中国三大存储器厂商建厂神速,明年上半年迎“装机大战”

发布者:转眼人老最新更新时间:2017-07-11 来源: 集微网关键字:存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

集微网消息,SEMI(国际半导体产业协会)“全球晶圆厂预测”最新报告指出,2017年中国总计有14座晶圆厂正在兴建,并将于2018年开始装机。2018年中国晶圆设备支出总金额将逾100亿美元,成长超过55%,全年支出金额位居全球第二。总计2017年中国将有48座晶圆厂有设备投资,支出金额达67亿美元。展望2018年,SEMI预估中国将有49座晶圆厂有设备投资,支出金额约100亿美元。

目前国内三大存储器厂商正处于紧锣密鼓的施工阶段,预计2018上半年陆续进入设备安装阶段,新一轮的设备入厂调试安装大戏即将上演。

武汉:长江存储

2016年7月26日,长江存储科技有限责任公司正式成立,武汉新芯将成为长江存储的全资子公司,而紫光集团则是参与长江存储的二期出资。注册地位于武汉东湖开发区关东科技工业园的长江存储,公司注册资本189亿元。

2016年12月30日,由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设的国家存储器基地项目,在武汉东湖高新区正式动工建设。该项目总投资240亿美元,主要生产存储器芯片,总占地面积1968亩。

这一项目即将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产,2020年完成整个项目,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。

目前,长江存储32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试,达到预期要求。预计2018年实现量产,并于2019年实现产能满载。

长江存储(2017.6)


关键字:存储器 引用地址:中国三大存储器厂商建厂神速,明年上半年迎“装机大战”

