存储器价格降温？或许只是长达18个月的“美梦”

集微网消息，从2016年第二季度开始，存储器价格一路飙升，每个季度都在刷新着销售额纪录。

这一波涨价趋势，也着实“养肥”了不少存储器大厂。根据市场分析机构IC insights最新的报告显示，三星凭借着强势的存储器业务已经力压英特尔，连续两年坐上了半导体销售排行榜的龙头宝座。此外，今年SK 海力士也是凭借其存储业务，将台积电挤下了前三的位置。

        一方面，这一波涨价潮让存储器厂商获利不少，但同时也让终端厂商尝到了切肤之痛，成本大增，利润降低了不少。

        现在厂商和消费者们终于熬到了头，近日，市场研究机构DRAMeXchange指出，10月份的DRAM合约价已经正式走跌，除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响将导致价格跌幅剧烈。

        存储器价格为什么开始下降?

        2017年底到2018年发生了什么，为什么存储器的价格会有所下降？主要有以下几点原因。

        一是，市场对存储器的需求有所放缓。集微网记者了解到，英特尔14纳米x86 CPU 产能短缺，比特币价格下跌造成的中低端挖矿机需求不振，及新兴市场货币贬值造成的中低端手机销售不佳，造成明年内存DRAM和闪存NAND预计将会有3-5%的供过于求。

        二是，由于前两年价格一路看涨的趋势，各大内存厂产能“刹不住车”，导致NAND Flash快闪存储器和DRAM价格开始持续走低，终结了持续两年的市场供应紧俏状况。

        三是，从2016年开始，全球各大存储芯片厂商纷纷开始升级，而供不应求的情况正是出现在技术转换期内。而现在，随着三星开始量产96层3D NAND芯片，东芝、西数也宣布量产96层QLC闪存颗粒等，也宣告技术转换期的结束。

        四是，来自客户的压力。手机厂商贡献了全球三分之一的存储芯片需求，许多手机厂商一直在对存储器供应商施压，想让他们降低价格。

        存储器价格下降预计不超过18个月

        然而，即便是近期存储器的价格有所放缓，手机厂商们也不用太高兴。据业内人士分析，此次价格下降趋势预计不超过18个月。

        据了解，英特尔14纳米x86 CPU 短缺状况应会于明年中之前改善，10纳米x86 CPU应于明年下半年量产，AMD 7纳米x86 CPU，7纳米挖矿机及智能手机，5G手机等都将于明年上市取代中低端机型及对存储器半导体产生正面影响。因此可以预估大多数的内闪存存储器半导体公司会面对营业利润率从近50%的高位下滑，但却不至于步入亏损。

        并且，存储器厂商们也有进行一定的措施防止价格下滑太严重。

        近日，韩国存储器大厂SK海力士表示，为了应对2019年包括NAND Flash快闪存储器及DRAM的价格下跌，公司决定不但将自2018年底前开始减少投资规模，还将监控并调整2019年的产能。

        同时，韩媒Digital Daily报道也称，三星电子降低了利润较低的移动DRAM生产比重，提高了利润更高的DRAM供给，并且今年不会再进行DRAM和NAND Flash的新产线投资。

        而另一个内存大厂美光由于存储器需求和价格同步下滑，将会囤积库存，以放缓其价格下跌的速度。根据美光的说法，控制产能之外还会加速研发，以此来抢占未来DRAM的高端市场，其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产，基于18nm以下工艺，这就意味着，搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。

        “赶了个晚集”的中国厂商

        但是，中国厂商似乎并没有尝到涨价潮的福利。

        目前，国内存储器主要依靠进口，数据显示，我国每年进口的存储器金额约为600亿美元。存储器可以说是扼住了中国半导体发展的咽喉。为此，国家下定决心发展存储器产业。

        国产存储器厂商最近一段时间更是没有闲着，在国内呼唤芯片等科技自主的声音里，早就开始加快科研与投产进度。虽然还没有给传统存储器厂商带来实质影响，但也足够给存储器市场带来一剂降温药。

        最新的消息来自于长江存储，其32层3D NAND将于今年底前投入量产，也就是现在了，并要争取实现每月30万片晶圆的产能。另外，两天前爆出消息，有业界人士透露，长江存储Xtacking架构的64层NAND样品已经送至合作伙伴进行测试，读写质量大致稳定，预计最快将在2019年第3季投产。长江存储更计划在2020年跳过96层3D NAND，直接进入128层堆叠。

        在产能方面，长江存储武汉存储基地一期已经投入生产，原本该工厂计划的是10万片产能，但实际可以做到15万。为了进一步扩大生产规模，武汉存储基地二期和紫光成都存储器制造基地已经开工，正在不断扩大生产规模。

        福建晋华最近则是传出了不好的消息。由于与联电有紧密的合作关系，共同研发DRAM，当被卷入联电与美光的知识产权纠纷时，麻烦随之而来，美国政府找各种理由，禁止美国等半导体设备厂商将相关设备和技术出售给福建晋华，随之而来的是，联电也中止了与晋华的合作。

        合肥长鑫方面，则是在今年7月正式投片了DRAM，启动试产8Gb DDR4工程样品。这也是第一个中国大陆自主研发的DRAM芯片。

        现在，国内存储器厂商真正“见真功”和“花大钱”的时候到了。不过目前来看，国内三大存储器厂商由于技术原因，与国际大厂的差距还很明显，想要赶上涨价潮的红利还需努力！