NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

发布者:来来去去来来最新更新时间:2019-01-12 来源: CTIMES关键字:NAND  Flash 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)指出,NAND Flash市场经历2018年全年供过于求,2019年在笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现难见起色下,预计产能过剩难解,因而使得供应商进一步降低资本支出以放缓扩产进程,避免单位成长过多导致过剩状况加剧。


根据DRAMeXchange调查指出,2018年因供过于求难以遏制,韩国供应商带头降低资本支出,NAND Flash总体资本支出下调近10%,但仍无法翻转供需失衡情形,2019年转为美国厂商减少资本支出,使得NAND Flash整体资本支出较2018年持续下滑约2%,总支出规模约为220亿美元。


受到供应商调整扩产计划影响,尽管各供应商已于2018年第四季起量产92/96层3D NAND,但直至2019年底将仅占约32%单位产出,而64/72层的产出占比仍有逾50%,供应商放缓制程的推进,造成2019年NAND Flash单位成长将仅约38%,相比2018年逾45%水准明显下降。


观察各供应商产能调整,DRAMeXchange指出,三星持续减产2D NAND产能,加上92层制程消耗更多的厂房空间,2019年运转产能将较2018年底下调,单位产出成长率降至约35%,由于三星全球市占率约3成,三星位元产出成长率的放缓对全球产出成长影响较大;SK海力士、东芝/威腾分别有M15以及Fab 6的新厂扩建,但同样受到减产计划或转产旧制程的影响,产出年成长率有机会低于原先预期,SK海力士和东芝/威腾原先单位产出成长率预估值分别约为50%与40%水准,但DRAMeXchange预期会各自下修到50%以下,以及约35%的水位,以反映今年市场需求的急冻;美光的新加坡新厂则要等到2020年才正式量产,因此全年产能几乎维持不变;英特尔则除了填满大连厂产能,并无宣布其他扩产规划,美光与英特尔阵营2019年整体单位产出成长接近40%水准,相较2018年45%以上的成长幅度明显收敛。


从2019年NAND Flash价格走势来看,DRAMeXchange指出,由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅,皆明显高于原先的预期,显示原厂正面临庞大的库存压力。


因此,NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%,一举提高至20%水准,第二季报价可能将续跌将近15%,下半年虽有旺季需求帮助,跌幅可望略微收敛,但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水准,端看原厂们是否能再进一步降低自身产出水位。


综上所述,DRAMeXchange认为,今年旺季若仍无足够需求动能支撑,NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水准,近乎腰斩。


