NAND Flash价格年跌28%　产能竞争加速

摘要：介绍了一种基于Flash型FPGA的多路模拟重信号源设计方法，该系统以ACTEL公司的A3P125VQ100芯片为核心，实现了系统的软硬件结合。它包括数模转换单元、电源模块、多路模拟开关模块以及运算放大单元等，实现了电源独立的、频率可调的、不同波形的多路模拟量信号源。该系统通过编写程序可以产生正弦波、三角波、方波以及直漉波并实现1～500 Hz频率可调。研究的核心内容主要是通过FPGA控制D／A和多路模拟开关，通过D／A产生波形从多路模拟开关中送出，通过拨码开关在1～500 Hz的频率范围内控制选择，并且能够通过示波器观测到相应的频率的波形。 关键词：Flash；FPGA；信号源卡；多路选通；数模转换 0 引言 信号源

根据科技网站 ZDNet 的报导指出，半导体龙头英特尔（intel）正透过管道向合作伙伴发出通知，预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧，这也迫使得英特尔未来将优先以供应数据中心级 SSD 硬盘为主，而其搭低成本的消费级 SSD 硬盘则暂时退到供货的第二线上。 报导指出，日前英特尔向合作伙伴发出了一份 “英特尔 SSD 硬盘供应健康资讯” 的备忘录，其中说明 SSD 硬盘和 NAND Flash 快闪存储器产业目前正处于市场的需求供货吃紧的状态。因此，预计 2017 年全年 SSD 硬盘供应仍然十分竞争的情况下，将迫使英特尔专注于优先生产并供应数据中心级 SSD硬盘的需求。 此外，英特尔还在备忘录中表示，目前公司正积极地

专题： 美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术 NAND市场从来就是一片红海，而在这市场中，不乏有各路新晋者前来淘金，美光就是这么一家曾经的淘金者。21世纪初，美光的Gurtej Singh Sandhu 率先采用了pitch double patterning技术，从而推动了 30 nm NAND 闪存的发展，此后被全球 NAND Flash和 RAM存储器制造商广泛采用。 而现在经过20年的发展，美光从0起步，变成全球前五大的NAND供应商，并且成为市场上首家推出176层NAND的供应商，背后的原因有哪些？日前EEWORLD连线美光，从公司的历史以及对未来的畅享，看NAND市场的创新。 1.

国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出， 3D NAND 、DRAM与 10nm 制程等技术投资，将驱动2016年 晶圆厂 设备支出攀升，预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%，达372亿美元；而2017年则可望再成长13%，达421亿美元。   SEMI指出，2015年晶圆厂设备支出为359亿美元，较前一年微幅减少0.4%；预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升，下半年则将开始加速，为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成长率。   对成长贡献最大之类别包括晶圆代工、3D NAND晶圆厂，以及准备在2017年拉升10nm制程产能的业

2012年，随着智能手机、平板电脑、Ultrabook的井喷式爆发，有一种半导体器件会受到产业的万众瞩目----这就是Nand Flash，Gartner预估今年NAND Flash市场增长18%！ 年初以来，NAND Flash大厂英特尔、东芝、海力士、三星、美光等均有扩增新产能计划，各大厂工艺纷纷转向20nm，三星西安建厂发力10nm Nand Flash！可以说，一场围绕Nand Flash应用的存储大变革正在进行，Nand Flash应用变革给本土业者带来哪些机遇？智能手机、平板电脑供应商如何看待看待eMMC、SSD的走热？全球Flash大厂及其主控厂商又有如何的策略？3月30日， “BIWIN首届Nand Flash应用

ROM和RAM指的都是 半导体 存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，

国外媒体报道，铠侠本周宣布了计划通过新建一个名为K2的新工厂来扩展其Kitakami生产基地。这是铠侠在不到两个月的时间里宣布的第二个工厂，这表明该公司对未来几年对3D NAND存储器的需求增长充满信心。如果铠侠的扩张计划如期进行，那么两个新工厂将在2023年至2024年完成。 铠侠及其合作伙伴Western Digital正在其位于日本岩手县北上市附近的K1晶圆厂提高96层BiCS 3D NAND存储器的产量。根据发布的规模，Fab K1是世界上规模最大的联合经营的半导体工厂，其洁净室分为四期建成。两家公司于今年早些时候在K1一期设施中开始了3D NAND的商业生产，预计过渡期间的数量将会增加。同时，随着时间的推移，K1将增

我们知道一般MCU的flash有等待周期，随主频提升需要插入flash读取的等待周期，以stm32f103为例，主频在72M时需要插入2个等待周期，故而代码效率无法达到最大时钟频率。 所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。 但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些，这是为什么呢？ 我们前面了解过GD32F303 flash的code area区是零等待的，GD32F系列MCU片上Flash中Code区和Data区使用解密 零等待访问理论上就应该和在sram运行速度一样，那么为何会比sram更快一些呢？ 通过查阅GD32F303用户手册系统架构章节我们可以知道，访问flash时可以直接通