三星稍早确定推出代号“Mongoose”,并且首度导入自主架构设计的Exynos 8890处理器,制程技术自然采用自家14nm FinFET规格,预期将会用在下一款旗舰新机Galaxy S7。但或许也因为Galaxy S7将同时采用Qualcomm提供的Snapdragon 820处理器,因此预期两者效能表现将不会有太大差别。
在先前传出不少消息后,三星正式宣布推出代号“Mongoose”,同时首度采用自主架构设计的全新Exynos 8890处理器,本身透过自家14nm FinFET制程技术设计,并且维持“4+4”大小核心架构设计。其中,小核部分维持采用ARM Cortex-A53,大核部分则使用三星首款自主架构设计核心,主要以ARMv8指令集为基础,而GPU部分则维持使用ARM Mali-T880。
至于通讯部分则首度整合LTE数据晶片,分别提供速度可达600Mbps下载速度的LTE Cat.12规格,以及对应150Mbps上传速度的LTE Cat.13规格。而整体效能表现部分,三星表示相比Exynos 7系列处理器,Exynos 8890将可提升30%效能表现,同时减少10%耗电量。
整体架构设计不难发现Exynos 8890几乎直接指向Qualcomm近期正式发表的Snapdragon 820处理器,仅差别在Qualcomm在Snapdragon 820仅导入“2+2”非对称式核心架构设计,同时强调核心数量并非等同效能表现的设计想法,但两者实际差异预期不会太过明显,毕竟三星预期在明年揭晓的Galaxy S7同时采用两款处理器,理论上应该不会产生效能表现差异。
目前三星预计在年底前使Exynos 8890进入量产,并且将在2016年上半年间应用在市售产品。
关键字:三星 Exynos
引用地址:三星首款自主架构处理器 Exynos 8890正式揭晓
在先前传出不少消息后,三星正式宣布推出代号“Mongoose”,同时首度采用自主架构设计的全新Exynos 8890处理器,本身透过自家14nm FinFET制程技术设计,并且维持“4+4”大小核心架构设计。其中,小核部分维持采用ARM Cortex-A53,大核部分则使用三星首款自主架构设计核心,主要以ARMv8指令集为基础,而GPU部分则维持使用ARM Mali-T880。
至于通讯部分则首度整合LTE数据晶片,分别提供速度可达600Mbps下载速度的LTE Cat.12规格,以及对应150Mbps上传速度的LTE Cat.13规格。而整体效能表现部分,三星表示相比Exynos 7系列处理器,Exynos 8890将可提升30%效能表现,同时减少10%耗电量。
整体架构设计不难发现Exynos 8890几乎直接指向Qualcomm近期正式发表的Snapdragon 820处理器,仅差别在Qualcomm在Snapdragon 820仅导入“2+2”非对称式核心架构设计,同时强调核心数量并非等同效能表现的设计想法,但两者实际差异预期不会太过明显,毕竟三星预期在明年揭晓的Galaxy S7同时采用两款处理器,理论上应该不会产生效能表现差异。
目前三星预计在年底前使Exynos 8890进入量产,并且将在2016年上半年间应用在市售产品。
上一篇:联发科:牵手紫光 方法很多
下一篇:中芯财报超越台积电联电 股价飙14%!如何办到?
推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 15:04
20nm将仅存2家IDM厂:Intel和三星
整合元件制造(IDM)厂持续不断朝轻晶圆厂发展,研调机构IC Insights预期,迈入22/20奈米制程将仅存英特尔及三星两家IDM厂。 据IC Insights统计,0.13微米制程时代全球有多达22家IDM厂。随着IDM厂朝轻晶圆厂发展趋势成型,IDM厂数量急遽减少。 至45奈米制程时代,IC Insights指出,全球IDM厂已不到10家,仅剩9家IDM厂。 日本富士通(Fujitsu)近期进行营运策略调整,退出半导体制造领域,其中,三重县厂分割成立新公司,引进晶圆代工厂联电入股,显示IDM厂朝轻晶圆厂发展趋势持续不断。 IC Insights表示,目前IDM厂资本支出多维持在年营收的10%以下
[半导体设计/制造]
三星Galaxy S新旗舰真机首曝:罕见小尺寸直屏
按照此前传闻,三星很大概率会在CES 2022展会期间月正式发布一款名为Galaxy S21 FE的特别版机型,这是一款主打高性能的性价比旗舰,也是三星旗下最便宜的旗舰手机。 由于此前FE版本机型都是小尺寸直屏机型,且性能、屏幕素质等方面都同样出色,Galaxy S21 FE版本也备受期待。 今天上午,知名爆料博主@i冰宇宙 带来了外网曝光的Galaxy S21 FE真机上手,这也是该机型首次有真机直接泄露出来,提前展示了外观方案。 根据图片显示,Galaxy S21 FE整体设计确实与此前曝光过的渲染图基本一致,尤其是之前备受好评的正面方案得以实现。 网曝三星Galaxy S21 FE真机上手 Galaxy S21 FE
[手机便携]
三星让你大开眼界
三星目前在折叠屏手机市场上属于第一梯队。而三星近期在官方博客新闻稿页面展示了两种不同的折叠屏可能的未来形态,与此前三星专利内容吻合,预计三星方面正在开发相关机型,将创意变为现实。 当然,三星目前也只是在官博暗示一下,并未有其他内容公布,主要意图应为展示相关内容同时透露三星显示已有相关计划,关于此专利的内容详情可参考IT之家此前报道。 ▲ 图为 LetsGoDigital根据三星专利所制渲染图,下同
[手机便携]
三星位第一,VR/AR全球发明专利排行榜TOP100发布
