韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市,发表脱离谷底的看法,对于台系DRAM厂而言,可望注入强心针。在硅晶圆部分,海力士与台厂目前都有1~2个月不等库存,短期仍可支应生产,但中长线来看,日本地震造成硅晶圆短缺问题仍待厘清,目前市场买盘多是边走边看,没有一窝蜂抢货,但也会担心日后供给吃紧造成涨价问题。
日本地震过后,各家DRAM厂都纷纷调高售价,市场买盘强度中等,并未出现一窝蜂抢货情况,原本供过于求严重的DRAM产业,各业者都认为DRAM售价会逐渐触底反弹,美光(Micron)执行长Steve Appleton日前也出面表示,看好3~5月的DRAM报价将落底反弹,而30日海力士社长权五哲也呼应表示,存储器价格会逐渐落底反弹。
硅晶圆方面,海力士认为目前库存还维持约45天,短期内不会受到影响;台厂认为,目前各家库存都维持1~2个月水平,短期内尚不成问题,但中长期来看,没有一家业者敢挂保证长期确定会供货无虑,因为2大硅晶圆厂都还为宣布完全复工,因此真正的供货压力会在5月之后浮现。
台系DRAM厂中,南亚科和华亚科主要依赖台塑集团和Sumco合资的台胜科供应硅晶圆,供货上较为安全,而在尔必达(Elpida)阵营中,主要依赖这次受日本强震影响严重的信越半导体,加上是采用高阶制程用的EPI Wafer,目前也找其它硅晶圆供应商支持。
虽然受到日本地震干扰,但三星电子(Samsung Electronics)和海力士在制程微缩进度上都持续往前,三星2011年下半30纳米制程会占超过50%比重,海力士也表示2011年底30纳米制程比重会提升至40%,2家公司也将开始持续研发20纳米制程,预计20纳米制程会在2012年问世量产。
台厂在制程微缩进度上,相较三星等大厂会晚一些,2011年中开始,会陆续导入30纳米制程,其中南亚科和华亚科会和美光(Micron)共同转进37纳米制程,尔必达和瑞晶2011年也会陆续到入30纳米制程,进一步驱动成本下降。
业者认为,这次日本强震后,虽然各厂都受到硅晶圆和化学材料供应不顺影响,但相较之下,其实韩系存储器厂受到影响较小,台湾则因为与日系业者联系度较高,因此多少会受影响;日前海力士即表示,可趁此机会逐渐提升全球市存储器的市占率。
关键字:海力士 存储器 价格反弹
引用地址:
海力士看好存储器价格反弹
推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 11:25
韩国两大半导体巨头去年第四季度业绩惨淡
据韩国亚洲日报1月22日报道,韩国两大半导体巨头三星电子、SK海力士2018年第四季度业绩黯淡,2019年业绩预期悲观。 据韩国电子及证券行业消息,SK海力士2018年第四季度销售额约在8.5万亿韩元(10000元韩元约合60元人民币)至10万亿韩元左右,营业利润约在4.5万亿韩元至5.2万亿韩元左右。 韩国兴国证券21日发布报告书称,SK海力士第四季度销售额约为8.588万亿韩元,环比减少25%,同比减少5%。营业利润约为4.552万亿韩元,环比减少30%,同比减少2%。服务器DRAM市场需求骤减是业绩疲软主要原因。服务器DRAM销售额占SK海力士整体销售额的40%。 SK海力士将于24日发布2018年第四季度财报,随着日期临近
[半导体设计/制造]
存储器底层技术革新,中天弘宇怎样突破闪存技术发展瓶颈
集微网消息,“古有云,穷则思变,变则通。”中天弘宇董事长张佳在该公司首款产品——90nm BCD工艺平台上的MTP IP发布会上如是说。 据张佳介绍,中天弘宇经历了两年多的时间,探索出了以“二次电子倍增注入浮栅”技术为导向的原创存储技术思路,这是继“隧穿技术”、“热电子注入技术”后,世界范围内第三个0和1形成方式。 中天弘宇董事长张佳 “二次电子倍增注入浮栅技术,是一项前所未有的创新实践,需要积聚全行业集体智慧、协同发展。”张佳说,“我们像刚破土而出的幼苗,需要阳光雨露,需要万物滋养,我们需要方方面面的支持,需要时时刻刻的关心。但我们也会努力生根发芽、茁壮成长,励精图治去创新出更多更好的存储器产品,为市场提供更新更优的集成电路
[手机便携]
PLC与继电接触器控制的区别
PLC基本知识 可编程逻辑控制器,它采用一类可编程的存储器,用于其内部存储程序,执行逻辑运算、顺序控制、定时、计数与算术操作等面向用户的指令,并通过数字或模拟式输入/输出控制各种类型的机械或生产过程。 PLC编程控制器 PLC的硬件主要由中央处理器(CPU)、存储器、输入单元、输出单元、通信接口、扩展接口电源、编程器及软件等部分组成。其中,CPU是PLC的核心,输入单元与输出单元是连接现场输入/输出设备与CPU之间的接口电路,通信接口用于与编程器、上位计算机等外设连接。 对于整体式PLC,所有部件都装在同一机壳内;对于模块式PLC,各部件独立封装成模块,各模块通过总线连接,安装在机架或导轨上。无论是哪种结构类型的PLC,都
[嵌入式]
SK海力士全球首发基于128层NAND闪存消费级SSD!
