回顾美光NAND发展演进历程

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2021-12-16 来源: EEWORLD关键字:美光  NAND  176层 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

专题:美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术


NAND市场从来就是一片红海,而在这市场中,不乏有各路新晋者前来淘金,美光就是这么一家曾经的淘金者。21世纪初,美光的Gurtej Singh Sandhu 率先采用了pitch double patterning技术,从而推动了 30 nm NAND 闪存的发展,此后被全球 NAND Flash和 RAM存储器制造商广泛采用。


而现在经过20年的发展,美光从0起步,变成全球前五大的NAND供应商,并且成为市场上首家推出176层NAND的供应商,背后的原因有哪些?日前EEWORLD连线美光,从公司的历史以及对未来的畅享,看NAND市场的创新。


1. 美光最早并不关注NAND市场,是何种原因开始决定进入NAND市场,现在来看这个决定是否正确,为什么?


美光的确,最初美光并不是 NAND 供应商,那时我们只生产DRAM和NOR。随着 21 世纪初 NAND 市场的增长,我们进入了这个市场。由于 NAND 已经显示出可以通过叠加层数来降低成本的能力,因此进入这一市场是一个极佳的决定。我们能够利用我们的制造和工艺的专长进入NAND市场,并最终脱颖而出,成为 NAND 技术的全球领导者之一。


2.近些年来存储市场跌宕起伏,美光的故事也有很多,包括尔必达、与英特尔的分合,但始终不变的是美光持续对NAND技术与产能的投入。请您盘点下美光在十几年时间中,在NAND技术及市场上的创举及影响。


美光:


2012 年,美光首家量产采用hi-k金属栅极技术的NAND。

2015 年,美光率先推出CMOS阵列下架构。

2020年 第四季度,美光推出业界首款176 层 NAND,是当时层数最多的NAND。


3. 请介绍一下美光在3D NAND领域的技术演进轨迹?当初我们都经历了哪些困难的抉择,又是如何克服的?


美光:美光在开发 3D NAND 时面临着两个艰难选择。第一个是当我们第一次开发 3D NAND 时,必须在CMOS阵列下架构和电荷捕获架构之间做出选择。行业里的其他公司先是选择了电荷捕获架构,后来又添加了 CMOS阵列下技术。曾经我们决定使用具有 CMOS阵列下的浮栅架构,器件具备了一些初始优势,但我们知道最终仍需要转换为电荷捕获和替换栅极架构。所以第二个困难的选择是何时进行转换。这两个决定的做出都很艰难,我们在分析了各种场景的成本和收益后才做出了决定。


4、在摩尔定律放缓的今天,计算市场正在通过异构计算、高级封装等方式延续着算力的增长,对于NAND市场来说,3D只是其中唯一的选择么?如果还有别的,那将是什么?


美光:NAND 仍将会延续 3D架构,但也会拥抱例如先进封装这样的互补的技术创新,从而生产出可以支持异构计算及技术革新道路上其他趋势的NAND。


5.和计算产业相比,存储产业的初创者会少很多,这是否意味着该产业的创新会相对较少?如若不是,那么如何才能更好地激发存储产业的创新?


美光:目前尚不清楚存储行业的初创公司是否较少。与过去相比,开发存储半导体技术的小公司可能少了,这也许可以归因于半导体研发和制造成本过高。尽管在存储芯片上进行创新的公司数量有限,但在存储解决方案方面仍有大量的创新和投资涌入。在美光,我们致力于创新,以满足人工智能、5G、云和边缘等新技术不断变化的需求。我们的 DRAM 和 NAND 产品组合亦是如此。我们将继续突破技术界限并持续进行创新,使我们的内存和存储解决方案尽可能地更加有效且高效,以满足不断增长的广泛客户及应用领域。

