DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势

stm32不同芯片种类对flash的分配情况都是有些许差别的，所以建议阅读芯片手册，这里将简述L1系列的flash。 1 NVM overview 1.1主存储块(Main/Program memory) 主要保存程序和一些const变量，地址从0x0800 0000开始，每4K为一个扇区，每个扇区由16页组成，每页包含256bytes。 程序文件是从 0x0800 0000 地址写入，这个是STM32开始执行的地方，0x0800 0004是STM32的中断向量表的起始地址，M3复位后，从0x08000004取出复位中断的地址，并且跳转到复位中断程序，中断执行完之后会跳到主函数，主函数里边一般是一个死循环，进去后就不会再退

三星电子刚刚结束了一个上升周期。 半导体市场研究机构 IC Insights 本周发布的最新报告显示，由于存储芯片（主要包括DRAM和NAND闪存）市场景气周期结束，三星电子在2019年的营收可能会下降19.7%。 如果是这样，三星将在2019年，失去保持两年的全球第一大半导体公司的王位，让位英特尔。 当年将三星推上全球半导体第一的业务，也正是即将把三星拖下王位的业务：存储芯片。 成也存储，失也存储 存储芯片业务，是三星电子过去三年里最重要的业务。 它在三星销售额占比不断上升，从2015年Q4的15.6%，一路上升到了2018年Q3的32.2%。同期，以存储芯片为主要业务的半导体业务，贡献的营业利润增长了387

12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。 三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。 报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。 报道称三星将 DRAM 和 NAND 闪存的产量提高 24%，而 SK 海力士的目标是将 DRAM 产能提高到 2022 年年底水平。 根据集邦咨询公布的 2023 年第 3 季度营收数据，

　　FLASH驱动在嵌入式系统中有着举足轻重的位置，而目前市场上NAND FLASH的价格又要便宜与NOR FLASH,随着越来越多的平台支持从NAND FLASH中启动，掌握NAND flash的驱动编写有着重要的现实意义，由于内核已经完成了大部分的工作，实际工作中大部分工程师对NAND FLASH驱动只是简单的修改，对其工作原理并不太清楚，下面我们来分析一下NAND FLASH的代码流程，从中体会块设备的代码之美。 　　在学习NAND FLASH驱动之前，我们需要对块设备中下面的重要2点有个认识： 　　1.gendisk: 描述块设备实体(一整个nandflash芯片)的结构体 　　整个块设备的注册过程都是围绕ge

//****************************************************************************** //****************************************************************************** #include #define FLASH_ADDRESS 0x01000 //定义FLASH信息区地址B段 unsigned char write_buff ={0x01,0x03,0x04,0x09}; //用于存放被数组 unsigned char checkout ;

源程序 static void s3c2440_write_addr_lp(unsigned int addr) { int i; volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2440nand- NFADDR; int col, page; col = addr & NAND_BLOCK_MASK_LP; page = addr / NAND_SECTOR_SIZE_LP; *p = col & 0xff; /* Column Address A0~A7 */ for(i=0; i 10; i++); *p = (col 8)

    November 2, 2012---虽然2012年第三季初期NAND Flash市场需求受全球经济复苏缓慢的影响而呈现疲弱不振，但东芝7月中宣布减产及9月中苹果发布新的iPhone 5也为市场带来了正面的激励因素，随着第三季后期系统产品OEM客户的备货需求开始回温，NAND Flash市况转为供货偏紧，9月份NAND Flash合约价格也转为止跌回升的状况。根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示，2012年第三季 NAND Flash品牌供货商的ASP较上季小跌3% QoQ，第三季整体NAND Flash品牌供货商的位元出货量较上季成长10% QoQ，故2012年第三季整体NA

      日前，机构iSuppli指出，NAND闪存价格大幅波动的现象，大幅削弱了之前对2009年固态硬盘(SSD)在笔记本电脑市场普及的预期。 iSuppli专研行动和新兴内存的资深分析师Michael Yang表示，近期NAND闪存价格上涨，对闪存供货商来说来说是好事，但却为SSD在笔记本电脑的普及带来阻碍。因为SSD的价格约有90%由NAND闪存决定。所以当NAND闪存价格上涨，SSD在个人和企业市场的销量就会减缓。 多层单元(MLC)规格16GB的NAND闪存，其平均价格大幅上涨127.8%，从2008年第1季的1.8美元上扬至2009年第2季的4.10美元。 iSuppli提供的数据表示，业者为了提升获