尔必达和美光DRAM之争-电子工程世界

    尔必达(Elpida)和美光(Micron)在全球DRAM产业市占率非常相近，分别都是11~12%，两家都有落难到第4名的时候，但以2011年第3季市占率来看，尔必达以12.6%微幅领先美光；而三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)的市占率分别为45%和20%，两者掌握超过60%的市占率。
    日前尔必达因为300亿日圆(约3.85亿美元)的银行贷款即将在2012年4月到期，因此积极申请贷款展延，使得其财务问题浮上台面，更让未来的筹资能力蒙尘。

    日前尔必达合作夥伴封测厂华东才金援约新台币15亿元，记忆体模组龙头厂金士顿(Kingston)也帮忙吃货，且因为日圆升值问题，尔必达打算将广岛厂的生产基地搬到台湾，以降低营运成本制造。

关键字：尔必达美光DRAM 引用地址：尔必达和美光DRAM之争

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美光在美起诉联电及晋华侵害DRAM营业秘密

集微网消息，美光科技在美国加州提起民事诉讼，控告联电及福建晋华侵害DRAM的营业秘密。联电表示绝无任何侵害他人权益，将循法律途径维护公司权益。美光表示，该公司依据保护营业秘密法，与反勒索及受贿组织法的民事条款，控告联电与福建晋华窃取其商业机密及其他不当行为；美光将积极保护其全球知识产权，以一切法律途径，遏止任何不法滥用行为。美光先前爆发内贼案，原本任职美光中科厂的何姓课长与王姓副理，相继跳槽联电，无故持有美光的营业秘密，并意图在中国大陆地区使用。台中地检署认为，联电未积极采取防止员工侵害他人营业秘密，依妨害营业秘密罪将联电与何男等人一并起诉。今年九月初，台中地检署查出台湾美光的何姓、王姓员工跳槽到联电，涉嫌将美光DRAM

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半导体巨头尔必达的倒下

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DRAM价格下跌美光科技后市可期吗？

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夏普、尔必达合作开发下一代ReRAM闪存芯片

日经新闻报道，夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片，预计在2013年实现量产。早在2007年，富士通就宣布开发出了这种可变电阻式闪存芯片，它在降低功耗的同时写入速度达到目前手机所用NAND闪存芯片的10000倍。日经新闻称，采用ReRAM芯片的设备可以在几秒钟的时间内下载一部高清电影，待机模式下功耗几乎为零。除了夏普和尔必达外，日本产业技术综合研究所、东京大学以及其它芯片设备制造商也将加入到研发工作当中。该芯片最早将在2013年实现量产，尔必达将可能负责这一生产工作。此外其它竞争对手同样也在积极研发新型存储芯片，东芝就在开发一种层式结构（layered structure）闪

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尔必达22亿美元售予美光科技交易方案获批

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DRAM业恐掀巨变美光面临生存战

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