目前还不知道能达到什么程度。 」

  Handy说,随着堆栈的层数增加,深宽比也是如此,使得准确蚀刻孔径变得更加困难。 Sivaram说:「此外,还有其他的问题,但深宽比的问题才真正令人烦恼。 」

  String stacking技术则可实现一连串深宽比为60的孔径,取代单个120或240深宽比的孔洞。 「每个人都想知道的是何时才具有足够的经济效益,得以从3D NAND过渡到其他替代技术。 」

  自从SanDisk说ReRAM将在三个世代后取代NAND,时间已经过了近十年。 Handy补充说:「但如今每个人都在出货第三代3D NAND,并出样第四代产品。 3D NAND存在的时间可能比原先的预期更长久。 」

  

  16nm 128Gb TLC平面NAND以及32层TLC 384Gb 3D NAND的比较 (来源:Objective Analysis)

  他说,层数增加的速度也比预期的更快。 「尤其是低层数组件无法符合成本目标的事实,使得层数增加的速度更快。 3D NAND的重点就在于它应该比平面更便宜,而较低层数的组件则否。 」Handy指出,WD和美光(Micron)积极投入生产显示,他们已为其3D NAND创造了获利途径。 而三星(Samsung)是否采用与WD、美光一样的技术打造其 3D NAND,目前并不得而知。

  Handy预测,大约要到2018年中期,3D NAND才能真正达到成本和量产目标。 「多年来,我们一直这么认为。 但3D NAND仍然未能实现其成本目标,也还不足以进行量产。 预计还得等到更有利可图才行。 」

  此外,Handy认为,即使东芝3D NAND业务的所有权变化,也不会改变太多的市场样貌。 「尽管名称改变了,但市场上仍然是那些厂商。 」无论如何,WD仍将采用SanDisk/东芝的技术制造闪存,「问题是在谁从中获利? 」

    以上是关于网络通信中-64层堆栈是3D NAND的「甜蜜点」?的相关介绍,如果想要了解更多相关信息,请多多关注eeworld,eeworld电子工程将给大家提供更全、更详细、更新的资讯信息。

关键字:NAND  堆栈 引用地址:64层堆栈是3D NAND的「甜蜜点」?