近日,知识产权综合信息服务提供商IPRdaily发布2020年以来的VR/AR全球发明专利排行榜TOP100。 据悉,数据截取自2020年1月-2021年12月公开的VR/AR相关的发明专利申请。 榜单显示,前十位分别为三星、腾讯、百度、索尼、OPPO、平安集团、商汤科技、佳能、华为、微软。其中,位居前三的三星、腾讯、百度专利数分别为4094、4085、3094。 此外,APPLE、京东方、VIVO、海康威视、西安电子科技大学、联想、东南大学、武汉大学、中科院、汇顶科技、大疆科技等也成功跻身TOP100排行榜。
[手机便携]
三星加拿大增设AI研究室,集中研究系统半导体AI
三星电子于5月2日宣布,在加拿大蒙特利尔转移并扩张「综合技术院-蒙特利尔AI研究室」规模,未来将集中研究适用于系统半导体的人工智能(AI)。 据韩媒《Bloter》报导,三星电子于1日(当地时间)迁移、扩张「蒙特利尔AI研究室」至加拿大蒙特利尔Mila研究所。Mila研究所由全球三大深度学习领域学者之一的约书亚·班吉欧(Yoshua Bengio)为主力,是结合蒙特利尔大学、麦基尔大学研究团队、全球企业的AI开发者进行全球性深度学习研究的专门机构。 三星电子在进行扩张前,特地聘请蒙特利尔大学教授Simon Lacoste-Julien担任蒙特利尔AI研究室的研究长。Simon Lacoste-Julien
[手机便携]
SSD降价有望了,三星等“大咖们”都在提高产能
据外媒报道,从去年下半年至今,SSD/内存的价格就坐上了火箭,而且一点降价的迹象都没有,反而是SSD厂商不断传出不利因素,致使很多用户每天都在提心吊胆。不过现在总算有好消息了,首先是三星即将量产第四代堆叠闪存,还有是SK海力士也在进一步提高产能。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 传三星/海力士正提高3D闪存产能 报道称,三星三星位于京畿道平泽市的全球最大半导体工厂开始量产出货第四代堆叠闪存,达到64层,预计相关SSD会在Q3\Q4正式登场。另外SK海力士,第四代72层3D NAND也已经在清州M12工厂量产,产能是比上一代提高了30%。SK海力士表示,希望在年底前,将3D闪存的产量再提高50%。 此前,SS
[嵌入式]
三星研究院院长张代君:NSA是5G,不要被SA谣言蒙蔽
5G已经商用了,其所带来的利好对于各行各业来说都是巨大的,尤其初期对于手机行业来说更是如此。三大运营商预计将会在9月正式公布5G相关资费政策,这也会进一步刺激各大手机厂商下半年推出5G手机的进程。 集微网消息,2019年8月21日,三星电子在北京举办了三星Galaxy Note10系列新品发布会。其中,Galaxy Note10+ 5G成为了三星在中国市场推出的第一款5G手机。 作为5G时代的全新旗舰,三星Galaxy Note10系列搭载了智慧型S Pen、功能强大的专业级视频摄像头组合。其中Note10为4G版,8+256GB版售价6599元,Note10+5G版,12+256GB版售价为7999元,将于9月12日正式开售。
[手机便携]
三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子星期一称,30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用,准备应用到产品中。 三星称,2GB DDR3内存芯片耗电量比用50纳米生产技术制造的内存芯片的耗电量减少了30%,生产成本效率提高了一倍多。三星用于笔记本电脑、台式电脑和服务器的2GB DDR3内存芯片只使用1.5伏或1.35伏电源。 据经营在线内存芯片市场的DRAMeXchange Technology称,由于DDR3内存芯片降低了耗电量和提供了速度,DDR3内存可能会在本季度取代其以前的产品DDR2内存。PC厂商正在积极地推动在笔记本电脑和服务器中使用这种内存芯片。 使用30纳米生产技术将使三星电子
[半导体设计/制造]
小广播
热门活动
换一批
更多
最新手机便携文章
- 曝iPhone SE 4首发苹果自研5G基带:明年3月登场
- 曝iPhone 17全系首发3nm A19系列芯片:无缘台积电2nm工艺制程
- 供应链称上游元器件要大降价:国产手机现涨价潮后会主动下调售价吗
- 消息称苹果将拿出近 1 亿美元用于解除印尼 iPhone 16 系列销售禁令
- 消息称塔塔公司收购和硕在印度的唯一一家iPhone工厂,深化与苹果合作
- 苹果遭4000万英国iCloud用户集体诉讼,面临276亿元索赔
- 消息称苹果、三星超薄高密度电池均开发失败,iPhone 17 Air、Galaxy S25 Slim手机“变厚”
- 美光亮相2024年进博会,持续深耕中国市场,引领可持续发展
- Qorvo:创新技术引领下一代移动产业
更多精选电路图
更多热门文章
更多每日新闻
更多往期活动
- 《CoolSiC™英飞凌最佳的伺服驱动解决方案》白皮书下载
- 浏览Intel物联网时代下的工厂&建筑,下载赢奖品
- TI单芯片毫米波传感器产品组合新品发布会,诚邀参与,预注册赢好礼
- TE有奖活动|如何有效应对当下测试测量领域的挑战
- 有奖直播:Microchip适用于CryptoAuthentication™系列的可信任平台
- ADI有奖下载活动之14 ADI公司针对pH计和电导率仪的演示系统
- 免费申请|Maxim 高性能模拟工具包(内含78个器件)
- 有奖答题|TE《新能源应用解决方案白皮书》
- 下载有好礼!罗姆带您学习电源设计应用小技巧(功率器件篇)
- 新年测评活动!ST NUCLEO-H743ZI“佩奇”待测,快来申请年后第一波测评!
11月23日历史上的今天
厂商技术中心