关键字:美光  NAND  176层 引用地址:回顾美光NAND发展演进历程

上一篇:美光176层NAND的实施将给整个信息产业带来什么意义?
下一篇:美光176层NAND技术特点及优势详细介绍

推荐阅读最新更新时间:2024-11-17 02:07

S3C2440 启动代码分析
启动代码是系统上电或复位以后运行的第一段代码,它的作用是在用户程序运行之前对系统硬件及软件运行环境进行必要的初始化并在最后使程序跳转到用户程序,它直接面对ARM 处理器内核及硬件控制器进行编程,所执行的操作与具体的目标系统紧密相关。 S3C2440 支持两种方式的启动:Nor Flash 启动和Nand Flash 启动。Nor Flash 和Nand Flash 都是非易失性存储器,Nor Flash 的特点是芯片内执行,程序可以直接在其中运行,而不必将程序读取到RAM 中运行。Nor Flash 虽然具有这个优点,但是它的性价比远低于Nand Flash,因而很多系统采用Nand Flash 启动。Nand Flash 的特
[单片机]
东芝宣布兴建第7座NAND Flash工厂
  2017 年是  NAND  Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。 所以,当前全球的 4 大  NAND  Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、 东芝 、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。 而根据外电的报导, 东芝 就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。下面就随手机便携小编一起来了解一下相关内容吧。   事实上,目前 东芝 的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过,面对市场的强烈需求,东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来
[手机便携]
美光打破三星内存市场霸权 杀入UFS 2.1闪存
在内存领域三星是绝对的霸权,最大的内存市场,先进的内存技术,导致全球闪存受制于他。但是市场格局出现了微妙的变化,美光强势杀入UFS 2.1手机闪存,三星可能不再霸权。 2月26日,美光发布了专为安卓旗舰机打造的UFS 2.1标准闪存,容量设计为64GB、128GB和256GB。 颗粒选用TLC,3D 64层堆叠,美光强调基于人工智能技术进行了APP打开、运行有关的性能优化。 由于是第二代3D闪存,美光称性能提升了50%。 单Die面积59.341mm2,32GB,号称业内最小。因此,在同样芯片面积下的总容量翻番。 新闪存将于今春发货,2018年下半年开始出现在智能机中。 由于此前,UFS2.1能稳定供货的只
[嵌入式]
受惠资料中心与笔电需求,今年二季NAND Flash总营收季增10.8%
根据TrendForce集邦咨询调查显示,随着资料中心采购端在完成库存去化之后,逐步恢复enterprise SSD的采购动能,同时,enterprise SSD领域受惠于Intel、AMD CPU新平台的推出,大幅提升4/8TB的采用量。尽管智能手机销售因东南亚疫情关系而有下修,然由于第二季笔电需求仍相当强劲,进而支撑OEM订单数量,并推升第二季NAND Flash位元出货量成长近9%;此外,因NAND Flash控制器缺货持续,加上当时三星德州奥斯汀工厂又处于停电冲击中,随着需求增长,推升平均销售单价增长近7%,使得2021年第二季NAND Flash产业总营收达164亿美元,季增10.8%。 时序进入第三季,资料中心对于
[嵌入式]
受惠资料中心与笔电需求,今年二季<font color='red'>NAND</font> Flash总营收季增10.8%
第三季NAND Flash品牌营收季增12.2%
第三季NAND Flash市况在苹果iPhone6/6Plus新机上市备货需求强劲与OEM业者进入出货旺季的带动下,eMMC/eMCP与SSD的成长力道均高于上半年,NAND Flash价格表现也相对稳健,使得第三季NAND Flash品牌供货商营收较上季增加12.2%至85.8亿美元。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,新制程的嵌入式产品自第三季起成为市场主流,有助于各家业者成本结构的改善,而随着苹果第四季iPhone表现持续亮眼以及新产品的问世,整体NAND Flash市况将呈现稳健走势。 三星电子 三星电子第三季NAND Flash位出货量较上季增加约10%,而平均
[嵌入式]
高启全:长江存储自主3D NAND、DRAM研发欢迎美光一起加入
  台湾 DRAM 教父高启全转战大陆紫光集团操盘存储器大计划超过1年,日前晋升 长江存储 的执行董事、代行董事长,接受DIGITIMES独家专访公开未来规划;他指出,已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发,也考虑研发20/18纳米 DRAM ,会在技术开发具竞争力后才开始投产,欢迎美光(Micron)加入合作,双方合则两利,且时间会对 长江存储 有利!下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。    长江存储 计划存储器的研发,制造基地在武汉、南京两地,紫光2017年1月底资金到位,现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北集成电路产业投资基金和湖北投资集团占24%、紫光集团占51%,高启全从2月底成为长江存
[嵌入式]
紫光闪存实现3D NAND先进封装测试技术突破
昨日,紫光集团旗下紫光宏茂微电子(上海)有限公司发布信息,宣布公司成功实现大容量企业级3D NAND芯片封测的规模量产。他们表示, 这次公告标志着内资封测产业在3D NAND先进封装测试技术实现从无到有的重大突破,也为紫光集团完整存储器产业链布局落下关键一步棋。 众所周知,存储产业一直是本土集成电路产业的“芯病”所在,因为涨价和缺货,这个控制在美日韩手里的产品在过去两年让国内下游的终端厂商“痛不欲生”。为了实现中国存储自主可控的目的,紫光集团在过去几年内一直投资建设国内存储基地,打造从“芯”到“云”的产业链,这次在封测的突破也让国产存储更进一步。 打造完整产业链,芯片先行 要做存储,首先想要做存储芯片。为了实现这个目标
[嵌入式]
紫光闪存实现3D <font color='red'>NAND</font>先进封装测试技术突破
DRAM价格下滑幅度减缓 NAND市场价格易涨难跌
DRAM厂库存水位逐渐降低,将有助于减缓DRAM价格下滑幅度;NAND Flash短期内供应端产出不足,市场价格易涨难跌 DRAMeXchange消息,在DRAM厂低价出清库存下,4月上旬合约价格下跌至22至24美元。而厂商的库存水位逐渐下降到正常水位后,DRAM产业结构转趋健康。以4月上旬的合约价格来看,成本结构偏高的DRAM厂商将蒙受不小的亏损,甚至已接近部份厂商的cash cost。因此若价格持续下跌,将有部份厂商减少生产DRAM,对于DRAM产业而言价格下滑的空间将会有限。 现货市场方面,价格在短暂跌深反弹后开始回软。受到香港及台湾的连续假期影响,市场买气萎缩。DDR2 512Mb 667MHz维持在2.9美元左右,DD
[焦点新闻]
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved