高通骁龙855性能测试：问鼎安卓阵型榜首

去年年底，高通在美国夏威夷举办了一年一度的骁龙技术峰会，峰会上最受瞩目的依然是新一代旗舰移动处理器骁龙855。据发布会上介绍，今年的骁龙855不仅仅在性能上有了大提高，还在即将来临的5G及AI方面着力发展，能给消费者带来更优秀的5G通讯及AI性能娱乐体验。

今年骁龙855在核心性能及配置上均有了大幅提高，那么骁龙855在性能跑分方面究竟有多么强大呢？现在就让我们跟随外媒Anandtech，一起来窥探这枚芯片的性能。

新的7nm骁龙855芯片组中，采用了四个新的Kryo 485 CPU基于ARM的新的Cortex A76核心，并且Kyro 485扩充了重排序缓冲区（CortexA76公版为128条目）、和优化了预取器和对分支数据结构进行了优化。

骁龙855的CPU集群虽然仍使用“4+4”的big.LITTLE配置，但实际上芯片中的大核是不相等的，采用了“1+3+4”的配置，大核心集群实际上为“1+3”设计，当中的一颗大核使用了最高频率可达2857MHz的设计，并为其配备了512KB L2缓存；剩余的3颗大核心的最高频率为2439MHz，配备256KB L2缓存。

另外，高通针对这个“1+3”大核心集群采用了异步时钟设计，但4颗核心仍然共享相同的电压平面。高通解释说这是一种在电源效率效益、实现复杂性和支持电力传递组件(增加额外电压平面会增加另一个带电感和电容器的PMIC导轨)之间的折衷。

骁龙855相比骁龙845有着高达45%的性能提升，如果要追溯到五年前的话，骁龙855的性能相当于在骁龙845 CPU性能的基础上，增加了一个骁龙800的CPU性能。

本次测试用的是高通最新的骁龙855 QRD平台（Qualcomm Reference Design，高通参考设计）。

骁龙855内存延迟问题明显

骁龙845上高通在缓存和内存之间增加了一级3MB系统缓存，该缓存位于内存控制器的前面，来作为一个新的缓存层次结构，主要是为处理器范围里各种IP块充当缓冲区，从而减少内存访问量来提高系统电源效率。

高通在骁龙845中引入这个IP模块是值得令人高兴的，但这是一把双刃剑，虽然可以减少内存访问量，但也会使得内存延迟增加了30%（与835相比），同时也会限制一定的处理器性能。但遗憾的是高通已经确认在新的骁龙855中，依然是使用了和骁龙845相同的IP模块。

从测试结果可以得出，骁龙855和845在2.8GHz的频率下，L2缓存延迟有改善的现象，两者的DSU系统缓存均为2MB，延迟现象也是基本一致，而麒麟980虽然有着4MB的系统缓存，但响应时间是要比前两者慢了20%。

在线性图上，可以更清楚地看到内存延迟的差异。骁龙855比845稍微提高了内存延迟，这很有可能是采用了频率更高的LPDDR4X 2133MHz内存，因为骁龙855比去年的845采用的1866MHz内存速度提高了14%。

如果和麒麟980相比的话，两者使用了相同的CPU微架构，同样频率的内存，但骁龙855的内存要明显高于麒麟980。

CPU性能及功耗

SPEC2006是一个重要的基准测试软件，它与其他测试软件的区别在于所处理的数据集更大更复杂，可充分展示微架构的更多细节，特别是在内存子系统性能方面。

另外，本次测试使用的是骁龙855 QRD平台，和日后上市的骁龙855手机性能表现会存在差异，本次测试结果仅供参考。