回顾美光NAND发展演进历程

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2021-12-16 来源: EEWORLD关键字:美光  NAND  176层 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

专题:美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术


NAND市场从来就是一片红海,而在这市场中,不乏有各路新晋者前来淘金,美光就是这么一家曾经的淘金者。21世纪初,美光的Gurtej Singh Sandhu 率先采用了pitch double patterning技术,从而推动了 30 nm NAND 闪存的发展,此后被全球 NAND Flash和 RAM存储器制造商广泛采用。


而现在经过20年的发展,美光从0起步,变成全球前五大的NAND供应商,并且成为市场上首家推出176层NAND的供应商,背后的原因有哪些?日前EEWORLD连线美光,从公司的历史以及对未来的畅享,看NAND市场的创新。


1. 美光最早并不关注NAND市场,是何种原因开始决定进入NAND市场,现在来看这个决定是否正确,为什么?


美光的确,最初美光并不是 NAND 供应商,那时我们只生产DRAM和NOR。随着 21 世纪初 NAND 市场的增长,我们进入了这个市场。由于 NAND 已经显示出可以通过叠加层数来降低成本的能力,因此进入这一市场是一个极佳的决定。我们能够利用我们的制造和工艺的专长进入NAND市场,并最终脱颖而出,成为 NAND 技术的全球领导者之一。


2.近些年来存储市场跌宕起伏,美光的故事也有很多,包括尔必达、与英特尔的分合,但始终不变的是美光持续对NAND技术与产能的投入。请您盘点下美光在十几年时间中,在NAND技术及市场上的创举及影响。


美光:


2012 年,美光首家量产采用hi-k金属栅极技术的NAND。

2015 年,美光率先推出CMOS阵列下架构。

2020年 第四季度,美光推出业界首款176 层 NAND,是当时层数最多的NAND。


3. 请介绍一下美光在3D NAND领域的技术演进轨迹?当初我们都经历了哪些困难的抉择,又是如何克服的?


美光:美光在开发 3D NAND 时面临着两个艰难选择。第一个是当我们第一次开发 3D NAND 时,必须在CMOS阵列下架构和电荷捕获架构之间做出选择。行业里的其他公司先是选择了电荷捕获架构,后来又添加了 CMOS阵列下技术。曾经我们决定使用具有 CMOS阵列下的浮栅架构,器件具备了一些初始优势,但我们知道最终仍需要转换为电荷捕获和替换栅极架构。所以第二个困难的选择是何时进行转换。这两个决定的做出都很艰难,我们在分析了各种场景的成本和收益后才做出了决定。


4、在摩尔定律放缓的今天,计算市场正在通过异构计算、高级封装等方式延续着算力的增长,对于NAND市场来说,3D只是其中唯一的选择么?如果还有别的,那将是什么?


美光:NAND 仍将会延续 3D架构,但也会拥抱例如先进封装这样的互补的技术创新,从而生产出可以支持异构计算及技术革新道路上其他趋势的NAND。


5.和计算产业相比,存储产业的初创者会少很多,这是否意味着该产业的创新会相对较少?如若不是,那么如何才能更好地激发存储产业的创新?


美光:目前尚不清楚存储行业的初创公司是否较少。与过去相比,开发存储半导体技术的小公司可能少了,这也许可以归因于半导体研发和制造成本过高。尽管在存储芯片上进行创新的公司数量有限,但在存储解决方案方面仍有大量的创新和投资涌入。在美光,我们致力于创新,以满足人工智能、5G、云和边缘等新技术不断变化的需求。我们的 DRAM 和 NAND 产品组合亦是如此。我们将继续突破技术界限并持续进行创新,使我们的内存和存储解决方案尽可能地更加有效且高效,以满足不断增长的广泛客户及应用领域。

