光迅科技募资6.3亿元 投资核心光电子芯片与器件项目

2013年12月9日消息，光迅科技今日公告，拟向不超过10名特定对象，发行不超过2307万股，募集资金总额不超过6.3亿元，用于投资“宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目”。发行底价为27.31元/股，较前收盘价折价22.61%。该项目投资总额约6.10亿元，拟全部使用募集资金。

　　光迅科技将以光电子芯片技术为龙头，针对数个市场急需的目标产品进行产业化，本次募投项目的目标产能为年产150.60万只10G 发射器件、年产84.00万只10G 接收器件、年产4.80万只25G 发射器件、年产0.96万只40G 接收器件。

　　公司预计建设期为2年，全部达产后预计将新增产品年销售收入7.63亿元，年新增利润总额1.39亿元，预计投资回收期 （税后）6.45年（含建设期2年），内部收益率（税后）为16.65%。

　　项目建设的背景

　　1、信息化、宽带化成为国际潮流

　　在信息技术发达，宽带服务不断拓展的今天，各国政府都把信息化、宽带化建设作为政府的重要任务之一。

　　奥巴马政府2009年批准的经济刺激计划中，宽带网建设是其经济振兴计划的五项内容之一，安排了72亿美元用于宽带补贴和借贷计划。欧洲国家作为发达国家，宽带普及率相对落后。近年来，欧洲经济大国也越来越重视光纤接入的部署。法国政府在2010年初提出一项价值20亿欧元（约合28亿美元）的国家宽带贷款项目，欧洲第一大运营商德国电信为了加速推动德国的光纤业务发展，2012年8月宣布计划独自成立一个光纤到户业务子公司。

　　日本是全球光纤到户发展最好的国家，日本政府将FTTH（光纤到户）的普及程度视为社会信息化先进程度的标志，为此日本政府提出了从“e-Jpan（为信息化建设奠基）”到“u-Japan（创造上网环境）”再到“i-Japan（转动公共部门的网络齿轮）”等ICT（信息通信技术）战略，积极推动FTTH的发展。

　　韩国是全球FTTX（光纤接入）普及率最高的国家（50%左右），而韩国家庭宽带普及率在95%左右。韩国宽带高速发展主要得益于韩国政府的政策支持，然而，韩国政府并不满足已取得的成绩。韩国政府曾发布宽带发展策略“Korean Broadband Plan”和“绿色IT国家战略”等国家战略进一步推动信息化发展。

　　全球信息化、宽带化的浪潮为光通信市场带来了重要的发展契机。目前，光纤通信技术在整个基础网络的建设中得到广泛而普遍的应用，承载了全球80%以上的通信业务，形成了每年上百亿美元规模的光纤通信硬件设备市场。其中，占全产业链总产值70%以上的光电子器件产业可以被称为光通信产业的心脏，必将迎来新一轮的发展。

　　光迅科技作为在光电子器件领域销售规模国内第一，国际上排名第六的公司，将作为受益者在新一轮行业发展中获得进一步成长的机会。[page]

2、“宽带中国战略”为国内光电子器件行业提供了难得的发展机遇、也提出了更高的要求

　　在上述全球信息化、宽带化的大背景下，工信部在2012年两会上提出了“宽带中国战略”。 “宽带中国战略”的制定，对我国光通信和光电子器件行业的发展将起到至关重要的推动作用。

　　工信部在2012年2月已正式发布了“宽带中国.光网城市”战略，以光纤到户为核心，构建“百兆入户、千兆进楼”的高性能网络，积极实践和推动以PON（无源光网络）为基础的FTTX网络建设，迅速实现规模运营。

　　“宽带中国战略”的制定，为国内光电子器件行业提供了难得的发展机遇；但同时，“宽带中国战略”的实现也依赖于我国光电子器件技术的进步、产品性能与可靠性的进一步提高。

　　3、4G时代的来临进一步提升光电子器件行业发展空间

　　随着4G时代的来临，光通信产业可谓风生水起，再次迎来了前所未有的机遇。据估计，4G的启动可以带来达到2,000亿以上规模的光通信市场。从目前的情况来看，无线通信向LTE发展的方向已相当明确。作为新一代通信技术的LTE意味着更灵活的系统部署、更短的等待时间、更高的用户数据速率和频谱效率、系统容量和覆盖的改善以及运营成本的降低。Juniper Research预计2015年LTE收入将突破2,000亿美元大关。

　　就国内而言，据统计，中国移动未来4年内将新建80万个4G 基站，从而使4G 基站总数量达到100万个；中国电信未来4年的建站总数也将达到60万个。据估算，2013年国内LTE光模块市场容量为5.4亿元，用量超过180万套，并在接下来的几年中以超过20%的增长率向上攀升。

　　如果说4G是移动互联网的“高铁”，那么基站和传输就分别是“车站”和“铁轨”，占4G网络总投资的90%左右，而光模块则是基站和传输的最核心部件。因此，4G时代电信运营商对基站和传输的投资必将惠及光电子器件行业，这将为光迅科技这样的光电子器件公司带来难得的发展机遇。

　　4、项目的提出与用“芯”布局未来

　　全球信息化、宽带化已经成为未来社会发展的趋势，加之4G时代的来临、我国“宽带中国战略”的提出，这些都为国内光电子器件行业的发展带来了巨大的推力。如何牢牢把握行业面临的巨大机遇，是光电子器件企业面临的当务之急。

　　据统计，2012年全球光传输设备领域中国厂商占到了40%的份额，光接入网设备领域中国厂商占到了75%的份额，但是在光电子芯片与器件领域中国厂商只占到了25%的份额，从份额比例上来看极不对称。而即使是仅有的25%份额中，绝大部分集中在中低端芯片及器件，中高端芯片及器件大部分被国外厂商所垄断。

　　在光电子器件实际生产中，光电子器件的芯片成本占比通常在30-50%，高端光器件中芯片成本甚至在50%以上。光迅科技作为我国通信光电子器件研究开发、生产销售的龙头企业，虽然在核心的光电子芯片技术上是国内产业化最成功的企业，但产品仍主要集中于2.5G以下的中低端芯片上，未来的市场竞争迫使公司必须在中高端光电子芯片上取得突破。[page]

另一方面，市场在对光电子器件需求不断增大的同时，对芯片及其器件的要求也越发向10G、40G及以上高速率芯片及器件转移。在此背景下，公司必须及时调整产品结构，大力发展中高端、高速芯片技术及产品，以适应世界主流通信技术发展的要求，才能继续保持行业领先地位，增强公司持续发展和持续经营能力。

　　面对上述市场需求，公司作为国内光电子器件的龙头企业，以发展“中国芯”为历史己任，计划用“芯”布局未来：公司拟提出建设宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目，通过生产具有自主知识产权的中高端光电子芯片并以此为核心生产中高端光电子器件，将公司多年的研发成果进行产业化，以满足国内及全球信息化、宽带化对中高端光电子器件日益增长的需求。

　　项目建设的目的

　　1、顺应公司技术垂直整合、加强协同效应的发展思路

　　公司一直坚持从“芯片-器件-模块-子系统”的技术垂直整合之路。

　　公司在自身技术平台发展的基础上，通过广泛开展与国内外的优势研究机构和大学的交流与合作开展自主研发，并对关键产业链和关键技术平台通过实施并购重组等方式，加快技术切入，提高在光电子芯片与器件行业内的技术整合实力。

　　公司2012年通过收购WTD（即武汉电信器件有限公司）完成了对有源光器件的产业整合，此次收购后公司产品覆盖了有源、无源以及光电混合的全系列各类光器件和模块，企业竞争力得到了大幅提升。2013年上半年，在自主研发的同时，公司加强了整合上游芯片的力度，收购了IPX （即丹麦Ignis Photonyx A/S 公司，收购后更名为光迅丹麦有限公司）。通过此次收购，公司获得了基于PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）的芯片设计制造核心技术。

　　本次募集资金投资项目——宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目主要是针对有源芯片为核心的光器件产业化，项目的核心内容是建设具有自主知识产权的中高端有源芯片制造能力，并以此为基础生产中高端有源光器件，是公司执行技术垂直整合思路的重要一步。

　　本次募投项目的实施，不仅能够进一步提升公司在光电子芯片与器件方面的技术水平和生产能力，同时还能够带动公司光有源器件的工艺水平和生产制造能力的提升，推动相关产品线进行垂直整合，对提高公司的总体竞争能力、整体发展水平和盈利能力起到极大的促进作用。

　　本次募投项目实施之后，公司将形成更完整的、从有源到无源的“芯片-器件-模块-子系统”垂直一体化产业链，协同效应更为显著。

　　2、顺应公司光电子器件智能化、集成化的产品发展思路

　　公司始终坚持在专业技术研发、应用技术研发的基础上，进一步拓展集成化技术研发。公司鼓励具有自主知识产权的原创性技术研究，倡导跨专业的技术集成，强化光电子器件集成化和系统化的开发，结合市场需求和产业经济要素，重点开展光电子器件技术与应用、高效低成本制造技术、专业化工艺作业与过程控制体系等项目的研发，探索实现光电子器件技术升级的有效途径，顺应行业技术进步的趋势和潮流。[page]

本次募投项目的实施将进一步提升公司在中高端有源芯片方面的生产工艺水平和产业化规模，为公司未来拓展基于中高端核心光电子芯片技术的高智能化、高集成化产品打下坚实的基础，顺应了公司光电子器件智能化、集成化的产品发展思路。

　　3、顺应不断升级的市场需求

　　随着单通道传输速率的提高和密集波分复用技术的广泛应用，基础光传送网络已经拥有巨大的原始带宽资源，光纤通信在进一步追求高速大容量干线传输的同时，逐步向以智能化、集成化、低成本和高可靠性为特征、以城域网和接入网(光纤到户)为发展重点、以全光通信为远景的新一代光通信网络演进，通信和信息产业领域中新一轮的国际竞争正在酝酿之中。

　　无论是高速光传输技术、密集波分复用技术，还是宽带光纤接入技术和全光网络技术，总体上讲光纤通信系统的发展和推广应用无不取决于光电子器件技术的突破与实用化。

　　基于上述不断升级的市场需求，公司拟通过本次募集资金投资项目将产品线从主要集中于2.5G以下的普通FP-LD、DFB-LD、PIN、APD等类型上，逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品，以升级产品结构，顺应不断升级的市场需求。

　　4、顺应国际竞争及自身发展的需要

　　无论是光无源器件还是光有源器件，掌握中高端的芯片技术是在国际竞争中取胜的关键环节。

　　光迅科技作为我国通信光电子器件研究开发、生产销售最具影响的单位之一，公司在中高端、高速光电子芯片技术上已完成技术积累，必须尽快实施大规模产业化，才能继续保持行业领先地位，获得持续发展的机遇。

　　通过本次募投项目的实施，公司拟进一步扩大中高端光电子芯片及其器件的生产规模，扩大在国内乃至国际光通信设备市场的份额，大力推动我国光通信产业的发展，显著提升我国在光通信设备制造领域的核心竞争力。

　　本次募投项目的实施也将能够进一步增强公司光电子芯片与器件领域在技术、管理、生产上的竞争实力，从根本上提高相关产品的工艺技术水平与核心竞争能力，保持良好的持续盈利能力。