日本媒体报导,全球第三大DRAM厂尔必达(Elpida)传本月底将向银行团及日本政府提出重整计划。
其中包含与南科进行资本及业务的合作,但南科昨(16)日再度郑重否认双方有任何接触,也不会有进一步的合作。业界研判,尔必达未来联美抗韩的可能性甚高,至于合作方式,可能由美光承接尔必达的股权,双方也确实正在洽商中。
尔必达也曾提及,将把位在广岛厂的产能移至台湾子公司瑞晶,不过瑞晶主管表示并不了解尔必达的实际计划;但业界研判,DRAM价格低迷,瑞晶去年第四季跟进减产,不太可能再去承接尔必达的DRAM生产线,徒增库存压力。
集邦科技针对尔必达未来何去何从,提出研究报告,强调除了日本政府可能出面协调当地企业出面托管外,也可能寻求与美国DRAM大厂美光透过资本及业务合作,联手抗韩。
集邦强调,由于美光的快闪存储器事业仍获利,公司负债比也低于30%,加上子公司华亚科的状况与其它台厂相比也较为稳健,一般预料尔必达与美光洽谈合作,未来可能由美光主导整并的机率甚高,而且美光若整并尔必达后,DRAM月产能将达32.8万片,规模将超越韩国海力士,成为全球DRAM二哥。
先前也传日本政府可能协调东芝出面托管,但东芝对DRAM产业并没兴趣,最后也可能会转寻洽商美光接手。国内DRAM业者则认为,尔必达事件恐让今年全球DRAM产业大洗牌,不管尔必达直接找美光合作,或是转由日本其它企业托管,都将使DRAM市场逐步走入寡占,DRAM厂下半年营运将明显改善。
关键字:尔必达 DRAM
引用地址:尔必达将重整 DRAM业大洗牌
其中包含与南科进行资本及业务的合作,但南科昨(16)日再度郑重否认双方有任何接触,也不会有进一步的合作。业界研判,尔必达未来联美抗韩的可能性甚高,至于合作方式,可能由美光承接尔必达的股权,双方也确实正在洽商中。
尔必达也曾提及,将把位在广岛厂的产能移至台湾子公司瑞晶,不过瑞晶主管表示并不了解尔必达的实际计划;但业界研判,DRAM价格低迷,瑞晶去年第四季跟进减产,不太可能再去承接尔必达的DRAM生产线,徒增库存压力。
集邦科技针对尔必达未来何去何从,提出研究报告,强调除了日本政府可能出面协调当地企业出面托管外,也可能寻求与美国DRAM大厂美光透过资本及业务合作,联手抗韩。
集邦强调,由于美光的快闪存储器事业仍获利,公司负债比也低于30%,加上子公司华亚科的状况与其它台厂相比也较为稳健,一般预料尔必达与美光洽谈合作,未来可能由美光主导整并的机率甚高,而且美光若整并尔必达后,DRAM月产能将达32.8万片,规模将超越韩国海力士,成为全球DRAM二哥。
先前也传日本政府可能协调东芝出面托管,但东芝对DRAM产业并没兴趣,最后也可能会转寻洽商美光接手。国内DRAM业者则认为,尔必达事件恐让今年全球DRAM产业大洗牌,不管尔必达直接找美光合作,或是转由日本其它企业托管,都将使DRAM市场逐步走入寡占,DRAM厂下半年营运将明显改善。
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紫光确定在华南筹建12寸DRAM厂,循华亚科模式
紫光集团记忆体生产链布局 大陆紫光集团已确定在大陆华南地区筹建12寸DRAM厂,并循当年台塑集团与美光合资华亚科的商业模式,由紫光出资建厂,再邀请美光等国际大厂入股,解决技术授权问题。
据了解,此计画由前华亚科董事长、现为紫光集团执行副总裁的高启全亲自操刀,业界盛传,日本前尔必达总裁坂本幸雄亦有意加入。
大陆官方自前年成立国家积体电路产业投资基金(简称大基金)后,就有意投入自建记忆体供应链,但不论是DRAM或NAND Flash,主要制程专利及矽智财都掌握前国际大厂手中,因此,率先表态要自建记忆体产能的紫光集团,由于投资入股美国DRAM厂美光一案受阻,现在策略已有所转变,决定在大陆自建DRAM厂。
业界人士指
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紫光国芯:DRAM未来会考虑与长江存储合作
紫光 国芯26日在互动平台表示,公司西安子公司从事 DRAM 存储器晶元的设计,目前产品委托专业代工厂生产。 未来 紫光 集团下属长江存储如果具备 DRAM 存储器晶元的制造能力,公司会考虑与其合作。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 前不久,针对“存储芯片行业增长很快,为什么西安 紫光 国芯的毛利率如此低?”的提问,紫光国芯副总裁杜林虎及董秘阮丽颖在与投资机构进行互动问答时表示,西安紫光国芯从事 DRAM 存储芯片的设计业务,公司自身没有制造环节,但市场上DRAM的代工厂很少,特别是在市场需求旺盛的时期,公司由于规模较小,产能不好保证,不利于成本控制。另外,西安紫光国芯产品收入的增长较快,收入结构发生了变
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南亚科看旺DRAM前景,估涨势可望持续到Q2
