无锡Hynix DRAM工厂发生大火

SK海力士上周宣布将以90亿美元的价格收购英特尔的NAND闪存及存储业务，具体包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件和晶圆业务、以及其在大连的一座NAND闪存制造工厂。 据韩国先驱报报道，SK海力士首席执行官李锡熙（Lee Seok-Hee）近日表示，“我认为该笔交易并不昂贵，这个价格全面反映了英特尔包括SSD性能及其解决方案在内的的资产价值，估价是公平的。” 该笔交易有望提高SK海力士的存储解决方案在NAND闪存领域的竞争力，同时预计将帮助该公司成为全球第二大NAND闪存芯片制造商。 不过需要注意的是， SK海力士自宣布这笔交易以来，其股价不断下跌。分析师指出，投资者显然担心这家芯片制造商要在短时间内一次性支付一笔钱。

7月15日，JEDEC固态存储协会正式发布了DDR5 SDRAM内存标准规范，拉开了PC新时代的序幕。 根据规范，DDR5内存的频率(数据传输率)起步就是DDR4标准极限的3200MHz，而最高可以达到6400MHz，按照惯例实际产品还会大大超过这一水准，同时电压从1.2V进一步降低至1.1V，而单个Die的容量为8-32Gb(1-4GB)。 今天，韩国存储巨头SK海力士宣布，正式发布全球第一款DDR5内存，频率、容量、能效和功能技术都达到了全新的高度。 SK海力士首发的DDR5内存条为面向服务器、数据中心的RDIMM形态，基于1Ynm工艺制造的16Gb颗粒，单条容量64GB，而借助TSV硅穿孔技术，最高可

 PC明星产品固态硬盘的发展速度依然激进，SK海力士今天宣布，已经成功研发出72层堆叠、单晶片容量256Gb的3D TLC闪存芯片。由此，SK海力士成为业界第一，领先三星和东芝的64层。下面就随模拟电子小编一起来了解一下相关内容吧。 SK海力士公布72层堆叠、256Gb的3D TLC闪存芯片 于是，一片封装完成的闪存芯片的最高容量将达到512GB，只需要两颗芯片，就能造出单面1T、双面2T的M.2 SSD，且成本更低。 如不出意外的话，SK海力士在Q4将把单晶片容量做到翻番。 另外，除了SSD，SK海力士称，相关芯片也会用于智能手机。 根据Gartner的统计，SK海力士是DRAM世界第二、闪存世界第五，他们已经向东芝报价，

　　半导体芯片产品DRAM(商品化动态随机存储器)市场告急！由于产能过剩，目前，DRAM产品已连续7个季度大幅下跌，一位业内人士透露：“下降幅度约达80%，已降至成本价以下。”以至拖累整个半导体产业链萎靡。 　　然而，另一方面，韩国三星电子有限公司(SAMSUNGELECTRONICS)(下简称“三星电子”)却正在进行新一轮的“攻击性投资”。5月初，全球第一大内存芯片制造厂商韩国三星电子有限公司公开表示，低迷的存储器市场现状不会影响自己的战略规划，将会在第二季度大幅度提升产量。2008年，三星电子约投入74.3亿美元用于存储芯片业务的扩张。 　　在存储器产品价格崩盘，业界均在翘盼缩减产能，以期价格回升时，三星电子却反其道而行之

        2013年全球半导体产值将强劲成长4.5%，一扫去年下滑2.7%的阴霾。由于今年全球经济状况相对去年稳定，且行动装置处理器业者转换至28、20奈米(nm)先进制程的需求持续涌现，加上动态随机记忆体(DRAM)市场供需趋于平衡等正面因素加持，2013年晶圆代工与记忆体产值皆将大幅成长，成为带动整体半导体产值回升的双引擎。   顾能(Gartner)科技与服务厂商研究事业处副总裁王端表示，去年半导体产业因大环境不佳，年产值跟着衰退2.7%；但是，今年初全球经济状况已呈现逐渐复苏迹象，且半导体业者的库存去化动作也将于第二季告一段落，可望重启备货计划，将促进晶圆代工产值于第三季爆发成长，全年则将缴出7.6%年增率的亮丽成

　　特朗普政府发起的贸易战虽然收场，但这几个月，人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板，中国大量进口的 IGBT 也被挖了出来。有媒体就认为，由于中国 IGBT 需要大量进口，而这个产业又被西方国家把持，对于中国正在大力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过，在 IGBT 技术上，中国其实并不差，大量依赖进口，并非技术水平不行。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 　　造成大量进口国外产品的局面，只是因为商业上和其他一些原因。 　 　IGBT市场基本被外商垄断 　　IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就是绝缘栅双极型晶体管。最初是为了解决MOSFET的高导通压降

三星并非一夜成功的幸运儿，在发现并打造世界一流的质量、设计、创新能力之前，在从追随者到王者的艰苦跋涉路途中，三星经历了长期的艰苦和磨难。 7月5日，三星电子发布第2季初步财报，营收为56万亿韩元，盈利为65000亿韩元，与去年同期相比下滑幅度高达56．29％，结合前一季计算的话，三星电子上半年营益达12万亿7300亿韩元，和去年同期（30万亿5100亿韩元）相比，更是下滑58．28％，减少超过一半。 此外，针对半导体部门，据韩国证券业分析，去年第2季半导体部门的盈利为116000亿韩元，本季盈利应只达3万亿韩元左右，缩减高达70％以上。 三星利润腰斩背后：成也存储，败也存储 “登王位不难，守王位难”，于三星也是如此

4 月 25 日消息，据韩媒 Viva100 报道，SK 海力士在今日举行的一季度财报电话会议上表示其 12 层堆叠（12Hi）HBM3E 内存开发有望三季度完成，而下半年整体内存供应可能面临不足。 目前三星电子已发布其 12Hi HBM3E 产品，该内存单堆栈容量达 36GB，目前已开始向客户出样，预计下半年大规模量产。 SK 海力士表示，今年客户主要聚焦 8Hi HBM3E 内存，SK 海力士将为明年客户对 12Hi HBM3E 需求的全面增长做好准备。 HBM3E 内存在价格方面相较 HBM3 更为昂贵，因为新产品可提供更大的带宽和容量。 电话会议上，SK 海力士称，其将优先确保拥有更高附加值且需求能见度更高的 HBM 内存