5月13日消息,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。
三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR 2.0接口,允许这种芯片最多以每秒400MB的带宽传送数据。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍。这种新的NAND闪存芯片是采用20纳米级加工技术制造的。
三星称,它预计这种新的芯片将用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑和固态硬盘。
关键字:三星 新型NAND 10倍
引用地址:三星量产新型NAND闪存芯片 比现在快10倍
三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR 2.0接口,允许这种芯片最多以每秒400MB的带宽传送数据。这个数据传输速度比目前市场上广泛应用的NAND闪存芯片的速度快10倍。这种新的NAND闪存芯片是采用20纳米级加工技术制造的。
三星称,它预计这种新的芯片将用于高性能移动设备,如智能手机、平板电脑和固态硬盘。
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