据digitimes报道,DRAM厂南亚科总经理李培瑛表示,今年上半年DRAM供不应求的态势明显,第一季度DRAM价格将呈现季增与逐月涨价的情况,第二季度也可望延续涨势。 关于此次涨价的原因,李培瑛指出,疫情致使远程工作、教学等趋势持续,刺激电视、电脑等终端需求。 从产能供给端来看,随着韩系厂商规划将部分DRAM产能转到CIS,以及2020年业界资本支出多半倾向保守,李培瑛表示,供应商库存的水位持续下滑,2021年上半供给不足的情况很明显,但下半年还需要持续观察。 李培瑛并强调,全球主要DRAM供应商均仰赖DRAM产品带来稳定获利,因此DRAM产业稳定比爆发力更重要。 除了南亚科外,美光也看好DARM的前景,该厂商此前表示,D
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Q2 DRAM价格仍维持高点,NAND受3D TLC冲击持续走跌
内存模组厂商创见第一季因 NAND Flash 跌价,获利较去年同期年减 16.6%,较上季获利衰退 19.6%。展望第二季,第二季 DRAM 合约价仍维持高点,但 NAND 仍供过于求,估计要待下半年,NAND Flash 降价压力才会获得抒缓。 在产品结构上,以第一季来看,工控产品占整体营收比重 46.9%、策略性产品占 21.8%、消费型 Flash 产品占17.8%,标准型 DRAM 产品则占 13.5%。 创见第一季毛利率达 22.2%,为近一年来的新低水准,主要因 NAND Flash 价格走跌,产品价格也有压力,造成毛利率向下;在业外部分,创见持有现金部位中,美元比重达七成,第一季因为台币升值,造成汇损冲击
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大陆六地竞逐盖DRAM厂,最快三年影响产业
集微网消息, 今年3月中国武岳峰资本宣布以6.4亿美元并购在美国上市的芯成半导体后,中国政府正式向全世界宣布要进军半导体领域。TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange统计显示,2014年中国市场的DRAM消化量金额为102亿美金,占全球营业额约20%,其庞大内需就足以撑起中国DRAM产业的发展,而美国芯成半导体的整并,只是中国DRAM产业的开端。DRAMeXchange表示,目前有六个地方政府积极争取设立DRAM厂,而中国中央政府将会选出其中一个地方政府设厂,整合上游厂商发展出具中国自有的技术并绑定中、下游的产业结构成为一条龙的供应链,群聚效应下工厂将不易出走,加上中国自身的庞大市场与经济规模,维持中
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高性价比NAND将对DRAM芯片市场形成严重威胁?
据一家市调公司Objective Analysis对近300个PC性能测试数据进行研究后得出的结论,他们认为NAND闪存将会对DRAM内存产业形成严重的威胁。他们的研究报告名为《看PC NAND闪存如何削弱DRAM内存的影响力》,文中列举了大量的实测数据。 报告的作者Jim Handy称:“我们研究了各种不同DRAM内存+NAND闪存配置的PC机型的标准性能测试结果,最后发现,平均计算起来,人们在NAND闪存上每花费一美元,所获得的系统性能提升要比同样价值的DRAM内存更高。而随着时间的推移,两种存储设备的性价比鸿沟还会进一步增宽。” 而随着NAND闪存对DRAM内存威胁的不断增加,DRAM内存业务有关的营收则会
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IC Insights:今年DRAM与NAND在IC细分产品中增长率最高
IC Insights最近发布了2021年版的《麦克林报告》(The McClean Report),对今年半导体行业细分产品的销售增长率预测做了排名预测,细分清单囊括了世界半导体贸易统计组织(WSTS)定义的33种IC产品类别。下图为今年预测的增长最快的前十大IC细分市场。 报告预计,增长排名前十的半导体产品每个类别的销售额都将实现两位数增长,IC Insights还预计今年半导体总市场将增长12%。 报告显示,DRAM和NAND将成为2021年增长最快的两个产品领域,预计销售额分别增长18%和17%,值得注意的是,在2013、2014、2017和2018年,DRAM均为增长最快的半导体细分产品;另一方面,受到市场周期波动性
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80C186XL嵌入式系统中DRAM控制器的CPLD解决方案
摘要: 介绍怎样在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制单元的基础上,利用CPLD技术和80C196XL的时序特征设计一个低价格、功能完整的DRAM控制器的方法,并采用VHDL语言编程实现。
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80C186XL16位嵌入式微处理器 是Intel公司在嵌入式微处理器市场的上导产品之一,已广泛应用于电脑终端、程控交换和工控等领域。在该嵌入式微处理器片内,集成有DRAM RCU单元,即DRAM刷新控制单元。RCU单元可以自动产生DRAM刷新总线周期,它工作于微处理器的增益模式下。经适当编程后
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