2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守-电子工程世界

扣除2家IC设计业者，2012年全球前10大半导体厂商依序为英特尔(Intel)、三星电子(Samsung Electronics)、台积电、德州仪器(Texas Instruments)、东芝(Toshiba)、瑞萨电子(Renesas Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及意法半导体(STMicroelectronics)。观察2012~2013年主要半导体大厂资本支出变化，英特尔与台积电均将较2012年增加，三星电子、东芝可望持平，SK海力士将较2012年减少，至于采轻晶圆厂策略的瑞萨电子、德州仪器及意法半导体2013年仍将维持在低资本支出水位。

2013年英特尔资本支出将较2012年增加18.2%，达130亿美元，除持续提升22奈米制程占产能比重外，亦将投入18寸晶圆与14、10、7、5奈米等更先进制程研发，以生产效能更佳的处理器。

三星电子半导体事业资本支出自2009年仅32亿美元持续增加至2012年123亿美元，已连续3年成长，然2013年预估将小幅减少至120亿美元，其记忆体事业投资重点包括持续提升DRAM 28奈米制程占产能比重、续建大陆西安NAND Flash新厂，及推动NAND Flash朝21、16奈米制程迈进，而系统IC事业则将以扩充德州奥斯丁厂产能，及重启南韩华城厂第17产线兴建计划为主。

2013年台积电资本支出将自2012年83亿美元增加至95亿~100亿美元，主要将用于布建28、20及16奈米制程产能。日厂东芝2013年资本支出可望持平在20亿美元，主要将用于投入NAND Flash 1y奈米制程研发。

SK海力士资本支出自2009年仅8亿美元持续增加至2012年35亿美元，呈现连续3年成长态势，然2013年预计将减少至26亿美元。2013年SK海力士不仅将推动其DRAM自35奈米升级至28奈米制程，NAND Flash自27奈米升级21奈米制程，更计划于其晶圆代工产线切入更高阶晶片生产。

另外，韩厂三星与SK海力士虽2013年半导体事业资本支出均将较2012年减少，主要用于先进制程产能的布建，但对于透过购并公司以布局半导体相关技术的态度将更加积极，此透露出南韩半导体厂商渐不局限于仅投资在设备或厂房，更重视半导体元件技术布局的完整性。

SK海力士于全球半导体生产据点分布

资料来源：SK海力士，DIGITIMES整理，2013/4

关键字：三星 SK海力士引用地址：2013年三星与SK海力士半导体资本支出转趋保守

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