贴了膜的三星S8长这样 传感器依然多得让人犯上密恐

现业界顶级的高精度检测和低功耗性能，满足Vital Sensing（生命体征传感）的时代需求。 ＜概要＞ 全球知名半导体制造商ROHM面向智能手表和智能手环等可穿戴式设备，开发出实现1024Hz高速采样、支持压力测量和血管年龄测量的光电式脉搏传感器“BH1792GLC”。 “BH1792GLC”是以“高精度”“低功耗”获得高度好评的ROHM脉搏传感器第2代新产品。其低功耗性能实现了业界最小级别的耗电量0.44mA（测量脉率时），有助于应用的更长时间驱动。另外，还支持1024Hz的高速采样。与以往产品相比，脉搏测量速度快达32倍，满足需要高速采样的压力测量和血管年龄测量等生命体征传感的时代需求。 本产品已于2017年9月开始出

10 月 7 日消息，外媒 Sammobile 在今年的三星开发者大会期间采访了三星移动体验部门（Mobile eXperience）首席工程师、安全团队技术项目经理白信哲（音译）。 白信哲在采访中透露称，三星一直在积极讨论公司在目前已经为手机提供 5 年支持之后，应当在长期安全更新方面“做点什么”。这种为设备提供更长时间支持的愿景与公司的理念“不谋而合”，他表示鉴于新的法规即将出台，三星正准备提供超过 5 年的安全更新支持期。 报道称，根据三星目前提供软件安全更新的规模“非常重要”：根据每月、每季度和每半年的发布计划，全球市场将有超过 150 款设备收到安全更新。白信哲声称，三星为这一目标已经“投入了大量资源”。 谷歌在本月初举

集微网曾率先报道过iPhone 手机的“关机门”，此后在消保委的介入下，苹果给出了免费更换电池的解决方案。然而这个问题并不是中国市场特有，海外用户同样遇到了。 据海外媒体报道，阿联酋经济部本周一宣布，将与苹果展开合作，为可能存在问题的88700部iPhone 6s更换电池。阿联酋经济部表示，2015年9月至10月期间在中国生产的iPhone 6s存在非正常关机现象，此次将召回更换电池的设备正是来源于此。 除了“关机门”，最新报道称，日前美国佛罗里达州棕榈港一位女性用户的iPhone 6 Plus充电时发生爆炸，苹果公司目前已经开始调查事故原因。 据了解，早在iPhone 5 时代苹果就因电池问题召回过手机。当时部分iPhone 5

    三星在今年下半年似乎玩起了萝卜蹲，三星Note7炸完紧接着洗衣机又开始炸，目前三星在全球范围内不得不将S7 Edge作为主力售卖的手机产品。眼看着马上就到一年一度的MWC了，估计三星所有人都等着明年的三星S8翻身了。   　　来自韩媒的消息称，三星供应商将于明年一月份送测首批三星S8，按照这样的节奏来看，三星S8目前应该已经在产线进行试产。众所周知，三星S系列新品每年的发布时间都在MWC大会前夕，2017年MWC大会将于2月27日—3月2日在西班牙巴塞罗那举行，所以三星S8较为有可能在2月25或26日发布。

称重传感器是地磅中的最关键部件，它起到把重力传变成电信号的作用，如果称重传感器出现故障将造成转换中的错误，直接影响到地磅的正常工作。称重传感器出现故障可能会造成地磅误差大、无法归零、偏载误差大、重复性差等现象。查找称重传感器故障可以通过以下方法： 在接线盒内用万用表检查正激励（+EX）和负激励（-EX）间电阻值（在接线盒内通向仪表的信号线柱上测），其阻值大约为400D/传感器数。用万用表测量总输出端的正输出（+Si）和负输出（-Si）之间电阻，其阻值大约为2500Q/截面数（注），如果发现阻值不对，按下一步查找。 注：截面是垂直秤台纵向方向，每一对传感器的面。即一个截面一般有一对传感器，如30t地磅有4个传感器，分在两个截

       技术开发在里约奥运会的转型中起到了极大地作用，不论是在提高比赛结果准确性还是提升运动员的表现上。新的转型乃至更大的影响预计来自大量传感器以及大数据分析的采用。 　　今年里约奥运会总开支为74亿雷亚尔(BRL)，合计22.5亿美元，组委会称这其中约20%指定用于实施信息化技术和电信解决方案。组委会CIO Elly Resende表示，大约有250家公司，包括Atos，思科，美洲电信，EMC，Omega，日本松下，三星和赛门铁克已经为构建整个基础设施提供了不同程度的技术。 　　虽然Resende称奥运会和残奥会都并非促进任何全新技术或是充当展厅的好时机。但从2012年伦敦奥运会以来，一些技术以臻成熟并会在巴西亮相

    随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资，全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了，不过英特尔可以排除在代工厂之外，其他无晶圆公司可选的只有三星以及台积电了，其中台积电在7nm节点可以说大获全胜，流片的7nm芯片有50+多款。三星近年来也把代工业务当作重点，此前豪言要争取25%的代工市场，今年三星公布了未来的制程工艺路线图，现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图，今年会推出7nm EUV工艺，明年有5/4nm EUV工艺，2020年则会推出3nm EUV工艺，同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。 三星电子4日在日本举行“三星晶圆代

3 月 21 日消息，三星半导体日前在官方公众号上公布了新品路线图，其中包含了 UFS 4.0 4 和 UFS 5.0 。 三星表示，近年来，端侧（End-to-End）人工智能在智能手机市场上热度很高为了实现大语言模型的端侧运行，研究人员针对模型尺寸开展了多种研究众所周知，轻量化服务的实现需要缩小存储和内存的尺寸，提高带宽。考虑到端侧大语言模型服务未来的发展，现在就必须开始提升 UFS 接口速度。 三星正在研发一款新产品，这款产品使用 UFS 4.0 技术，但将通道数量从目前的 2 路提升到 4 路同时，预计 2025 年量产，顺序读取速度达到 8GB/s。三星称，“提升顺序读取速度能够缩短模型载入时间”。 新品路线图还