南亚科祭出库藏股应战

发布者:FreeSpirit123最新更新时间:2018-12-13 来源: 爱集微关键字:存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

芯科技(文/士心)

存储器展望不佳,外资纷纷调降投资评等,相关公司今年以来股价跌跌不休,台湾南亚科近期祭出今年第二波库藏股,力抗股价逆风。

全球半导体贸易统计协会(WSTS)上月底下修对明年存储器市场成长率,从今年六月时预估的年增3.7%,一口气下调至年减0.3%,下修幅度达4个百分点。外资美林证券指出,全球三大厂商出货成长性减缓、库存问题明显,相关公司将遭遇削价竞争问题,影响获利。

美林认为,基于对获利表现的忧心,三星、海力士与美光股价都已经向下逼近每股净值水平,显示投资人会对获利不如预期做出反应。至于南亚科,美林证券认为,除了11月营收逊于预期外,受到对手降价与需求疲软影响,南亚科12月营收恐持续月减5%,明年第1季获利能见度也不高,因此调降南亚科评等至“中立”。

为力抗股价逆风及维护股东权益,南亚科规划分两阶段实施库藏股,第一阶段已买回2万张库藏股,总金额11.46亿元(新台币,下同)。第二阶段自11月29日至明年1月11日买回10万张库藏股,库藏股买回区间价格均为每股38至79元。

而根据南亚科本周最新公告,已买回库藏股6,410张,平均每股53.92元,总金额约3.45亿元。这波库藏股的时机是否恰当,以及能否帮助股价止稳打底,还有待观察,不过回顾南亚科今年5月中见到107.5元波段高点后,股价开始一路下跌,最低腰斩来到45.1元,至少可以确认库藏股不是买在高档。


