集微网消息,韩国存储器制造商SK海力士周四宣布3.16兆韩圜(27亿美元)的投资计划,希望同时在韩国与中国两地增加存储器产能,以满足移动与数据储存市场的需求。
海力士表示将在韩国盖一座全新NAND快闪存储器厂,预算达2.2兆韩圜,有望拉近与三星的差距。市调机构TrendForce指出,NAND供货仍然吃紧,明年报价预估将持续走扬。
除此之外,随着智能手机对存储器容量要求越来越高,DRAM市况亦呈现供不应求。有鉴于此,海力士还将加码投资中国DRAM厂9,500亿韩圜,借以扩充产能。
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange统计数据显示,全球第三季DRAM营收季增15.8%,其中三星DRAM营收季增22.4%,市占率来到50.2%。海力士与美光市占率则各为24.8%与12.6%。
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SK海力士27亿美元扩产投资计划曝光 中国厂投资54.8亿人民币
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