关键字:NAND  Flash 引用地址:NAND Flash供应商2019年资本支出年减2%

上一篇:vivo社区泄露内部邮件
下一篇:iPhone传第二波砍单

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 19:04

基于Flash型FPGA的信号源卡设计
摘要:介绍了一种基于Flash型FPGA的多路模拟重信号源设计方法,该系统以ACTEL公司的A3P125VQ100芯片为核心,实现了系统的软硬件结合。它包括数模转换单元、电源模块、多路模拟开关模块以及运算放大单元等,实现了电源独立的、频率可调的、不同波形的多路模拟量信号源。该系统通过编写程序可以产生正弦波、三角波、方波以及直漉波并实现1~500 Hz频率可调。研究的核心内容主要是通过FPGA控制D/A和多路模拟开关,通过D/A产生波形从多路模拟开关中送出,通过拨码开关在1~500 Hz的频率范围内控制选择,并且能够通过示波器观测到相应的频率的波形。 关键词:Flash;FPGA;信号源卡;多路选通;数模转换 0 引言 信号源
[嵌入式]
基于<font color='red'>Flash</font>型FPGA的信号源卡设计
NAND Flash供货吃紧 英特尔将优先供应企业级SSD
根据科技网站 ZDNet 的报导指出,半导体龙头英特尔(intel)正透过管道向合作伙伴发出通知,预计 2017 年全年 SSD 硬盘因为供应吃紧,这也迫使得英特尔未来将优先以供应数据中心级 SSD 硬盘为主,而其搭低成本的消费级 SSD 硬盘则暂时退到供货的第二线上。 报导指出,日前英特尔向合作伙伴发出了一份 “英特尔 SSD 硬盘供应健康资讯” 的备忘录,其中说明 SSD 硬盘和 NAND Flash 快闪存储器产业目前正处于市场的需求供货吃紧的状态。因此,预计 2017 年全年 SSD 硬盘供应仍然十分竞争的情况下,将迫使英特尔专注于优先生产并供应数据中心级 SSD硬盘的需求。 此外,英特尔还在备忘录中表示,目前公司正积极地
[半导体设计/制造]
回顾美光NAND发展演进历程
专题: 美光176层3D NAND技术 & 1α DRAM技术 NAND市场从来就是一片红海,而在这市场中,不乏有各路新晋者前来淘金,美光就是这么一家曾经的淘金者。21世纪初,美光的Gurtej Singh Sandhu 率先采用了pitch double patterning技术,从而推动了 30 nm NAND 闪存的发展,此后被全球 NAND Flash和 RAM存储器制造商广泛采用。 而现在经过20年的发展,美光从0起步,变成全球前五大的NAND供应商,并且成为市场上首家推出176层NAND的供应商,背后的原因有哪些?日前EEWORLD连线美光,从公司的历史以及对未来的畅享,看NAND市场的创新。 1.
[嵌入式]
为了新工艺,晶圆厂要投入多少?
国际半导体产业协会(SEMI)最新报告指出, 3D NAND 、DRAM与 10nm 制程等技术投资,将驱动2016年 晶圆厂 设备支出攀升,预估2016年包括新设备、二手或专属(In-house)设备在内的前段晶圆厂设备支出将增长3.7%,达372亿美元;而2017年则可望再成长13%,达421亿美元。   SEMI指出,2015年晶圆厂设备支出为359亿美元,较前一年微幅减少0.4%;预测2016年上半年晶圆厂设备支出可望缓慢提升,下半年则将开始加速,为2017年储备动能。2017年相关支出可望回复两位数成长率。   对成长贡献最大之类别包括晶圆代工、3D NAND晶圆厂,以及准备在2017年拉升10nm制程产能的业
[嵌入式]
"BIWIN首届Nand Flash应用高峰论坛”侧记
2012年,随着智能手机、平板电脑、Ultrabook的井喷式爆发,有一种半导体器件会受到产业的万众瞩目----这就是Nand Flash,Gartner预估今年NAND Flash市场增长18%! 年初以来,NAND Flash大厂英特尔、东芝、海力士、三星、美光等均有扩增新产能计划,各大厂工艺纷纷转向20nm,三星西安建厂发力10nm Nand Flash!可以说,一场围绕Nand Flash应用的存储大变革正在进行,Nand Flash应用变革给本土业者带来哪些机遇?智能手机、平板电脑供应商如何看待看待eMMC、SSD的走热?全球Flash大厂及其主控厂商又有如何的策略?3月30日, “BIWIN首届Nand Flash应用
[手机便携]
Nand Flash应用高峰论坛”侧记" />
rom eeprom ram flash 的区别
ROM和RAM指的都是 半导体 存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM有两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,
[单片机]
两个月内,铠侠陆续宣布将新建两个3D NAND Fab
国外媒体报道,铠侠本周宣布了计划通过新建一个名为K2的新工厂来扩展其Kitakami生产基地。这是铠侠在不到两个月的时间里宣布的第二个工厂,这表明该公司对未来几年对3D NAND存储器的需求增长充满信心。如果铠侠的扩张计划如期进行,那么两个新工厂将在2023年至2024年完成。 铠侠及其合作伙伴Western Digital正在其位于日本岩手县北上市附近的K1晶圆厂提高96层BiCS 3D NAND存储器的产量。根据发布的规模,Fab K1是世界上规模最大的联合经营的半导体工厂,其洁净室分为四期建成。两家公司于今年早些时候在K1一期设施中开始了3D NAND的商业生产,预计过渡期间的数量将会增加。同时,随着时间的推移,K1将增
[半导体设计/制造]
为什么GD32F303代码运行在flash比sram更快?
我们知道一般MCU的flash有等待周期,随主频提升需要插入flash读取的等待周期,以stm32f103为例,主频在72M时需要插入2个等待周期,故而代码效率无法达到最大时钟频率。 所以STM32F103将代码加载到sram运行速度更快。 但使用GD32F303时将代码加载到SRAM后速度反而下降了一些,这是为什么呢? 我们前面了解过GD32F303 flash的code area区是零等待的,GD32F系列MCU片上Flash中Code区和Data区使用解密 零等待访问理论上就应该和在sram运行速度一样,那么为何会比sram更快一些呢? 通过查阅GD32F303用户手册系统架构章节我们可以知道,访问flash时可以直接通
[单片机]
为什么GD32F303代码运行在<font color='red'>flash</font>比sram更快?
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved