SK海力士(SK Hynix)研发团队打破平面NAND Flash只能做到16纳米的迷思，成功以14纳米3阶储存单元(Triple Level Cell；TLC)技术量产NAND Flash。
据韩媒EToday报导，SK海力士由5位优秀成员组成的14纳米TLC量产小组成功达成交办任务，排除万难突破2D NAND Flash只能到16纳米的业界看法。
NAND Flash研发本部资深工程师李庆福(音译)表示，接受任务时正值2D朝3D转换之际，开发2D产品的必要性受到质疑，团队面对16纳米难关的压力，研发进度迟迟不见往前，成员在身心方面都承受极大考验。
近期半导体业者的NAND Flash产品研发趋势快速由2D进入3D，SK海力士也在3D NAND Fash研发投入大部分人力。即便如此，市场上对2D NAND Flash的需求不至于立即消失，是支撑研究团队的动力。
NAND开发部研究员赵明冠(音译)表示，公司仍需要借用2D制程创造最大获利，14纳米TLC量产小组知道肩负任务的重要性。
NAND Flash 14纳米量产计划中最困难的部分在于必须沿用既有设备与制程，但研发人力只有20%。SK海力士未来技术研究院NAND核心任务小组资深工程师金宪圭(音译)表示，计划推动过程中只要出现一点点的些微进度，团队成员就感到无比雀跃，这是在限缩的条件之下大家能互相打气的小确幸。
NAND研发本部资深工程师许晃(音译)表示，曾经有几次因为团队成员有新构想，新构想也成功有具体化突破，激发大家持续进行各种构思，团队里凝聚很高的团队意识，即使对事情有不同见解，相互间的彼此信赖也未曾改变。
SK海力士ETCH技术组负责人林政勋(音译)表示，若要达到创新目标，不能只选已有明确方向的路走，勇于尝试探索未知才能收到成果。14纳米TLC量产小组成功达成任务，也打破业界认为是不可能任务的16纳米迷思。
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SK海力士量产14纳米TLC NAND Flash 打破平面16纳米最终迷思
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