关键字:存储器 引用地址: 南亚科祭出库藏股应战

上一篇:魅族 16th 拆解:散热处理出众,屏下配备多个感应模块
下一篇:努比亚红魔Mars电竞手机将登陆欧洲、英国

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 18:58

STM32 系统架构及存储器映射
一、STM32系统架构 STM32系统架构如下图所示: 主系统有以下部分构成: DCode总线 该总线将M3内核的DCode总线与闪存存储器数据接口相连 ICode总线 该总线将M3内核的ICode总线与闪存存储器指令接口相连,指令取指在该总线上完成 系统总线S-bus 此总线连接Cortex™-M3内核的系统总线(外设总线)到总线矩阵,总线矩阵协调着内核和DMA间的访问。 DMA总线 DMA1和DMA2 此总线将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相联,总线矩阵协调着CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存和外设的访问。 总线矩阵 此总线矩阵协调内核系统总线和DMA主控总线之间的访问仲裁。此仲裁利用轮换算法。此总线矩阵
[单片机]
Intrinsic联合Imec开发新型忆阻器,采用CMOS工艺
Intrinsic表示,它已成功扩展其基于氧化硅的电阻随机存储器 (RRAM),并展示了电气性能特性,使其能够在先进处理节点的逻辑器件中用作高性能、低成本、嵌入式、非易失性存储器。 Intrinsic 与其在比利时的合作伙伴 imec 一起,将 RRAM 器件的尺寸缩小到 50 nm,该公司表示,这些器件已展示出出色的开关行为,这是它们用作下一代非易失性固态存储器的关键。这些器件在物理尺寸(缩放)和电气性能特性方面都与半导体行业使用的先进半导体制造工艺节点兼容,使其适用于边缘人工智能和物联网应用。 Intrinsic 首席执行官 Mark Dickinson 表示:“我们很高兴达到了这一关键里程碑,证实了我们的理论分析,即
[嵌入式]
Ramtron 推出512Kb FRAM扩展其串口存储器产品系列
半兆位 FRAM 有 助于满足仪表应用对增 加数据存储容量的需求 世界顶尖的非易失性铁电存储器 ( FRAM) 和集成半导 体产品 供应商 Ramtron International 公司 扩展了其串口 存储器产品系列 , 推出 带有 2 线工业标准串行接口的 半兆位非易失 性 FRAM 产品 FM24C512 , 面向需要高容量的数据采集领域,如市电计量和实时配置存储服务。 Ramtron 市务副总裁 Mike Alwais 称:“ FM24C512 为我们的 256Kb FRAM 用户提供与升级路径封装兼容的器件,但其
[新品]
TrendForce集邦咨询:车用存储器需求高速增长, CAGR未来三年可望超过30%
TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处表示,随着自驾等级的提升、5G基础建设的普及等因素影响,车用存储器未来需求将高速增长。以目前自驾程度最高的特斯拉(Tesla)为例,从Tesla Model S/X起,由于同时采用NVIDIA的车用CPU及GPU解决方案,DRAM规格导入当时频宽最高的GDDR5,全车系搭载8GB DRAM;而Model 3更进一步导入14GB,下一代车款更将直上20GB,其平均用量远胜目前的PC及智能手机,预估近三年车载DRAM用量将以CAGR超过三成的涨势继续向上。 TrendForce集邦咨询进一步补充,以目前市面上流通的车辆来计算,2021年平均一台车的DRAM使用量仅约4GB,虽然相较过去几
[汽车电子]
TrendForce集邦咨询:车用<font color='red'>存储器</font>需求高速增长, CAGR未来三年可望超过30%
PIC16C5X单片机程序存储器
PIC16C5X系列单片机内部有一定容量的程序存储器和数据存储器,程序存储器的字节宽度为12位,用于存放用户程序和数据表格。PIC16C52有384字节的程序存储空间,PIC16C54/55的ROM空间为512字节,PIC16C56的地址空间为1024字节,PIC16C57/58则为2048个字节。PIC16C5X单片机采用的是分页寻址方式,每页位512字节,页面地址由状态寄存器f3的PA0、PA1选择。512字节的12位页内可直接寻址,较大的程序存储器可通过选择4个页、每页512字节页面来寻址,如下图所示。 但当页面之间跳转(GOTO CALL指令)必须先把f3的PA0、PA1设置为相应的页面。需要注意的是:在系统复位时,程
[单片机]
PIC16C5X单片机程序<font color='red'>存储器</font>
单片机存储器信息的断电保护
  在计算机系统中,无论使用动态RAM还是使用静态RAM,其最大的缺点是在断电以后,它所存储的信息即随之消失。即使是瞬时断电也会使它所存储的信息全部丢失。如果计算机处在运行的过程中,则其原始数据及运算结果被丢失。如果在调试程序的过程中,发现硬件要作某些改动,则在关机修改硬件时,其调试程序及数据也全部丢失。因此采取措施以防止RAM中的信息在断电时丢失是必要的。   断电保护要求在电源发生故障或人为切断电源时,能在电源电压下降的过程中,保护CPU的状态信息以及RAM中的数据或程序。当电源恢复正常时,将原来CPU的状态及RAM中的数据或程序恢复、并继续工作。   断电保护系统包括断电检测,停机电路和数据、状态保护电路三部分。   由于稳压
[单片机]
单片机<font color='red'>存储器</font>信息的断电保护
非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。   铁电存储器(FeRAM)   铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列,包括PbZr1-xTixO3,SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性,按工作模式可以分为破坏性读出(DRO)和非破坏性读出(NDRO)。DRO模式是利用铁电薄膜的电容效应,以铁电薄膜电容取代常规的存储电荷的电容,利用铁电薄膜的极化反转来实现数据的写入与读取。   铁电随机存取存储器(FeRAM)就是基
[模拟电子]
非易失性<font color='red'>存储器</font>FeRAM、MRAM和OUM
基于AT89S52汉字多方式显示屏的设计
  1 引言   生活中可视广告随处可见,大多采用 LED" target="_blank" LED 汉字 显示屏" target="_blank" 显示屏 ,而汉字的显示模块可直接影响广告本身效果。基于AT89S52 LED汉字显示模块有多种形式,包括汉字全屏显示、汉字从右往左显示、汉字从下往上显示、汉字拉幕式显示等多种方式。   2系统组成与工作原理   基于AT89S52 LED汉字显示屏系统组成如图1所示。主要由AT89S52构成微控制器,8块74LS373组成汉字代码的行锁存器,74LS154构成汉字的列选通,16块8×8点阵管LED2088BX构成四汉字显示屏,四个按键用于选择汉字显示方式,16个8550组成汉字
[电源管理]
基于AT89S52汉字多方式显示屏的设计
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved