华虹宏力2016年势头强劲 一举斩获多项大奖

集微网消息，（中国，上海—2017年3月24日）3月23日至24日，“2017中国半导体市场年会暨第六届中国集成电路产业创新大会”（IC Market China 2017）以“智慧引领未来、资本助力发展”为主题在南京召开。基于2016年的亮眼表现，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号：1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司（“华虹宏力”）成功斩获“2016年中国半导体制造十大企业”及“2016-2017中国功率器件市场年度成功企业”两项大奖，并凭借其“600V-1200V场截止型IGBT芯片制造工艺技术”摘得“第十一届（2016年度）中国半导体创新产品和技术”奖。

华虹宏力作为全球首家提供场截止型（FS, Field Stop）IGBT量产技术的200mm晶圆代工厂，其600V-1200V FS IGBT工艺制造平台提供深沟槽刻蚀、钝化、超薄片加工（包括背面注入、激光退火、背面金属化）等国际领先技术，可为客户提供高品质、高可靠性的IGBT芯片制造代工服务。IGBT作为功率器件的主流发展方向，已在变频家电、工业控制、汽车电子、新能源、智能电网等诸多领域获得广泛应用，未来市场更将飞速成长。此前，我国在IGBT这类高端功率半导体器件领域的设计、制造能力相对落后。但华虹宏力与客户携手成功开发了基于沟槽栅结构的600V-1200V场截止型IGBT，打破了国外公司的技术垄断，填补了国内空白。截至目前，华虹宏力独特且具竞争力的场截止型IGBT累计出货量已超过30,000片晶圆，并保持快速增长趋势。

华虹宏力设计经理杨光军也在会议上发表了题为“嵌入式存储器（eNVM）助力物联网发展”的精彩演讲。他表示，物联网产业发展迅猛，半导体行业也顺势而上。华虹宏力拥有全球领先的嵌入式存储器工艺平台组合，技术节点涵盖0.5微米至90纳米。2016年，华虹宏力90纳米eNVM工艺成功量产，采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分别成功获得国际权威机构颁布的CC EAL5+、EMVCo安全证书，以及万事达CQM认证。而应对微控制器（MCU）应用，华虹宏力推出了0.11微米超低漏电（ULL）嵌入式闪存及eEEPROM技术平台，可提供全面、灵活、极具竞争力的解决方案，在物联网、可穿戴设备、智能电网及汽车电子设备等领域有着广泛应用。华虹宏力将牢牢把握物联网市场机遇，持续提升工艺性能，坚持创新，不断追寻“芯”梦想。

华虹宏力二厂工程一部副部长沈今楷博士（左三）代表公司领奖

华虹宏力所获奖项

华虹宏力设计经理杨光军发表精彩演讲

关于华虹宏力

上海华虹宏力半导体制造有限公司（以下简称“华虹宏力”），由原上海华虹NEC电子有限公司和上海宏力半导体制造有限公司新设合并而成，是世界领先的200mm纯晶圆代工厂。华虹宏力在上海张江和金桥共有3条200mm集成电路生产线，月产能达15.5万片，工艺技术覆盖1微米至90纳米各节点，在标准逻辑、嵌入式非易失性存储器、电源管理、功率器件、射频、模拟和混合信号等领域形成了具有竞争力的先进工艺平台，并正在持续开发多种微机电系统（MEMS）工艺解决方案。公司总部位于中国上海，在中国台湾、日本、北美和欧洲等地均提供销售与技术支持。