在美光(Micron)购并尔必达(Elpida),以及力晶和茂德退出市场后,标准型DRAM供应商已明显减少,加上近几年DRAM产能扩充减缓,因此平均销售价格(ASP)正逐步回升。根据IC Insights统计,2013年第一、二季DRAM均价分别为1.97和2.42美元,较2012年同期增长22%及42%,预估第三季均价将可再上涨至2.53美元。
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三星:第一季度内存和闪存将跌价10%
三星电子发布2007年第四季度财报,尽管旗下手机和面板事业相当争气,尤其面板获利表现优异,但仍不敌内存市场供过于求、芯片价格跌至新低,使得该季净利衰退6.6%,达2.21兆韩元(约24亿美元),营收则提升11%,达17.48兆韩元(约190亿美元)。 三星旗下三大主力事业分别为半导体、面板和手机,由于三星身兼DRAM和NAND闪存市场龙头,往年负责内存芯片的半导体事业,一向是三星获利主要来源,2007年第四季度却因DRAM价格剧跌,让过去的金鸡母业绩一落千丈,成了表现最差事业,营业利益较2006年同期衰退74%,营益率9%,远低于前一季度的18%及2006年同期31%水平,半导体事业营收则减少9%。 不过,三星该季
[焦点新闻]
DRAM价格开启下跌模式 三星电子|SK海力士如何应对?
10月31日,据韩媒报道称,10月份内存半导体DRAM价格下跌近10%,显示出第四季度DRAM市场行情 峰值出局 (peak out,景气见顶,下跌)的担忧正在成为现实。 据TrendForce数据显示,10月份PC用DRAM通用产品(DDR4 8GB)成交价为3.71美元,环比降价0.39美元,比上一季度下降9.51%。DRAM自今年1月份起一直保持价格上升趋势,此次是全年首次降价。 半导体市场调查企业DIRAMEXCBAIX透露,以8月30日为基准,PC用DRAM通用产品现货价格与今年高点3月末(5.3美元)相比下降了36%。 半导体现货价格是通过代理店暂时进行的交易,与三星电子或SK海力士签订长期合同的固定交易价格不同。但是
[手机便携]
三星18nm召回影响 DRAM合约价飙
4GB DDR3/DDR4模组合约均价 业界消息指出,存储器大厂三星电子自2月中旬起,陆续召回部分序号的18纳米制程DRAM模组,原因在于这些18纳米DRAM会导致电脑系统出错及出现蓝屏当机。由于三星在全球PC DRAM市占过半,据传召回的DRAM模组数量达10万条,业界认为将导致3月DRAM缺货雪上加霜,合约价将再见飙涨走势。 DRAM市场自去年下半年已经供给吃紧,由于三大DRAM厂近几年均没有扩产动作,只是靠着制程微缩来增加产能,随着电脑搭载率在去年登上8GB,以及智能手机搭载容量上看6GB~8GB的情况下,今年以来DRAM缺货问题更为严重,合约价也连续2个月飙高。 虽然DRAM供不应求,但包括三星、SK海力士、美光等三大
[手机便携]
美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM
美光面向数据中心客户推出 DDR5 服务器 DRAM,推动下一代服务器平台发展 全新 DDR5 服务器内存可最大限度地提高 AI、高性能计算和其他数据密集型应用及工作负载的性能 关键优势: • 随着 CPU 内核数量不断增加,改进后的内存架构相比 DDR4 可将带宽提高近一倍,进而提高效率 • JEDEC 速度提高至 4800MT/s ,比 DDR4 快 1.5 倍 • 得益于高达 64GB 的模组容量,能够支持内存密集型工作负载 • DDR5 的创新架构改进和模组内建电源管理功能,有助于优化系统整体运行性能 2022 年 7 月 7 日,上海 — 内存和存储解决方案领先供应商 Micron
[嵌入式]
尔必达重整 三星DRAM市占率将破五成
DIGITIMES Research 分析师柴焕欣分析,受 DRAM 价格自 2011年第一季持续性下滑影响,加上日圆汇率亦持续升值加重成本负担,全球第三大DRAM供应商尔必达(Elpida)在历经连续5季亏损后,终于无法支撑,于 2012年2月27日无预警申请破产保护,并将进行重整。
事实上,尔必达主流制程已于 2012年由45奈米制程升级至38奈米制程,且20奈米制程也已近研发完成阶段,原预计于2012年下半导入量产,对于如TSV 3D IC等次世代DRAM技术研发亦不遗余力,制程技术水准更直逼三星电子(Samsung Electronics)。 柴焕欣指出, 2011年尔必达于全球DRAM
[手机便携]
DRAM和NAND Flash价格继续下跌,多家公司受牵连
Baird 分析师 Tristan Gerra 周二 (2) 将美光科技降评至劣于大盘 (underperform),理由是该公司将受到存储器价格暴跌的长期影响。 截稿前,美光股价下跌 2.01%,暂报 36.09 美元。由于投资者越来越担心半导体周期恶化,其股价在过去三个月下跌超过 20%。 Baird 将美光从「优于大盘」下调至「劣于大盘」,目标价格从 75 美元下调至 32 美元,这意味着该股可能再下滑 12% 左右。 分析师 Tristan Gerra 在周二写给客户的报告当中提到:「DRAM 和 NAND Flash 价格持续恶化,导致连续 8 季的毛利率和每股纯益萎缩,NAND Flash 前景继续恶
[嵌入式]
OLED、DRAM、Flash全都缺 三星电子2018年获利大看好
在OLED面板竞争者量产进度不断递延,加上Flash、DRAM报价因市场寡占结构确立,后续易涨难跌格局难变,三星电子(Samsung Electronics)2017年第2季获利以逾136亿美元首度超前苹果(Apple)的财报内容,未来一段时间内恐成常态,台湾半导体业者指出,以2018年全球OLED面板市场仍然供不应求盛况,三星电子独享逾90%市占率的独霸结构不变,加上全球DRAM市场供给增加明显有限,2018年报价走势仍然持续看涨不看跌,哪怕Flash报价有比较多杂音,但三星电子还是可以持盈保泰的竞争力,将让三星电子2018年获利表现往上膨胀到一个最新的恐怖境界,在全球科技产业竞争向来有人是英雄、钱是胆的惯例下,哪怕三星电子短期
[手机便携]
三星跳电鼓励买方备货,第一季度DRAM合约价格提前上涨
据集邦咨询半导体研究中心最新调查,随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬,加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电,虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响,但观察到各产品类别买方备货意愿进一步增强。 因此,集邦咨询再次修正2020年第一季度DRAM合约价格预测,由原先的“大致持平”调整为“小涨”,价格正式提前翻转向上。 标准型内存方面,虽然第一季的价格仍在议定中,但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关系的不确定性下,大部分销往美国的笔电都赶在2019年第四季度出货,导致2020年第一季度的出货较为疲弱。 但考虑到今年DRAM的供给单位增长幅度仅不到13%,加上三星跳电事件的影响,PC OEM厂已做好
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