eeworld网消息,全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划,业界认为,由于建厂时间还要两年,难解今年缺货窘境,不过受心理层面影响,恐让下半年DRAM涨势止歇。
三星决定斥资87亿美元,扩充南韩华城厂DRAM产能。 三星表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度和制程转换良率,决定生产18nm或更先进制程的DRAM。
对于今年DRAM供需,稍早包括南亚科总经理李培瑛、创见董事长束崇万,及威刚董事长长陈立白都表示,今年DRAM因主要供应大厂将产能挪移生产储存型闪存(NAND Flash),且只做DRAM 制程升级,未见扩大资本支出增产,加上DRAM市场除个人计算机外,在各类智能装置,如车用、电视、家庭自动化、网络、服务器以及移动装置等普遍使用, 让供给缺口浮现。
三星发言人表示,目前为时过早,无法确认投资计划和新产线用途,详细内容敲定后,会在本月底或 4 月初宣布。
各方看法不一,可能由于华城厂产线多元,17 号厂兴建之初只生产系统芯片,但是三星两度扩建 17 号厂,增加了 DRAM 和 3D NAND 产线,这次扩产目的难以判断。 有人猜测,17 厂内部的新增产线可能用于生产 10nm系统芯片、新工厂则生产 7 奈米系统芯片。
半导体市场变化快速,新厂生产商品常到落成时才拍板定案。 以三星华城厂 17 号线为例,此一产线原本预定制造系统半导体,但是后来改用于生产内存。 三星也在南韩平泽厂(Pyeongtaek)竣工后,才决定平泽厂 6 月启用时将生产 NAND Flash。
三星电子代表说,三星 DRAM 的毛利率超过 45%,尽管三星产品售价高,但是由于质量出众,优于竞争对手,在市场供不应求。 三星是内存霸主,去年在全球 DRAM 市占高达 48%。
集邦统计,首季除利基型DRAM涨幅在10~15%外,其余包括标准型DRAM、服务器DRAM、移动DRAM等,涨幅都在20~35%不等,并在淡季写下单季历史最大涨幅。 预估第2季DRAM合约价仍会续涨,涨幅虽收敛,但也会逾一成。 三星决定增产DRAM,内存模块业界表示,这一波DRAM上涨是由三星领军,使价格回到合理的利润,预料不至于杀价抢市场份额。
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三星DRAM扩产下半年涨势将暂停
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