上一篇:双摄新机不断涌入,舜宇光学6月手机镜头出货量年增61.5%
下一篇:法乐第暂停内华达工厂:当地政府撇弃关系

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 16:49

STM32 系统架构及存储器映射
一、STM32系统架构 STM32系统架构如下图所示: 主系统有以下部分构成: DCode总线 该总线将M3内核的DCode总线与闪存存储器数据接口相连 ICode总线 该总线将M3内核的ICode总线与闪存存储器指令接口相连,指令取指在该总线上完成 系统总线S-bus 此总线连接Cortex™-M3内核的系统总线(外设总线)到总线矩阵,总线矩阵协调着内核和DMA间的访问。 DMA总线 DMA1和DMA2 此总线将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相联,总线矩阵协调着CPU的DCode和DMA到SRAM、闪存和外设的访问。 总线矩阵 此总线矩阵协调内核系统总线和DMA主控总线之间的访问仲裁。此仲裁利用轮换算法。此总线矩阵
[单片机]
Intrinsic联合Imec开发新型忆阻器,采用CMOS工艺
Intrinsic表示,它已成功扩展其基于氧化硅的电阻随机存储器 (RRAM),并展示了电气性能特性,使其能够在先进处理节点的逻辑器件中用作高性能、低成本、嵌入式、非易失性存储器。 Intrinsic 与其在比利时的合作伙伴 imec 一起,将 RRAM 器件的尺寸缩小到 50 nm,该公司表示,这些器件已展示出出色的开关行为,这是它们用作下一代非易失性固态存储器的关键。这些器件在物理尺寸(缩放)和电气性能特性方面都与半导体行业使用的先进半导体制造工艺节点兼容,使其适用于边缘人工智能和物联网应用。 Intrinsic 首席执行官 Mark Dickinson 表示:“我们很高兴达到了这一关键里程碑,证实了我们的理论分析,即
[嵌入式]
Ramtron 推出512Kb FRAM扩展其串口存储器产品系列
半兆位 FRAM 有 助于满足仪表应用对增 加数据存储容量的需求 世界顶尖的非易失性铁电存储器 ( FRAM) 和集成半导 体产品 供应商 Ramtron International 公司 扩展了其串口 存储器产品系列 , 推出 带有 2 线工业标准串行接口的 半兆位非易失 性 FRAM 产品 FM24C512 , 面向需要高容量的数据采集领域,如市电计量和实时配置存储服务。 Ramtron 市务副总裁 Mike Alwais 称:“ FM24C512 为我们的 256Kb FRAM 用户提供与升级路径封装兼容的器件,但其
[新品]
TrendForce集邦咨询:车用存储器需求高速增长, CAGR未来三年可望超过30%
TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处表示,随着自驾等级的提升、5G基础建设的普及等因素影响,车用存储器未来需求将高速增长。以目前自驾程度最高的特斯拉(Tesla)为例,从Tesla Model S/X起,由于同时采用NVIDIA的车用CPU及GPU解决方案,DRAM规格导入当时频宽最高的GDDR5,全车系搭载8GB DRAM;而Model 3更进一步导入14GB,下一代车款更将直上20GB,其平均用量远胜目前的PC及智能手机,预估近三年车载DRAM用量将以CAGR超过三成的涨势继续向上。 TrendForce集邦咨询进一步补充,以目前市面上流通的车辆来计算,2021年平均一台车的DRAM使用量仅约4GB,虽然相较过去几
[汽车电子]
TrendForce集邦咨询:车用<font color='red'>存储器</font>需求高速增长, CAGR未来三年可望超过30%
PIC16C5X单片机程序存储器
PIC16C5X系列单片机内部有一定容量的程序存储器和数据存储器,程序存储器的字节宽度为12位,用于存放用户程序和数据表格。PIC16C52有384字节的程序存储空间,PIC16C54/55的ROM空间为512字节,PIC16C56的地址空间为1024字节,PIC16C57/58则为2048个字节。PIC16C5X单片机采用的是分页寻址方式,每页位512字节,页面地址由状态寄存器f3的PA0、PA1选择。512字节的12位页内可直接寻址,较大的程序存储器可通过选择4个页、每页512字节页面来寻址,如下图所示。 但当页面之间跳转(GOTO CALL指令)必须先把f3的PA0、PA1设置为相应的页面。需要注意的是:在系统复位时,程
[单片机]
PIC16C5X单片机程序<font color='red'>存储器</font>
单片机存储器信息的断电保护
  在计算机系统中,无论使用动态RAM还是使用静态RAM,其最大的缺点是在断电以后,它所存储的信息即随之消失。即使是瞬时断电也会使它所存储的信息全部丢失。如果计算机处在运行的过程中,则其原始数据及运算结果被丢失。如果在调试程序的过程中,发现硬件要作某些改动,则在关机修改硬件时,其调试程序及数据也全部丢失。因此采取措施以防止RAM中的信息在断电时丢失是必要的。   断电保护要求在电源发生故障或人为切断电源时,能在电源电压下降的过程中,保护CPU的状态信息以及RAM中的数据或程序。当电源恢复正常时,将原来CPU的状态及RAM中的数据或程序恢复、并继续工作。   断电保护系统包括断电检测,停机电路和数据、状态保护电路三部分。   由于稳压
[单片机]
单片机<font color='red'>存储器</font>信息的断电保护
非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM
本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。   铁电存储器(FeRAM)   铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易失存储器,具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。 当前应用于存储器的铁电材料主要有钙钛矿结构系列,包括PbZr1-xTixO3,SrBi2Ti2O9和Bi4-xLaxTi3O12等。铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性,按工作模式可以分为破坏性读出(DRO)和非破坏性读出(NDRO)。DRO模式是利用铁电薄膜的电容效应,以铁电薄膜电容取代常规的存储电荷的电容,利用铁电薄膜的极化反转来实现数据的写入与读取。   铁电随机存取存储器(FeRAM)就是基
[模拟电子]
非易失性<font color='red'>存储器</font>FeRAM、MRAM和OUM
基于AT89S52汉字多方式显示屏的设计
  1 引言   生活中可视广告随处可见,大多采用 LED" target="_blank" LED 汉字 显示屏" target="_blank" 显示屏 ,而汉字的显示模块可直接影响广告本身效果。基于AT89S52 LED汉字显示模块有多种形式,包括汉字全屏显示、汉字从右往左显示、汉字从下往上显示、汉字拉幕式显示等多种方式。   2系统组成与工作原理   基于AT89S52 LED汉字显示屏系统组成如图1所示。主要由AT89S52构成微控制器,8块74LS373组成汉字代码的行锁存器,74LS154构成汉字的列选通,16块8×8点阵管LED2088BX构成四汉字显示屏,四个按键用于选择汉字显示方式,16个8550组成汉字
[电源管理]
基于AT89S52汉字多方式显示屏的设计
小广播
热门活动
换一批
更多
最新手机便携文章
更多精选电路图
换一换 更多 相关热搜器件
更多每日新闻
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved