骁龙670详细参数曝光：10纳米工艺 2+6核心设计-电子工程世界

　除了有望在月底推出搭载骁龙845芯片的三星S9、小米MIX 2S等新机，高通中端6系产品线的骁龙670也有进一步的资料曝光。

　　德媒WinFuture主编、知名爆料人Roland Quandt最新撰文披露了这款SoC的一些规格资料。

　　骁龙670基于10nm工艺制造，CPU部分设计为2颗Kryo 300系列Gold大核以及6颗Kryo 300系列Silver小核（基于Cortex A55），最高主频2.6GHz，小核最高主频1.7GHz。

　　这推翻了此前4+4的Big.Little设计，比较意外。同时，每核心内件2KB L1缓存，每个丛集享有128KB L2缓存。

　　GPU是Adreno 615，可以实现430MHz、650MHz和700MHz+调频。

　　其他方面，闪存支持UFS 2.1和eMMC 5.1，基带集成X20系列，下行速度追上骁龙835的水平，达到1Gbps。

　　此前我们已经见识过骁龙670 CPU性能，GeekBench 4跑分单核心超1860、多核心超5250，相比于骁龙660单核提升约10%，但多核心反而下降了10%。

　　最后，爆料人Roland Quandt称，早先中国所谓数码爱好者的泄露一派胡言，他拿到的信息基于高通的官方代码文档，可信度是极高的。

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