上一篇:鸿海出局!日美韩联盟取得东芝存储器优先交涉权
下一篇:手机终于跃居半导体最大应用出海口

推荐阅读最新更新时间:2024-05-07 17:27

台美日整合DRAM、NAND Flash资源 可望组抗韩部队
    美系记忆体大厂美光(Micron)拿下华亚科主导权后,正式扩大美系阵营的势力,华亚科总经理高启全表示,此举有利于台美日DRAM产业大整并,3方可整合DRAM及NAND Flash资源和技术,朝整合性产品发展,DRAM厂不能再像尔必达(Elpida)只卖单晶片过活,获利能力永远追不上三星电子(Samsung Electronics),现在没有人想看着三星独大下去,台美日若携手,可望组成抗韩部队。     美光借由这次私募案,砸下新台币50亿元取得华亚科主导权之举,震惊记忆体产业,也从此结束台美均权共治华亚科的时代,华亚科正式归属于美光阵营,在美光取得华亚科主导权后,外界也积极观察台美日DRAM产业大整并可否加速发展。    
[手机便携]
因为NAND Flash控制器缺货 PC用SSD一年来首涨
因零组件控制器缺货,PC用固态硬碟(SSD)供应紧绷、价格1年来首度上扬。 据日经新闻报道,PC用SSD批发价1年来首度上扬,4-6月指标性产品价格较上一季度上涨5-10%,主因全球芯片短缺,SSD用半导体零组件缺货情况扩散、供给受到限制。 据了解,SSD的核心零组件为NAND Flash,SSD的价格动向大多会和NAND Flash连动,而5月份NAND Flash批发价虽同于前一个月份(4月),不过PC厂为了优先确保所需的数量、提供比1-3月更高的价格进行购买。 更为关键的是,用来控制存储器的零组件控制器短缺,推升SSD价格扬升。部分SSD厂将控制器委由外部企业生产,控制器大多和车用芯片使用相同的产线进行生产,导致生产追不上需
[手机便携]
UCOSIII任务堆栈、控制块及就绪表
一、UCOSIII任务堆栈 1、任务堆栈的创建 堆栈是在RAM中按照“先进先出(FIFO)”的原则组织的一块连续的存储空间。为了满足任务切换和响应中断时保存CPU寄存器中的内容及任务调用其它函数时的需要,每个任务都应该有自己的堆栈。 如何创建? #define START_STK_SIZE 512 //堆栈大小 CPU_STK START_TASK_STK ; //定义一个数组来作为任务堆栈 可查看main.c的29行,跳转可知堆栈大小: CPU_STK为CPU_INT32U类型,也就是unsigned int类型,为4字节的,那么任务堆栈START_TASK_STK的大小就为:512 X
[单片机]
UCOSIII任务<font color='red'>堆栈</font>、控制块及就绪表
S3C6410使用---10为SD卡与NAND FLASH的uboot加上menu菜单
用ok6410进行烧写时,每次都需要敲一大堆命令,又费时又费力. 记得以前用TQ2440时,u-boot启动时会有一个菜单,只按一个数字键就把内核烧好了,非常方便. 现在这张SD卡功能就很全面了,不仅能够直接从SD卡启动,而且还可以烧写nand flash中的u-boot zImage rootfs,呵呵. 下面就把这个功能加到ok6410的u-boot 中去. 一、修改SD卡的u-boot1.1.6 1. common/main.c中 void main_loop (void) { ....... if (bootdelay = 0 && s && !abortboot (bootdelay)) {
[单片机]
Mini2440开发板:U-boot-2008-10之支持nand flash驱动K9F1G08U0B
U-Boot版本:U-boot 2008.10 目标板:Mini2440 Nandflash型号: K9F1G08U0B 256M 修改include/configs/mini2440.h。 1)添加命令支持: #define CONFIG_CMD_ELF #define CONFIG_CMD_NAND 2)添加nand flash 参数设置: /*nand flashsettings******************************************************************************************/ #define CFG_NA
[单片机]
Mini2440开发板:U-boot-2008-10之支持<font color='red'>nand</font> flash驱动K9F1G08U0B
S5PV210 nand 4bit ecc笔记与AM335x的ECC
首先假设flash芯片页大小为2K + 64B的格式。 S5PV210 根据User Manual的4.3.7 4-BIT ECC PROGRAMMING GUIDE (ENCODING) 得知4bitecc的编码步骤为: 1. 写数据之前,设置Msglength(NCONF【25】)设为512,InitMECC(NFCONT )为1,MainECCLock (NFCONT ) 清零,解锁ECC; 2. 写数据时,每写512B, NFMECC0 and NFMECC1产生ECC code(7字节),当写完一页数据(我的nand页大小为2K)时,将ECC写入OOB(28字节)。 解码: 读 懒得写了,自己看代码吧,和8bit ecc
[单片机]
美光秀出3D NAND SSD,容量的确惊人
美光 在台北国际电脑展上正式发表两款 3D NAND   SSD 产品,Micron 1100 SATA与2100 PCIe NVMe,其中Micron 1100 SATA预计将在7月开始生产,而2100 PCIe NVMe将在今年夏季末开始生产。   今年初宣布旗下的SSD(固态硬碟)将开始采用3D NAND快闪记忆体后,美光(Micron)在今年台北国际电脑展(Computex Taipei 2016)发表了3D NAND固态硬碟产品,包括Micron 1100 SATA与2100 PCIe NVMe,最快将在7月开始生产出货。   3D NAND采用了浮闸(floating gate)技术,搭配阵列式CMOS降低
[嵌入式]
iPad将推动今年NAND闪存出货量增长近五倍
2月12日消息,据国外媒体报道,据市场研究公司iSuppli星期五发表的研究报告称,随着消费者越来越多地使用平板电脑,苹果的iPad今年将推动NAND闪存芯片的应用增长将近五倍。 iSuppli称,用于制作移动设备中使用的固态硬盘的NAND闪存芯片今年的消费量预计将达到23亿GB,比2010年消费的4768亿GB增长382.4%。iSuppli预计到2014年,NAND闪存芯片的出货量将达到123亿GB。 按照NAND闪存芯片的总出货量统计,今年用于平板电脑的NAND闪存芯片占总出货量的比例将从2010年的4.3%提高到11.8%。到2014年,用于平板电脑的NAND闪存芯片将占全部NAND闪存芯片出货量的16%。
[手机便携]
小广播
最新网络通信文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved