英特尔美光推20纳米级NAND芯片下半年量产-电子工程世界

4月16日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光周四推出一种新型闪存存储制造技术，这一技术使电子存储芯片设计更加密集化，有利于缩小产品占据的空间。此款20纳米级的 NAND芯片产品估计可在今年下半年大量生产。

英特尔和美光曾经合作制造的AND快闪存储芯片很多年，具有长期的合作伙伴关系。NAND闪存常用于制造智能手机或平板电脑。

先前版本的芯片为25纳米级，英特尔表示升级至20纳米后，不仅可维持同等级运算性能和耐久度，储存空间更是多出50％大小。

美光的NAND市场部总裁凯文基尔伯克宣称：持续缩减NAND的尺寸，确实为市场带来新应用程序空间在现有产品格式下，我们拥有更多空间放入存储，或能以更低的成本价位，保持同等存储规格。

目前的8G的NAND闪存芯片采用新款20纳米级技术，可减少约30-40％的体积，也让平板电脑和智能手机制造商节省空间，可以使用作额外功能改善，例如加大电池续航力，扩大屏幕，增添芯片来支持新的功能等等。

英特尔和美光称，他们预计将在今年下半，推出16G的NAND闪存的新芯片产品。

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