关键字:美光  NAND  176层 引用地址:回顾美光NAND发展演进历程

上一篇:美光176层NAND的实施将给整个信息产业带来什么意义?
下一篇:美光176层NAND技术特点及优势详细介绍

推荐阅读最新更新时间:2024-11-11 12:32

美光176NAND的实施将给整个信息产业带来什么意义?
专题: 美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术 现代计算机自问世以来已历经50余年的历史,但计算机所遵循的基本结构形式始终是冯·诺依曼机结构。在这其中,离不开存储器的发展。而今,越来越多针对存储器的创新正在悄然而至,那么未来存储器的变化有哪些?可以给人们的生活及工作带来哪些新变革? 日前,借美光推出176层NAND一年之际,EEWORLD采访了美光,针对NAND的创新、存储器对信息产业的影响以及美光的创新优势等多角度给予回答。更重要的是,通过NAND的不断创新,对于我们日常已经离不开的手机、云或者传统应用而言,都收获了哪些便利性。 1、在美光看来,内存对于信息产业的发展意味着什么,这些年来它所扮
[嵌入式]
美光在Computex上发布多项创新,涵盖NAND及DRAM
2021年6月2日——内存和存储解决方案供应商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU) 今日发布多项产品创新,涵盖基于其业界领先的 176 层 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的内存和存储创新产品,并推出业界首款面向汽车应用的通用闪存 (UFS) 3.1 解决方案。这些最新产品由美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 在台北国际电脑展COMPUTEX 2021 主题演讲中发布,体现了美光通过内存和存储创新加速数据驱动洞察的愿景,从而助力数据中心和智能边缘的创新。Mehrotra 先生还在演讲中深度分享了计算创新愿景,以及内存和存储在帮助企业
[嵌入式]
美光科技和英特尔发布NAND存储联合开发计划的最新动态
美光科技和英特尔今日发布了双方 NAND 存储联合开发计划的最新动态。这段成功的合作关系已帮助两家公司开发出行业领先的 NAND 技术并顺利推向市场。 此次发布内容包括两家公司商定将各自独立开发新世代 3D NAND 技术。双方同意共同完成第三代 3D NAND 技术的开发,该技术将在 2018 年末交付,并持续到 2019 年初。在此技术节点之后,两家公司将独立开发 3D NAND 技术,针对各自的业务需求更好地优化技术和产品。 美光科技和英特尔均预期各自未来的 3D NAND 技术节点开发步调不会发生改变。两家公司目前正量产以第二代 3D NAND(64 层)技术为基础的产品。 双方仍将继续在位于犹他州李海的 Intel-
[嵌入式]
SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务
2020年10月20日,SK海力士和英特尔在韩国时间10月20日共同宣布签署收购协议,根据协议约定,SK海力士将以90亿美元收购英特尔的NAND闪存及存储业务。 本次收购包括英特尔NAND SSD业务、NAND部件及晶圆业务,以及其在中国大连的NAND闪存制造工厂。英特尔将保留其特有的英特尔傲腾TM业务。 SK海力士与英特尔将争取在2021年底前取得所需的政府机关许可。在获取相关许可后,SK海力士将通过支付第一期70亿美元对价从英特尔收购NAND SSD业务(包括NAND SSD相关知识产权和员工)以及大连工厂。 此后,预计在2025年3月份最终交割时,SK海力士将支付20亿美元余款从英特尔收购其余相关资产,包括NAN
[嵌入式]
保利协鑫成功收购美光伏材料鼻祖SunEdison
日前,H股光伏“龙头”保利协鑫正式对外宣布,该公司已于美国时间3月31日,成功完成了对美国SunEdison的收购案。而SunEdison曾是全球最领先的清洁能源资产公司之一。 早在去年8月份,保利协鑫就曾对外公布,该公司与美国SunEdison各公司签署了协议,保利协鑫将以1.5亿美元的全现金方式收购SunEdison及其附属公司SunEdison Products Singapore、MEMC Pasadena和Solaicx的部分技术和资产。 但彼时这项收购还存在较多不确定性,其中包括有无其他出价竞争,以及美国破产法院的裁决、美国司法部反垄断局、联邦贸易委员会、美国外国投资委员,以及中国商务部和新加坡相关部门的审查结
[半导体设计/制造]
东芝将投资扩产NAND Flash
2017 年是 NAND Flash 闪存厂商丰收的一年,零售价格的暴涨带动了厂商的营收,同时还对获利有了巨大贡献。所以,当前全球的 4 大 NAND Flash 厂商,包括三星、Intel/美光、东芝、SK 海力士也有了充足的资金来进行新一波的投资。而根据外电的报导,东芝就最新宣布,将拿出 70 亿日圆的金额,准备兴建第 7 座闪存工厂(Fab7),地点就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事实上,目前东芝的第 6 座工厂(Fab 6)正在建设当中,预计将于 2018 年第 4 季完工。 不过,面对市场的强烈需求,东芝扩产的步伐似乎还不打算停下来。因此,东芝在 21 日宣布,将投资 70 亿日圆用于 Fab7 厂的兴建,
[嵌入式]
最新技术NVDIMM,有望冲破内存墙
随着 DRAM 内存容量和频率的持续增长,现有电脑内存的安全性也一直没有得到提升。近日,JEDEC固态技术协会宣布的最新第一代协议是由对DRAM容量和带宽的需求增加,以及在计算系统中附加新兴的持久内存的灵活方法所驱动的。NVDIMM-P 内存能够在意外断电时保留原有数据,与英特尔傲腾(Optane)内存芯片比较类似。 JEDEC混合DIMM任务组标准化NVDIMM主席Jonathan Hinkle表示,JESD304-4.01 DDR4 NVDIMM-P总线协议为混合DIMM技术提供了正式规范,如NVDIMM-P,它使设计工程师能够将DDR的访问速度与非易失性存储器的可靠性和容量相结合,以改进数据管理。 该标准的关键目标是
[嵌入式]
最新技术NVDIMM,有望冲破内存墙
基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现
1 NAND FLASH NAND写回速度快、芯片面积小,特别是大容量使其优势明显。页是NAND中的基本存贮单元,一页一般为512 B(也有2 kB每页的large page NAND FLASH),多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同,通常以16页或32页比较常见。块容量计算公式比较简单,就是页面容量与块内页面数的乘积。根据FLASH Memory容量大小,不同存储器中的块、页大小可能不同,块内页面数也不同。例如:8 MB存储器,页大小常为512 B、块大小为8 kB,块内页面数为16。而2 MB的存储器的页大小为256 B、块大小为4 kB,块内页面数也是16。NAND存储器由多个块串行排列组成。实际上,NAND
[单片机]
基于ARM9内核Processor外部<font color='red'>NAND</font> FLASH的控制实现
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved