台积10nm明年试产，未来5年半导体年增仅3~5% 台积成长胜产业

    将在6月24日召开股东会的台积电（2330），股东会年报已先出炉，预估未来5年全球半导体市场年成长率仅3~ 5%，台积电的成长将显著超越全球半导体市场；而在高阶制程进展上，台积电也明确提到10奈米制程将于明年试产、2016年量产。


在致股东报告书中，台积电董事长张忠谋指出，相较半导体产业表现，台积电自成立27年以来，其中25年业绩成长皆显著高于整体半导体产业水准。
内容指出，2013年是台积电营收及获利再创高峰的1年。4年前，台积电洞察半导体产业将因智慧型手机与平板电脑等行动运算装置的问市，而有绝佳的成长机会，因而大笔投资于研发与资本支出，如今证明，行动运算产品果然引领潮流，触发新一波的成长动能。

 
28奈米市占逾8成
在先进制程中，张忠谋说，晶片设计公司快速采用台积电28奈米制程技术，以追求性能更卓越、更低耗电、晶片尺寸更小的行动运算产品，2013年28奈米晶圆的出货量及销货收入，带来近乎3倍成长，创下超过80%市占率。
延续28奈米制程技术的成功，台积电20奈米系统单晶片继2013年接受客户的产品设计定案后，已于2014年进入量产，将排入许多产品设计定案，预期20奈米制程将较28奈米制程更快进入量产，并将成为驱动台积电2014及2015年显著成长的动力。
关于20奈米制程之后的16奈米鳍式场效电晶体（FinFET）架构，已于2013年11月进入试产、2014年初如期完成制程验证，并预计在2015年、也就是20奈米量产后的1年内，达成量产时程目标，预计今年排入超过20个来自不同客户、横跨多种应用的产品设计定案。同时，也正在发展可较16-FinFET制程效能更高15%的16-FinFET制程强效版16-FinFET+。

着手7奈米制程开发
值得一提的是，台积电也首次明确指出10奈米制程量产时间。张忠谋说，2013年开始进行10奈米技术的开发，并计划于2015年试产、2016年量产，而10奈米技术将是继16-FinFET制程及强效版制程之后的第3代 FinFET制程，其效能与密度预计将为业界第1。在此同时，台积电也正着手于7奈米制程的开发。
至于在台积电的设计生态系统「开放创新平台」方面，张忠谋强调将持续协助客户快速利用先进技术缩短产品上市时程，当中台积电的「开放创新平台」，提供全球积体电路制造服务领域规模最大的元件资料库与矽智财组合，2013年已拓展至超过6300件。