市况有利加3D制程策略美光NAND市场应有可为

    我国拥有自主知识产权的三维NAND闪存芯片距离批量生产又进一步。4月11日上午，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目，首套芯片生产机台进场安装。这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入生产准备阶段。年内，32层三维NAND闪存芯片将在中国光谷实现量产。 　　作为电子产品的制造大国和消费大国，中国通用存储器需求占全球产能的50%。三维NAND闪存芯片多用于手机、高性能服务器，目前全部依赖进口，市场话语权被三星、东芝、镁光等美、日、韩企业把控。紫光集团董事长赵伟国说，国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破，更是打破西方国家垄断

　　近日，日本 东芝 已通知其主要关系银行，计划让旗下美国核业务西屋电气在3月31日申请破产。西屋电气根据破产法第11章申请破产，会使本财年该业务相关费用升至大约1兆日元(约90亿美元)，远超之前公开预估的7125亿日元。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 买家众多 东芝存储业务将花落谁家？ 　　除了西屋电气的巨额亏损问题外， 东芝 还需要准备更多的资金来弥补未来液化天然气(LNG)的跌价可能出现的巨额损失。 东芝 由于对天然气期货行情判断错误，导致长期要从美国企业采购较贵的LNG。如不能找到对冲销售客户，或者天然气价格不能如预期上涨，今后20年间最大或导致近1兆日元(约90亿美元)的损失。虽然总量中约一半已与多

上海2014年9月10日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981）今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度 NAND 闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。 NAND 闪存是近年来发展最为迅速的非易失性存储（NVM）产品。38纳米 NAND 闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网（IoT）、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。客户也可利用此技术带动串行外设接口（SPI）N

1. 概述 我的TQ2440开发板上安装有2M的NOR FLASH和512M的NAND FLASH。 NOR FLASH 的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），应用程序可以直接在 NOR FLASH 里运行，不必再把代码读到系统RAM中（可以节约SRAM的成本）。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND FLASH的特点是有很高的存储密度，并且写入和擦除速度也很快，但是无法直接寻址运行程序，接口上需要专门的控制器。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。 因此，NOR FLASH一

5 月 10 日消息，总部位于美国的 3D NAND 闪存厂商 Neo Semiconductor 近日推出了 3D X-DRAM 存储芯片，声称是全球首个采用类似于 3D NAND 的 DRAM，其容量明显超过当前的 2D DRAM 解决方案。 3D X-DRAM 存储的首个版本实现了 128 Gb，每个芯片 230 层，密度比目前的 2D DRAM 芯片高 8 倍。 Neo Semiconductor 认为，与其他 3D DRAM 替代方案相比，该解决方案可以更轻松地扩展，并且实施成本更低，使其成为在不久的将来取代 2D DRAM 的可靠候选者。 3D X-DRAM 技术的核心在于创新使用了浮动体单元 （FBC），

三星电子(Samsung Electronics)宣布，2011年将开始量产较既有快闪存储器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年开始量产后，采用该产品的智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)中所储存的影片、照片、音乐等再生速度将更上一层楼。 　　三星近期已完成可支持400Mbps资料处理速度的Toggle DDR2.0规格NAND Flash开发作业，并计划于2011年投入量产。三星计划20奈米制程以下的NAND Flash产品将全部采用Toggle DDR2.0技术。 　　Toggle DDR2.0 NAND Flash较既有的SDR NAND Fl

除了美光和SK海力士宣布了200+层的NAND之后，三星也宣布正准备开始量产其第 8 代 236层V-NAND 3D内存，并为固态存储设备带来更高的性能和密度。 三星在 2013 年凭借 24 层 V-NAND 闪存领先竞争对手数年，其他公司也花了相当长的时间才赶上。但从那以后，这家韩国巨头变得更加谨慎，因为构建数百层的 NAND 变得越来越困难。今年，美光和 SK 海力士凭借 232 层和 238 层 3D TLC NAND 设备击败了三星。但据韩国商业报道，三星并没有停滞不前，正准备开始批量生产 236 层的 3D NAND 存储器（当然，将被命名为 V-NAND）。 三星在 2021 年年中生产了首批超过 200 层

作为全球最主要的NAND闪存公司之一，SK海力士是最后一家开发3D NAND闪存技术的公司，但公司迅速赶上了潮流，因此能够在2018年将其技术能力提升到与顶级集团相同的水平。在2019年夏季，他们更是达到了可以被称为最先进的水平，并成为3D NAND闪存开发的推动力。 SK hynix的3D NAND闪存开发的特点之一是陆续引入了新的基本技术。Tech Insights 的Choe在一次演讲中展示了一张由SK hynix开发的3D NAND闪存的硅芯片上切出的存储单元阵列的照片，以及用电子显微镜观察的横截面结构。　从2015年到2019年，SK Hynix开发了四种类型的存储单元阵列。2015年至2016年开发的首