中国台湾半导体的低调赢家

作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。 在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。 图：SiC/Si器件效率对比 一、行业典型应用 碳化硅MOSFET的主要应用领域包括：充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机、新能源汽车空调、新能源汽车OBC、工业电源、电机驱动等。 1.充电桩电源模块 与下游数量较多的充电桩制造商和运营商不同

•2023年可再生能源发电购电量占比从2022年的62%增至71%，稳步朝着在2027年实现碳中和范围1和2全部目标、范围3部分目标这一承诺迈进 •87%的员工推荐意法半导体为理想工作场所 •将公司净营收的12.2% (21亿美元)投入研发，支持创新 2024年4月18日，中国 – 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST；) 今天公布了可持续发展年报， 展示了为全体利益相关者创造长期价值和推动公司业务可持续发展，2023年ST在环境保护、社会责任和企业治理方面取得的成绩。 意法半导体总裁、首席执行官 Jean Marc Chery 表示：“可持续发展是

宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）于今日宣布其名为“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利（中国专利号ZL201080015425.X）被中国国家知识产权局确认有效，该专利广泛应用于增强型氮化镓半导体器件。 该决定于2024年4月30日作出。此前，中国国家知识产权局还曾于2024年4月2日作出决定，确认宜普公司的名为“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利（中国专利号ZL201080015388.2）的核心权利维持有效。这两项专利的无效请求人均为英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称英诺赛科公司）。 与传统硅基功率器

晶心科技（Andes）、恒润科技、先楫半导体（HPMicro）共同宣布，三方将合作结合AndesCore RISC-V处理器系列、HPMicro HPM6200全线产品以及经纬恒润车载OS软件平台解决方案，共同构建RISC-V汽车电子生态系统。此次合作，恒润科技的AUTOSAR产品INTEWORK-EAS将适配先楫半导体HPM6200产品，支持HPMicro AUTOSAR解决方案的MCAL软件适配和工程集成。 恒润科技是目前为数不多的拥有支持多种RISC-V汽车级芯片经验的主要AUTOSAR软件供应商之一。 经纬恒润一直是 RISC-V AUTOSAR 生态系统的积极参与者。 HPM6200产品线共有12个产品型号，内置Ande

深化校企合作，共育测试人才 泰瑞达与合肥工业大学“半导体测试技术联合实验室” 签约暨揭牌仪式圆满结束 2024年6月6日，中国 北京讯 —— 全球先进的自动测试设备供应商泰瑞达今日宣布，与合肥工业大学的“半导体测试技术联合实验室”的签约暨揭牌仪式圆满结束 。泰瑞达全球半导体测试解决方案工程部副总裁Randy Kramer、全球监管策略总监Sam Rosen、中国工程方案开发部研发总监侯毅、亚太区市场产品经理Hwai-Sern Yap、中国市场沟通经理Lisa Liu等代表泰瑞达公司出席在合肥工业大学仪器科学与光电工程学院举办的现场活动。 一直以来，泰瑞达都视中国为重要合作伙伴，秉持着“育芯、育人”的长期支持与承诺