据BusinessKorea报道,SK海力士发布了全球首款基于128层NAND闪存的消费级SSD——SK海力士Gold P31,提供500GB和1TB两种存储容量,产品已上架亚马逊。 据介绍,Gold P31支持基于4D NAND闪存技术的PCIe NVMe接口,读取速度最高可达3500 MB/s,写入速度高达3200 MB/s,该款产品是为所有个人电脑用户设计的,特别关注游戏玩家、设计师和内容创造者。另外,Gold P31的可靠性已通过1000小时高温运行寿命试验(HTOL)进行测试和验证,平均无故障时间(MTBF)达到150万小时。 该报道称,固态硬盘市场向PCIe NVMe接口的快速过渡,以及Gold P31的诞生,突显
[手机便携]
我国学者首次制备出晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件
近日,中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心罗军研究员课题组在STT-MRAM器件与集成技术研究领域取得了阶段性进展。 图片来源:中科院微电子研究所 中科院微电子研究所官方消息显示,该课题组联合北京航空航天大学赵巍胜教授团队以及江苏鲁汶仪器有限公司,基于8英寸CMOS先导工艺研发线,自主研发原子层级磁性薄膜沉积、深紫外曝光、原子层级隧道结刻蚀以及金属互连等关键工艺模块,在国内首次实现了晶圆级亚百纳米STT-MRAM存储器件制备,为新型定制化STT-MRAM非挥发存储器的研制奠定了基础。 据悉,针对STT-MRAM集成工艺中磁性薄膜沉积和刻蚀技术两大关键工艺模块,罗军课题组研发了原子层级磁性薄膜沉积工艺并创新性地提出基于SiNx
[手机便携]
汽车电子系统中非易失性存储器的选择及要求
汽车系统的设计变得越来越复杂,因为要不断的加入新的功能,如高级驾驶辅助,图形仪表,车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作,每个子系统均需要使用特定的非易失性存储器,以便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据,以作将来检索用途。 目前市场上主要包含这几种不同类型的非易失性存储器,如NOR 闪存、NAND 闪存、EEPROM(可擦除的可编程只读存储器)、FRAM(铁电存储器),MRAM(磁性 RAM)和 NVSRAM(非易失性静态存储器)等。每种类型存储器在不同性能指标下具有各自的优势和劣势:存储器密度、读写带宽、接口频率、耐久性、
[嵌入式]
预计投资1126亿元,华东科技存储器封测等项目集中开工
5月8日,安徽省第五批贯彻“六稳”暨合肥经开区重大项目·空港国际小镇集中开工动员大会在合肥空港经济示范区举行。 此次集中开工项目共107个,总投资1126亿元。其中,产业类项目63个,总投资838亿元,今年计划完成投资334亿元。包括集成电路项目20个、新能源汽车及高端装备项目13个、生物医药及快速消费品项目12个、人工智能项目9个、现代服务业项目9个。 值得注意的是,此次集中开工项目中,包括东华软件总部基地、蔚来汽车中国总部、华东科技存储器封测、日本荏原精密真空泵、合肥生命科技园胰岛素类似物等战略性新兴产业项目55个,总投资775亿元,占产业类项目投资额的92%。 2019年8月14日,华东科技存储器封测项目签约仪式在合肥举
[手机便携]
复位、时钟、存储器和总线
复位 初始化微控制器内部电路 将所有寄存器恢复成默认值 确认MCU的工作模式 禁止全局中断 关闭外设 将IO设置为高阻输入状态 等待时钟趋于稳定 从固定地址取得复位向量并开始执行 中断向量表 中断向量表对于ARM这样的微控制器来讲,当它上电复位的时候,默认地址是从00地址开始,四个字节一个表项,每一个表项存一个指针,或者存一个函数的入口地址。 在下图的中断向量表中,我们可以看到,表中第2项存的是复位的中断向量,在这个表项里面存储的函数入口地址就是对应的ARM芯片复位之后所执行的第一条指令的地址。换句话说也就是一旦CPU执行了复位操作,CPU会自动的从这个位置取一个地址然后赋值给PC指针寄存器,进而程序会根据PC指针所指向的地址一条
[单片机]